一种Ni基合金/碱土金属硫酸盐/Ag复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN105925828A

    公开(公告)日:2016-09-07

    申请号:CN201610000575.2

    申请日:2016-01-04

    CPC classification number: C22C1/10 C22C1/0441

    Abstract: 本发明公开了一种Ni基合金/碱土金属硫酸盐/Ag复合材料及其制备方法,其特征在于Ni基合金/碱土金属硫酸盐/Ag复合材料按质量百分比由70wt.%~80wt.%Ni基合金相、10wt.%碱土金属硫酸盐相和10wt.%~20wt.%Ag相组成;其中所述Ni基合金为Ni‑Cr合金,Ni与Cr的质量比为4∶1;本发明工艺简单,耗时短,烧结温度低,制备得到的Ni基合金/碱土金属硫酸盐/Ag复合材料摩擦磨损性能好,600℃高温下仍具有很低的摩擦系数和磨损率。本发明采用放电等离子烧结(SPS)工艺,提高了烧结过程中的升温速率和降温速率,缩短了生产周期,提高了生产效率。

    一种低温烧结型纳米银浆及密封器件的封接方法

    公开(公告)号:CN110429065A

    公开(公告)日:2019-11-08

    申请号:CN201910540634.9

    申请日:2019-06-21

    Abstract: 本发明提供了一种低温烧结型纳米银浆及密封器件的封接方法,所述低温烧结型纳米银浆的组分包括玻璃粉、银粉和有机溶剂,所述玻璃粉的组分及其摩尔百分比为:Bi2O3 25%~50%,H3BO3 40%~60%,ZnO 10%~30%。采用本发明的技术方案,满足低温烧结的要求,绿色环保,保证了封接部位材料的本征特性、封接部位的连接强度和气密性的要求。将纳米银浆采用钢网或丝网印刷在清洁后的玻璃、陶瓷及可伐合金表面,经过排胶和低温烧结处理后能在玻璃、陶瓷及可伐合金表面形成高结合力的银膜,剪切强度可达40 MPa以上。

    一种无铅可低温烧结的导电银浆及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN110217998A

    公开(公告)日:2019-09-10

    申请号:CN201910623054.6

    申请日:2019-07-11

    Abstract: 本发明提供了一种无铅可低温烧结的导电银浆及其制备方法与应用,所述无铅可低温烧结的导电银浆包括的组分及其质量百分比为:银93-99wt.%、玻璃粉1-7wt.%和有机载体,其中所述银、玻璃粉的百分比之和为100%,所述有机载体的质量为银和玻璃粉质量之和的5~15%,其中所述玻璃粉包含的组分及其摩尔含量比为P2O5:25-50mol%,V2O5:25-45mol%,ZnO:5-50mol%。采用本发明的技术方案,实现无铅且可低温烧结,而且烧结后与氧化铝陶瓷基板的结合强度高,导电性能优异;烧结过程直接在空气气氛下即可进行,简化了工艺生产,而且易于实现连续自动化生产。

    一种氧化物陶瓷/BaxSr1-xSO4陶瓷复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101723650A

    公开(公告)日:2010-06-09

    申请号:CN200910073134.5

    申请日:2009-11-04

    Abstract: 一种氧化物陶瓷/BaxSr1-xSO4陶瓷复合材料及其制备方法,它涉及一种氧化物陶瓷复合材料及其制备方法。本发明解决了现有氧化物陶瓷材料在室温至760℃广域温度下摩擦系数大,760℃高温下磨损率大,及现有制备工艺烧结温度高的问题。本发明的陶瓷复合材料由氧化物陶瓷相和BaxSr1-xSO4相组成。本发明方法是:球磨湿混,烘干,过筛;细粉体装入石墨模具,冷压处理;放电等离子烧结即得氧化物陶瓷/BaxSr1-xSO4复合材料。本发明的陶瓷复合材料室温至760℃广域温度下摩擦系数均小于0.3,760℃高温下磨损率在10-6mm3/N·m数量级,本发明的制备工艺烧结温度低。

    一种无铅可低温烧结的导电银浆及其制备方法与应用

    公开(公告)号:CN110217998B

    公开(公告)日:2021-09-07

    申请号:CN201910623054.6

    申请日:2019-07-11

    Abstract: 本发明提供了一种无铅可低温烧结的导电银浆及其制备方法与应用,所述无铅可低温烧结的导电银浆包括的组分及其质量百分比为:银93‑99wt.%、玻璃粉1‑7wt.%和有机载体,其中所述银、玻璃粉的百分比之和为100%,所述有机载体的质量为银和玻璃粉质量之和的5~15%,其中所述玻璃粉包含的组分及其摩尔含量比为P2O5:25‑50mol%,V2O5:25‑45mol%,ZnO:5‑50mol%。采用本发明的技术方案,实现无铅且可低温烧结,而且烧结后与氧化铝陶瓷基板的结合强度高,导电性能优异;烧结过程直接在空气气氛下即可进行,简化了工艺生产,而且易于实现连续自动化生产。

    用于氮化硅基板厚膜金属化的玻璃粘结剂及其制备方法

    公开(公告)号:CN113024118A

    公开(公告)日:2021-06-25

    申请号:CN202110251259.3

    申请日:2021-03-08

    Abstract: 本发明提供了一种用于氮化硅基板厚膜金属化的玻璃粘结剂及其制备方法,该粘结剂的组分及其摩尔百分比为:铋化合物10‑55%,硼化合物15‑50%,锌化合物10‑40%。本发明的玻璃粘结剂具有软化温度低,温度稳定性好等优点,同时其可与氮化硅基板发生化学反应,提高了玻璃粘接剂在氮化硅基板上的润湿和粘接性能。利用本发明粘结剂制备的厚膜银浆,可在低温烧结条件下实现氮化硅基板表面厚膜金属化,且烧结后的银膜具有电阻率低、结合强度高、表面粗糙度小、可焊性和可靠性高等优点,提高了产品性能,降低了工艺难度。

    一种Ni基合金/陶瓷复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN105648276B

    公开(公告)日:2018-08-07

    申请号:CN201610023606.6

    申请日:2016-01-13

    Abstract: 本发明涉及复合材料,特别涉及种Ni基合金/陶瓷复合材料及其制备方法;述Ni基合金/陶瓷复合材料由Ni基合金和三元层状MAX相陶瓷组成,其中M为过渡族元素,A主要为ⅢA和ⅣA族元素,X为C或N,本发明Ni基合金/三元层状MAX相陶瓷复合材料室温下的摩擦系数在0.40‑0.50,600℃高温下的摩擦系数在0.35‑0.40,与现有Ni基高温合金的摩擦系数基本相同;Ni基合金/三元层状MAX相陶瓷复合材料在室温下和600℃高温下的磨损率均在10mm/N·m数量级,远小于现有Ni基高温合金的磨损率。

    一种氧化物陶瓷/碱土金属硫酸盐/银复合材料及其制备方法

    公开(公告)号:CN101701310A

    公开(公告)日:2010-05-05

    申请号:CN200910073135.X

    申请日:2009-11-04

    Abstract: 一种氧化物陶瓷/碱土金属硫酸盐/银复合材料及其制备方法,它涉及一种氧化物陶瓷基复合材料的制备方法。本发明解决了现有氧化物结构陶瓷材料在室温至760℃的广域温度下摩擦磨损性能差,及现有制备工艺烧结温度高的问题。本发明氧化物陶瓷/碱土金属硫酸盐/银复合材料由氧化物陶瓷相、碱土金属硫酸盐相和银相组成。本发明方法是:球磨湿混,然后烘干,过筛;过筛后细粉体装入石墨模具,冷压处理;再放电等离子烧结即得氧化物陶瓷/碱土金属硫酸盐/银复合材料。本发明氧化物陶瓷/碱土金属硫酸盐/银复合材料室温和760℃高温下的摩擦系数分别为0.05~0.2和0.18~0.25,磨损率也均低于10-6mm3/N·m数量级,本发明的方法工艺简单,烧结温度低。

    用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板

    公开(公告)号:CN213242534U

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202022825897.5

    申请日:2020-11-30

    Abstract: 本实用新型提供一种用于功率器件散热封装的AlSiC散热绝缘一体化基板,其包括AlSiC散热基板,所述AlSiC基板的表面设有氧化膜绝缘层,所述氧化膜绝缘层的表面设有导电膜,所述氧化膜绝缘层材质为AlSiC的氧化物。传统散热封装结构为金属基散热基板与绝缘陶瓷覆铜板焊接而成的多材料种类的多层结构,采用本实用新型的技术方案,减少了材料种类,也就减小了热失配,解决了传统封装结构中材料种类多和界面多的问题,减小材料热阻和界面热阻,提高整体结构散热能力,减少焊接工序,降低了生产成本,工艺流程简单,易于实现自动化生产。

    网络型智能流量积算仪
    20.
    实用新型

    公开(公告)号:CN201444061U

    公开(公告)日:2010-04-28

    申请号:CN200920030499.5

    申请日:2009-07-22

    Abstract: 一种网络型智能流量积算仪,涉及流量积算仪,流量积算仪的核心处理单片机上连接通讯处理单片机,通讯处理单片机连接Internet网络通讯电路,通讯处理单片机通过Internet网络通讯电路将数据进行打包发送到以太网上,通过以太网传输至上位机,蒸汽计量数据的统计管理不需要安排抄表人员挨家挨户去抄录流量积算仪表数据,效率高,计算量小,汇总及时,避免产生错误,适用于各种流体流量的积算。

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