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公开(公告)号:CN116013890A
公开(公告)日:2023-04-25
申请号:CN202310012030.3
申请日:2023-01-05
Applicant: 哈尔滨理工大学
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01B1/16 , H01B1/22 , H01B13/00
Abstract: 一种半导体封装用低温烧结铜浆料及其制备方法。本发明属于半导体封装互连领域。本发明的目的是为了解决现有铜基浆料烧结温度高和易氧化的技术问题。本发明的铜浆料由铜粉、MOD油墨、还原剂和有机溶剂制备而成。所述MOD油墨由铜源和胺制备而成。本发明利用MOD油墨与还原剂的共同作用,并通过调节浆料组分的最佳配比,使所得浆料可在低温下烧结互连,获得的互连接头具有优异的烧结强度、高导热性能和高可靠性。