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公开(公告)号：CN116013580B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN202310012059.1
申请日：2023-01-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01B1/22 , H01L23/492 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01B13/00
Abstract: 一种用于功率半导体封装的自还原型铜烧结浆料及其制备方法和应用。本发明属于功率半导体封装铜浆料及其制备领域。本发明的目的是为了解决现有铜烧结浆料易氧化的技术问题。本发明的自还原型铜烧结浆料按质量分数由表面包覆铜氧化物的铜粉、烧结助剂、还原剂和余量有机溶剂制备而成。本发明的浆料的制备：将表面包覆铜氧化物的铜粉、烧结助剂、还原剂和有机溶剂按比例混合，然后进行二级分散研磨，再检测细度，得到浆料。本发明利用表面氧化处理的铜粉与还原剂和烧结助剂的共同作用，改善铜基浆料易氧化的问题，同时提高铜的利用率，烧结后的互连接头具有较高的力学性能。
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公开(公告)号：CN109570814A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201910031132.3
申请日：2019-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种添加微纳米颗粒的复合焊膏，本发明属于无铅复合钎料技术领域，具体涉及一种添加微纳米包覆颗粒增强的锡锑系复合焊膏及其制备方法。本发明主要解决目前高温钎料中Sn-Sb系钎料润湿性、导热性及力学性能较差，限制其应用推广的问题。该新型复合焊膏主要特点是相对于SnSb系焊膏润湿性好，力学性能优异。本发明钎料由1%~5%的Cu@Ag核壳颗粒和95%~99%的SnSb组成，是以Sn-Sb焊膏为基体，通过添加增强相Cu@Ag颗粒而实现。本发明方法：一、制备Cu@Ag核壳颗粒；二、制备助焊剂；三、将Cu@Ag核壳颗粒和Sn-Sb系焊膏通过机械混合的方式制备复合焊膏。本发明的复合焊膏细化了焊点的微观组织，极大提高了钎料的润湿性和剪切强度。本发明用于制备Sn-Sb系复合钎料，是一种符合现在电子工业发展趋势的复合钎料。
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公开(公告)号：CN110814569A
公开(公告)日：2020-02-21
申请号：CN201911105304.3
申请日：2019-11-13
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: B23K35/02 , B23K35/362
Abstract: 本发明涉及一种用于功率器件封装的多尺度Cu@Ag微纳米复合钎料及制备方法，包括Cu@Ag核壳包覆颗粒制备、各尺度Cu@Ag配比、助焊剂制备、复合钎料制备。通过液相还原法制备纳米与微米级Cu@Ag核壳包覆材料，平均粒径为50nm、5μm、20μm，依照Dinger-Funk球形颗粒堆积公式计算构成复合钎料的混合粉末中纳米包覆材料的质量分数，通过对比实验确定两种微米包覆材料的质量分数，根据计算与实验结果优选配比。本发明通过理论计算与实验相结合的办法优选出三种尺度包覆颗粒的最佳配比，相较于封装领域其它纳米材料，例如纳米银膏，在显著降低成本的同时保证了互连结构具备优异力学性能，同时实现低温连接高温服役的目的。
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公开(公告)号：CN116013890A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310012030.3
申请日：2023-01-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01B13/00
Abstract: 一种半导体封装用低温烧结铜浆料及其制备方法。本发明属于半导体封装互连领域。本发明的目的是为了解决现有铜基浆料烧结温度高和易氧化的技术问题。本发明的铜浆料由铜粉、MOD油墨、还原剂和有机溶剂制备而成。所述MOD油墨由铜源和胺制备而成。本发明利用MOD油墨与还原剂的共同作用，并通过调节浆料组分的最佳配比，使所得浆料可在低温下烧结互连，获得的互连接头具有优异的烧结强度、高导热性能和高可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114429829B
公开(公告)日：2022-11-18
申请号：CN202111481040.9
申请日：2021-12-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种功率器件封装用复合膏体及其制备方法。本发明属于功率器件封装材料领域。本发明的目的是为了解决现有银烧结膏体成本高以及抗电迁移特性较差的技术问题。本发明的一种功率器件封装用复合膏体由银铜填料和有机载体制备而成，所述银铜填料为片状银和球状铜的混合物。本发明的方法：步骤1：将银铜填料和有机载体搅拌至混合均匀，得到混合膏体；步骤2：将混合膏体进行三级分散研磨，得到功率器件封装用复合膏体。本发明通过设计银铜的形状复合来实现提升复合膏体抗电迁移性能的同时降低成本的目的，本发明制备工艺简单，所得复合膏体成本低，导热性好，电迁移失效不明显，力学性能优异，显著的提高了功率器件封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN114429829A
公开(公告)日：2022-05-03
申请号：CN202111481040.9
申请日：2021-12-06
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 一种功率器件封装用复合膏体及其制备方法。本发明属于功率器件封装材料领域。本发明的目的是为了解决现有银烧结膏体成本高以及抗电迁移特性较差的技术问题。本发明的一种功率器件封装用复合膏体由银铜填料和有机载体制备而成，所述银铜填料为片状银和球状铜的混合物。本发明的方法：步骤1：将银铜填料和有机载体搅拌至混合均匀，得到混合膏体；步骤2：将混合膏体进行三级分散研磨，得到功率器件封装用复合膏体。本发明通过设计银铜的形状复合来实现提升复合膏体抗电迁移性能的同时降低成本的目的，本发明制备工艺简单，所得复合膏体成本低，导热性好，电迁移失效不明显，力学性能优异，显著的提高了功率器件封装的可靠性。
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公开(公告)号：CN116013580A
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202310012059.1
申请日：2023-01-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01B1/22 , H01L23/492 , H01L21/60 , H01L23/488 , H01B13/00
Abstract: 一种用于功率半导体封装的自还原型铜烧结浆料及其制备方法和应用。本发明属于功率半导体封装铜浆料及其制备领域。本发明的目的是为了解决现有铜烧结浆料易氧化的技术问题。本发明的自还原型铜烧结浆料按质量分数由表面包覆铜氧化物的铜粉、烧结助剂、还原剂和余量有机溶剂制备而成。本发明的浆料的制备：将表面包覆铜氧化物的铜粉、烧结助剂、还原剂和有机溶剂按比例混合，然后进行二级分散研磨，再检测细度，得到浆料。本发明利用表面氧化处理的铜粉与还原剂和烧结助剂的共同作用，改善铜基浆料易氧化的问题，同时提高铜的利用率，烧结后的互连接头具有较高的力学性能。
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公开(公告)号：CN109664049B
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN201910031246.8
申请日：2019-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明提供了一种用于电子封装领域的多尺度微纳米颗粒复合焊膏及其制备方法、应用工艺。所述新型复合焊膏由金属粉末与助焊剂混合而成。金属粉末由粒径30~70nm、3~7μm、15~25μm的Cu@Ag颗粒，粒径40~60nm的Ni@Ag颗粒，粒径1~2μm的Ag颗粒组成；助焊剂由溶剂异丙醇，活性剂硬脂酸，成膜剂混合松香和聚乙二醇，调节剂三乙醇胺，表面活性剂辛基酚聚氧乙稀醚组成。本发明复合焊膏中Cu@Ag颗粒的存在相对于纳米银焊膏成本降低，抗电迁移性能得到提升；Ag颗粒可以保护Cu@Ag核壳结构的完整性；在高频感应工艺条件下，Ni@Ag颗粒Ni的磁性使颗粒分布更均匀，提高致密度，提升导电导热性能。本发明成本低廉，工艺简单可控，效率高，解决了目前器件粘贴材料成本高昂，服役温度低，工艺时间长等问题。
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公开(公告)号：CN109664049A
公开(公告)日：2019-04-23
申请号：CN201910031246.8
申请日：2019-01-14
Applicant: 哈尔滨理工大学
Abstract: 本发明提供了一种用于电子封装领域的多尺度微纳米颗粒复合焊膏及其制备方法、应用工艺。所述新型复合焊膏由金属粉末与助焊剂混合而成。金属粉末由粒径30~70nm、3~7μm、15~25μm的Cu@Ag颗粒，粒径40~60nm的Ni@Ag颗粒，粒径1~2μm的Ag颗粒组成；助焊剂由溶剂异丙醇，活性剂硬脂酸，成膜剂混合松香和聚乙二醇，调节剂三乙醇胺，表面活性剂辛基酚聚氧乙稀醚组成。本发明复合焊膏中Cu@Ag颗粒的存在相对于纳米银焊膏成本降低，抗电迁移性能得到提升；Ag颗粒可以保护Cu@Ag核壳结构的完整性；在高频感应工艺条件下，Ni@Ag颗粒Ni的磁性使颗粒分布更均匀，提高致密度，提升导电导热性能。本发明成本低廉，工艺简单可控，效率高，解决了目前器件粘贴材料成本高昂，服役温度低，工艺时间长等问题。
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