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公开(公告)号：CN110433804B
公开(公告)日：2022-01-25
申请号：CN201910750842.1
申请日：2019-08-14
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种基于静电纺丝制备掺杂氧化银的氧化锰纳米线网络的方法及其在催化分解甲醛中的应用，所述方法包括如下步骤：步骤一：将Mn(CH3COO)2溶液加入室温状态的PVA溶液中，在室温下磁力搅拌，得到静电纺丝前驱体溶液；步骤二：利用静电纺丝前驱体溶液通过注射泵推动注射器活塞，进行静电纺丝；步骤三：将纺成样品先置于高温空气中进行高温煅烧，再采用KMnO4溶液浸泡法浸泡所得的纳米线网络；步骤四：将银纳米线分散液滴在纳米线网络上，随后进行烘干，利用氧等离子体处理滴加银纳米线后的样品，进而实现氧化银纳米线的掺杂。本发明所需设备简单，连接过程安全便捷，制备周期短，实现了氧化银的掺杂，提高了催化效果。
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公开(公告)号：CN113314451A
公开(公告)日：2021-08-27
申请号：CN202110645471.8
申请日：2021-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/68 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种基于莫尔条纹的晶圆键合对准系统及方法，该系统包括：光路装置、数据处理装置和控制装置；光路装置包括光源组件、上光路组件和下光路组件；上光路组件和下光路组件均包括反光镜、透射式光栅、透镜和光电接收器；上光路组件用于和下晶圆构建上光路以获取第一莫尔条纹；下光路组件用于和上晶圆构建下光路以获取第二莫尔条纹；光电接收器用于将光信号转换为电信号；数据处理装置用于确定下晶圆的位置和上晶圆的位置；控制装置对上晶圆和下晶圆的位置进行调整以对准上晶圆和下晶圆。本发明通过莫尔条纹的放大作用来提升晶圆键合对准精度，还可分辨晶圆间的旋转错位，也不要求晶圆材料透明，可实现全材料晶圆的纳米级高精度对准。
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公开(公告)号：CN110047765B
公开(公告)日：2021-03-23
申请号：CN201910346433.5
申请日：2019-04-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明公开了一种银纳米焊膏低温无压烧结方法，上述方法按照以下步骤实现银纳米焊膏的低温无压烧结：用等离子体设备对银纳米焊膏进行氧等离子体表面活化→采用甲醛蒸汽处理装置对表面活化过的银纳米焊膏进行处理→将芯片放于银纳米焊膏之上→低温无压烧结。本发明在烧结前利用氧等离子体表面活化和甲醛蒸汽处理的两步预处理方法去除银纳米焊膏中的多余有机物，相比于不处理的焊膏可以实现低温无压烧结，能够防止芯片受损。
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公开(公告)号：CN108520854B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201810380617.9
申请日：2018-04-25
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明公开了一种利用紫外光活化键合叠加式放置的玻璃与其他材料的方法，所述方法步骤如下：对待键合材料的表面进行清洗→放置楔形片→放置玻璃晶片→活化待键合的晶片对→抽出楔形→手动施压完成键合。本发明通过利用紫外光能透过玻璃晶片对下方材料的待键合表面进行活化的方法，实施活化过程中的原位键合，既能减少污染物颗粒在表面的亲水性表面的吸附，也能在一定程度上降低人为因素的干扰，能够有效地提高玻璃与其他材料的键合质量，降低键合过程中的缺陷。
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公开(公告)号：CN107219123A
公开(公告)日：2017-09-29
申请号：CN201710420121.5
申请日：2017-06-06
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: G01N3/08
CPC classification number: G01N3/08 , G01N2203/0017 , G01N2203/0067
Abstract: 一种交叉十字键合法测量晶片键合强度的方法及夹持装置，属于键合强度测量领域。拉伸夹持棒一端与晶片存储槽外侧底面中部固接，晶片存储槽的槽侧壁的顶端设有一个直角横梁，直角横梁水平梁与晶片存储槽的槽侧壁的顶端连接为一体，直角横梁的竖直梁设置在晶片存储槽的槽口内。本发明通过对长方形晶片进行交叉十字键合，利用施加力的大小、施加力的位置、晶片的厚度、晶片的宽度以及晶片的抗拉强度之间存在确定的理论关系，寻找特定的施力位置和施力大小，根据施力大小和断裂位置计算键合强度的大小，若施加的拉力F≥σb·b2，且断裂位置为晶片或键合区域的边缘，则键合强度σ≥σb；若施加的拉力F＜σb·b2，且断裂位置为键合界面处，则键合强度σ＝F/b2。本发明用于测量晶片键合强度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107068598A
公开(公告)日：2017-08-18
申请号：CN201710309002.2
申请日：2017-05-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: H01L21/02068 , H01L21/67115
Abstract: 一种利用真空紫外光清洗及活化材料表面的装置，属于半导体制造加工领域。密封箱体的右侧壁上安装有气阀一、气阀二及气阀三，密封箱体的前侧壁上位于左侧设有样品取送窗口一，位于右侧设有样品取送窗口二，样品取送窗口一处密封安装有样品取送窗门一，样品取送窗口二处密封安装有样品取送窗门二，真空紫外灯水平设置并通过灯架安装在密闭箱体内顶部，真空紫外灯下方设置有工作台，气阀一经纯净气体流量控制器与储气瓶的出口连通，气阀二经水蒸气流量控制器与水蒸气发生装置的烧瓶连通，气阀三与密闭加热器的进气口连通，密闭加热器的出气口与真空泵连通。本发明对材料表面清洗及活化的操作流程简单易行，效果显著，并且可用于批量处理。
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公开(公告)号：CN105977172A
公开(公告)日：2016-09-28
申请号：CN201610337329.6
申请日：2016-05-21
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/60
CPC classification number: H01L24/741
Abstract: 一种辅助手动晶圆键合装置，包括长直角弯头接头、晶圆槽A、晶圆槽B、定角度合页、缓冲块A、缓冲块B、直线轴承A、直线轴承B、直线轴承C、直线光轴A、直线光轴B、直线光轴C、弹簧A、弹簧B、弹簧C、直线轴承连接件和底座，长直角弯头接头较短一端与晶圆槽A中心通孔过盈配合，晶圆槽A通过定角度合页与直线轴承C固定连接，晶圆槽B通过三根直线光轴与底座固定连接，三根弹簧分别与三根直线光轴间隙配合且位于靠近底座一端；三根直线轴承分别与三根直线光轴过盈配合且分别与三根弹簧上端固定连接，缓冲块A、缓冲块B分别与直线轴承A、直线轴承B固定连接。本发明避免了双手与晶圆片的直接接触，改善了手动晶圆键合质量。
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公开(公告)号：CN118073209A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410231575.8
申请日：2024-03-01
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 本发明涉及芯片制造技术领域，具体而言，涉及一种异质材料的真空原位键合方法及装置；该键合方法包括：将非硅基材料样品和硅基材料样品进行等离子体活化处理；等离子活化处理使用的等离子气体包括含有卤族元素的气体；将经等离子活化处理后的非硅基材料样品和硅基材料样品在含铵根离子的水溶液蒸气中处理，实现表面软化及官能团修饰；在真空条件下，将经蒸气处理后的非硅基材料样品和硅基材料样品对准贴合后进行退火处理，得到键合样品对。采用本发明的方法，可以实现非硅基材料与硅基材料的真空原位键合，能够显著提高非硅基材料样品和硅基材料样品之间的键合强度，并且避免了在界面滴加大量键合液对待连接材料表面结构的破坏和填充。
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公开(公告)号：CN113314451B
公开(公告)日：2022-08-02
申请号：CN202110645471.8
申请日：2021-06-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L21/68 , H01L23/544
Abstract: 本发明提供了一种基于莫尔条纹的晶圆键合对准系统及方法，该系统包括：光路装置、数据处理装置和控制装置；光路装置包括光源组件、上光路组件和下光路组件；上光路组件和下光路组件均包括反光镜、透射式光栅、透镜和光电接收器；上光路组件用于和下晶圆构建上光路以获取第一莫尔条纹；下光路组件用于和上晶圆构建下光路以获取第二莫尔条纹；光电接收器用于将光信号转换为电信号；数据处理装置用于确定下晶圆的位置和上晶圆的位置；控制装置对上晶圆和下晶圆的位置进行调整以对准上晶圆和下晶圆。本发明通过莫尔条纹的放大作用来提升晶圆键合对准精度，还可分辨晶圆间的旋转错位，也不要求晶圆材料透明，可实现全材料晶圆的纳米级高精度对准。
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公开(公告)号：CN111243972B
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202010113428.2
申请日：2020-02-24
IPC: H01L21/603
Abstract: 一种多步协同表面活化低温混合键合方法，属于晶圆键合及三维封装领域，该方法能够同时键合Cu‑Cu、SiO2‑SiO2以及Cu‑SiO2，所述方法具体步骤如下：一、将含有Cu电极和SiO2绝缘层图案的混合键合样品在室温下浸泡于甲酸溶液中，取出后在去离子水中进行超声清洗；二、采用等离子体对清洗后的样品进行表面活化；三、将等离子体活化后的样品对准后进行热压键合；四、对键合后样品进行保温，最终获得Cu/SiO2混合键合样品对。本发明操作便捷，成本低廉，低温200°C条件下实现了牢固的键合界面。大幅减小因热膨胀、热失配和热扩散而带来的一系列问题，避免损坏温度敏感器件，相比目前已知的其他混合键合方法具有明显优势，适用于下一代高性能芯片三维高密度异质集成。
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