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公开(公告)号：CN103839845B
公开(公告)日：2016-06-08
申请号：CN201410113951.X
申请日：2014-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/603 , B81C3/00
Abstract: 本发明公开了一种硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其步骤如下：一、在高真空条件下，在待连接碳化硅半导体或金属衬底表面交替沉积反应金属层和无定形硅层，形成含能调制膜；二、在含能调制膜上方的一侧放置另一个待连接碳化硅半导体或金属衬底，并均匀施加一定压力；在含能调制膜上方的另一侧施加脉冲激光照射诱导区，瞬时向含能调制膜的诱导区输入极小能量，激发含能调制膜的放热反应，而且利用含能调制膜的反应热维持其反应继续进行，最终形成高温服役低电阻硅基金属间化合物接头。本发明可以选择性快速加热待连接部位，对半导体器件的热影响小；可以在极短时间内形成接头，有助于提高生产效率。
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公开(公告)号：CN117505838A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202311522363.7
申请日：2023-11-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片及其制备方法和应用，属于电子封装微互连技术领域，具体方案为：通过化学镀法制得微米Cu@In核壳材料，并与微米In颗粒、微米Ag颗粒进行混合，最终得到微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片。将微米Ag、微米In与微米Cu@In核壳混合材料预制片置于基板上，并将芯片、预制片、基板装配成三明治结构，得到整体器件，将所述整体器件在一定压力下进行连接，得到互连器件。本发明能够较好的应用于半导体器件的制造和微电子封装、电力电子封装等领域。
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公开(公告)号：CN109545696B
公开(公告)日：2023-01-06
申请号：CN201811436197.8
申请日：2018-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用单相纳米银铜合金焊膏制备低温互连高温服役接头的方法，涉及微连接技术领域。包括如下步骤：步骤一：将纳米金属间化合物焊膏放置于基板上，完成待焊部件对准过程，并施加压力；步骤二：将以上体系放入回流炉中，经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段，完成有机物的挥发、单相纳米合金颗粒之间的均匀烧结以及与焊盘的润湿和界面反应。本发明采用了单相纳米银铜合金颗粒，纳米颗粒很大的表面活性能为其烧结过程提供了强大的驱动力，实现了远低于其块体熔点的与传统回流焊工艺兼容的低温连接，形成抗氧化能力、抗电迁移及抗电化学迁移能力强的优良接头，在成本低、与传统工艺兼容性好、生产效率高的前提下实现了低温连接高温服役。
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公开(公告)号：CN113584547A
公开(公告)日：2021-11-02
申请号：CN202110915225.X
申请日：2021-08-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种微纳米金属颗粒表面镀层的制备方法，属于表面工程领域。所述方法如下：选择并配置电镀的镀液，选择待电镀的微纳米金属颗粒，对所选择的微纳米金属颗粒去除表面氧化膜，与弱酸性的镀液混合加入到电镀槽中，在电镀槽中加入磁转子搅拌电镀液，使微纳米金属颗粒均匀分散镀液中，并且搅拌在电镀过程中不停止，打开微泵电源，使电镀液在微管中稳定循环，打开电镀电源，进行电镀，经过一定时间后电镀完成，将电镀后的镀液离心干燥，得到有良好镀层的微纳米金属颗粒。本发明可以应用于倒装芯片键合与球栅阵列封装等电子封装领域的焊球，具有电阻低、传递信号能力强、抗电迁移能力和抗蠕变能力强等优点。
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公开(公告)号：CN113447513A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110730216.3
申请日：2021-06-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N23/2273 , G01N23/2204
Abstract: X射线光电子能谱仪用长效真空转移样品台及转移方法，本发明涉及电子能谱仪转移样品台及转移方法，本发明的目的是解决现有保持真空度有效时间较短，无法实现长效真空环境，它包括炉体它包括保护罩、电池单元、样品台单元和底座，电池单元和样品台单元固定安装在底座上端面上，保护罩扣装在底座上，电池单元与样品台单元连接并对样品台单元供电。本发明用于真空样品转移领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109545696A
公开(公告)日：2019-03-29
申请号：CN201811436197.8
申请日：2018-11-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种采用单相纳米银铜合金焊膏制备低温互连高温服役接头的方法，涉及微连接技术领域。包括如下步骤：步骤一：将纳米金属间化合物焊膏放置于基板上，完成待焊部件对准过程，并施加压力；步骤二：将以上体系放入回流炉中，经历预热阶段、保温阶段、再流阶段、冷却阶段，完成有机物的挥发、单相纳米合金颗粒之间的均匀烧结以及与焊盘的润湿和界面反应。本发明采用了单相纳米银铜合金颗粒，纳米颗粒很大的表面活性能为其烧结过程提供了强大的驱动力，实现了远低于其块体熔点的与传统回流焊工艺兼容的低温连接，形成抗氧化能力、抗电迁移及抗电化学迁移能力强的优良接头，在成本低、与传统工艺兼容性好、生产效率高的前提下实现了低温连接高温服役。
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公开(公告)号：CN104741821A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201510181770.5
申请日：2015-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/26 , B23K35/363 , B23K35/14
CPC classification number: B23K35/262 , B23K35/362
Abstract: 本发明公开了一种用于电子模块高温封装微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏及其制备方法，所述微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏按质量比由铜锡微纳米颗粒80~90、分散剂2~8、助焊剂2~8、触变剂2~8制成，采用直接液相多元顺序可控还原方法顺序还原出微纳米铜、微纳米锡，同时实现微纳米铜锡颗粒的高度均匀化混合，将制备得到的混装铜锡微纳米颗粒与分散剂、助焊剂、触变剂等混合，通过混装分散工艺制成焊膏。本发明采用直接液相多元顺序可控还原方法制备微纳米铜颗粒，在含有铜颗粒的反应液中直接二次制备微纳米锡颗粒的方法制备微纳米铜颗粒填充Sn基焊膏，具有方法简单，生产效率高，工艺适用范围广，焊膏铜锡可控，与传统封装工艺匹配的优势。
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公开(公告)号：CN104588905A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201410696055.0
申请日：2014-11-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B23K35/24 , B23K35/363 , B23K35/40
CPC classification number: B23K35/3006 , B23K35/025 , B23K35/3613 , B23K35/362
Abstract: 本发明公开了一种Ag-Cu-Ti/Sn纳米颗粒焊膏及其制备方法，所述焊膏按照质量百分比由纳米颗粒固体成分80~90%、修饰剂10~20%制成，其中：修饰剂按照质量比由分散剂2~8、粘结剂2~8、稀释剂2~10、助焊剂2~10组成；纳米颗粒固体成分由A：Ag、B：Cu、C：Ti或Sn混合而成，Cu占纳米颗粒固体成分总质量的20~50%，Ti或Sn占纳米颗粒固体成分的0~20%。其制备步骤如下：步骤一、称取纳米颗粒固体成分；步骤二、依次加入修饰剂；步骤三、将上述体系在有机溶剂中均匀一致地混合，再将多于溶剂挥发出去，制成Ag-Cu-Ti/Sn纳米焊膏；步骤四、将制备得到的Ag-Cu-Ti/Sn纳米焊膏放入针管中密封保存。本发明具有任意成分配比可控、工艺简单、成本较低等优点。
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公开(公告)号：CN103839845A
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201410113951.X
申请日：2014-03-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/603 , B81C3/00
CPC classification number: H01L24/27 , B81C3/001 , H01L2224/27
Abstract: 本发明公开了一种硅/金属含能调制膜诱导反应制备高温服役低电阻接头的方法，其步骤如下：一、在高真空条件下，在待连接碳化硅半导体或金属衬底表面交替沉积反应金属层和无定形硅层，形成含能调制膜；二、在含能调制膜上方的一侧放置另一个待连接碳化硅半导体或金属衬底，并均匀施加一定压力；在含能调制膜上方的另一侧施加脉冲激光照射诱导区，瞬时向含能调制膜的诱导区输入极小能量，激发含能调制膜的放热反应，而且利用含能调制膜的反应热维持其反应继续进行，最终形成高温服役低电阻硅基金属间化合物接头。本发明可以选择性快速加热待连接部位，对半导体器件的热影响小；可以在极短时间内形成接头，有助于提高生产效率。
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公开(公告)号：CN102313690B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010219692.0
申请日：2010-07-07
Applicant: 宝山钢铁股份有限公司 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种定量测试镀锡钢板孔隙率的旋转圆盘电极法，包括如下步骤：(1)标准直线的绘制，配制不同铁离子含量的标准溶液，将标准溶液转移到安装有旋转圆盘电极的三电极体系中，转速为α，α为500～2000r/min，对标准溶液进行阴极电位线性扫描，将β电位下的电流密度值进行直线拟合，β为-0.45～-0.10V；(2)测试片的封装：将测试片固定于装有腐蚀液的广口瓶的瓶口处并密封，随后将广口瓶倒置；(3)阴极电位线性扫描：将（2）中的腐蚀液转移到安装有旋转圆盘电极的三电极体系中，确定在β电位处的电流密度值；(4)数据处理。本发法操作简单，使用成本低，可以实时、快速、精确的测试出镀锡钢板孔隙率的变化。
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