公开(公告)号：CN107096988B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201710330929.4

申请日：2017-05-11

Applicant: 哈尔滨理工大学 ,  常州市武进区半导体照明应用技术研究院

Inventor： 殷祚炷 ,  孙凤莲 ,  樊嘉杰 ,  刘洋

IPC: B23K20/02 ,  B23K13/01 ,  B23K28/02

Abstract: 一种快速制备电子封装材料Cu3Sn金属间化合物的方法，本发明属于电子封装技术领域，它要解决现有高温功率器件中获得Cu3Sn金属间化合物的耐高温材料所需的整体加热互连工艺复杂、连接时间长、施加压力大的问题。制备方法：一、将Sn箔和Cu箔放入无水乙醇中进行超声清洗；二、在清洗后的Sn箔的两面涂抹助焊膏，将Cu箔放置在Sn箔表面，形成Cu/Sn/Cu三明治结构箔片；三、Cu/Sn/Cu结构箔片置于线圈中，在箔片的表面用重物压上，控制加热温度为240℃～530℃，钎焊时间为20s～300s，持续施加0.007MPa～0.05MPa压力进行封装。本发明能够实现小压力、耐高温的封装连接，连接时间短。

公开(公告)号：CN107096988A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201710330929.4

申请日：2017-05-11

Applicant: 哈尔滨理工大学 ,  常州市武进区半导体照明应用技术研究院

Inventor： 殷祚炷 ,  孙凤莲 ,  樊嘉杰 ,  刘洋

IPC: B23K20/02 ,  B23K13/01 ,  B23K28/02

CPC classification number: B23K20/023 ,  B23K13/01 ,  B23K28/02

Abstract: 一种快速制备电子封装材料Cu3Sn金属间化合物的方法，本发明属于电子封装技术领域，它要解决现有高温功率器件中获得Cu3Sn金属间化合物的耐高温材料所需的整体加热互连工艺复杂、连接时间长、施加压力大的问题。制备方法：一、将Sn箔和Cu箔放入无水乙醇中进行超声清洗；二、在清洗后的Sn箔的两面涂抹助焊膏，将Cu箔放置在Sn箔表面，形成Cu/Sn/Cu三明治结构箔片；三、Cu/Sn/Cu结构箔片置于线圈中，在箔片的表面用重物压上，控制加热温度为240℃～530℃，钎焊时间为20s～300s，持续施加0.007MPa～0.05MPa压力进行封装。本发明能够实现小压力、耐高温的封装连接，连接时间短。

公开(公告)号：CN108615689A

公开(公告)日：2018-10-02

申请号：CN201810471900.2

申请日：2018-05-17

Applicant: 哈尔滨理工大学

Inventor： 殷祚炷 ,  郭孟娇 ,  孙凤莲

IPC: H01L21/603 ,  H01L23/488

Abstract: 一种快速制备用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的方法，本发明属于电子封装技术领域，它要解决现有用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的加工工艺复杂、连接时间长、施加压力大的问题。制备方法：一、将Sn箔和Cu箔放入无水乙醇中进行超声清洗，取出后晾干，得到清洗后的Sn箔和Cu箔；二、在清洗后的Sn箔的两面涂抹助焊膏，然后将Cu箔放置在Sn箔表面，形成Cu/Sn/Cu三明治结构箔片；三、将Cu/Sn/Cu三明治结构箔片置于热压焊机工作台上，控制加热温度为250℃～400℃，钎焊时间为1s～9.9s，进行连接，连接过程中持续施加0.05MPa～0.7MPa焊接压力，焊接结束后空冷至210℃以下，即完成所述的用于功率器件封装的全Cu3Sn化合物接头的制备。本发明能够实现小压力、耐高温的封装连接，连接时间短。