公开(公告)号：CN116013890A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310012030.3

申请日：2023-01-05

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 刘洋 ,  孙权 ,  李科 ,  潘振 ,  姜萌 ,  马驰远 ,  徐永哲 ,  陶源 ,  罗京

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01B1/16 ,  H01B1/22 ,  H01B13/00

Abstract: 一种半导体封装用低温烧结铜浆料及其制备方法。本发明属于半导体封装互连领域。本发明的目的是为了解决现有铜基浆料烧结温度高和易氧化的技术问题。本发明的铜浆料由铜粉、MOD油墨、还原剂和有机溶剂制备而成。所述MOD油墨由铜源和胺制备而成。本发明利用MOD油墨与还原剂的共同作用，并通过调节浆料组分的最佳配比，使所得浆料可在低温下烧结互连，获得的互连接头具有优异的烧结强度、高导热性能和高可靠性。

公开(公告)号：CN116013580A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202310012059.1

申请日：2023-01-05

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 刘洋 ,  李科 ,  肖男 ,  孙权 ,  潘振 ,  徐永哲

IPC: H01B1/22 ,  H01L23/492 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01B13/00

Abstract: 一种用于功率半导体封装的自还原型铜烧结浆料及其制备方法和应用。本发明属于功率半导体封装铜浆料及其制备领域。本发明的目的是为了解决现有铜烧结浆料易氧化的技术问题。本发明的自还原型铜烧结浆料按质量分数由表面包覆铜氧化物的铜粉、烧结助剂、还原剂和余量有机溶剂制备而成。本发明的浆料的制备：将表面包覆铜氧化物的铜粉、烧结助剂、还原剂和有机溶剂按比例混合，然后进行二级分散研磨，再检测细度，得到浆料。本发明利用表面氧化处理的铜粉与还原剂和烧结助剂的共同作用，改善铜基浆料易氧化的问题，同时提高铜的利用率，烧结后的互连接头具有较高的力学性能。

公开(公告)号：CN116013580B

公开(公告)日：2023-11-28

申请号：CN202310012059.1

申请日：2023-01-05

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 刘洋 ,  李科 ,  肖男 ,  孙权 ,  潘振 ,  徐永哲

IPC: H01B1/22 ,  H01L23/492 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01B13/00

Abstract: 一种用于功率半导体封装的自还原型铜烧结浆料及其制备方法和应用。本发明属于功率半导体封装铜浆料及其制备领域。本发明的目的是为了解决现有铜烧结浆料易氧化的技术问题。本发明的自还原型铜烧结浆料按质量分数由表面包覆铜氧化物的铜粉、烧结助剂、还原剂和余量有机溶剂制备而成。本发明的浆料的制备：将表面包覆铜氧化物的铜粉、烧结助剂、还原剂和有机溶剂按比例混合，然后进行二级分散研磨，再检测细度，得到浆料。本发明利用表面氧化处理的铜粉与还原剂和烧结助剂的共同作用，改善铜基浆料易氧化的问题，同时提高铜的利用率，烧结后的互连接头具有较高的力学性能。