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公开(公告)号：CN117817066A
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410098049.9
申请日：2024-01-23
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
Abstract: 本发明涉及焊接技术领域，具体而言，涉及一种反应烧结碳化硅的连接方法、RB‑SiC连接件；该方法包括：以硅和金属钇为原料进行熔炼，得到Si‑Y钎料铸锭；将所述Si‑Y钎料铸锭加工成Si‑Y钎料粉末，使用所述Si‑Y钎料粉末和有机粘结剂配制焊膏；将所述焊膏涂覆于反应烧结碳化硅的待连接面上形成焊膏层，得到连接预制件；将两个所述连接预制件的焊膏层贴合在一起，得到连接预制组件；在真空条件下，将所述连接预制组件升温至1300‑1350℃烧结得到反应烧结碳化硅连接件。采用本发明的方法，可以避免RB‑SiC母材力学性能的恶化，制得的RB‑SiC连接件具有较高的连接强度。
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公开(公告)号：CN114230342A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111415143.5
申请日：2021-11-25
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
IPC: C04B35/50 , C04B35/48 , C04B35/622 , H01M10/052 , H01M10/0562
Abstract: 本发明提供了一种稀土氧化物掺杂改性Ga‑LLZO固体电解质及其制备方法，涉及锂电池技术领域，所述稀土氧化物掺杂改性Ga‑LLZO固体电解质具有立方结构，且所述稀土氧化物掺杂改性Ga‑LLZO固体电解质的分子式为Li6.25+xGa0.25La3Zr2‑xMxO12，其中，M为稀土元素，且0≤x≤0.2。与现有技术比较，本发明基于固态电解质LLZO各个位点的掺杂效果，通过稀土氧化物掺杂的手段改性石榴石型Ga‑LLZO电解质以获取电导率高且质量高的LLZO固态电解质。
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公开(公告)号：CN114171799A
公开(公告)日：2022-03-11
申请号：CN202111373139.7
申请日：2021-11-19
Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
IPC: H01M10/058 , H01M10/0562 , H01M10/052 , H01M50/528 , H01M10/42
Abstract: 本发明提供一种提高锂在固态电解质表面润湿性的方法及全固态电池，所述提高锂在固态电解质表面润湿性的方法包括：对固态电解质的两侧进行打磨并抛光；将金属集流体进行打磨；对所述预处理金属集流体进行亲锂改性处理；将所述亲锂改性金属集流体覆盖于所述预处理固态电解质之上，然后将所述亲锂改性金属集流体焊接到所述预处理固态电解质上。本发明通过焊接的方式使固态电解质和金属集流体之间形成牢固的连接，由于金属集流体具有亲锂的特性，能够引导锂金属在固态电解质表面进行铺展润湿，从而能够显著降低锂金属与固态电解质之间的界面阻抗；同时，金属集流体能够提升界面兼容性，延长全固态电池的循环寿命。
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公开(公告)号：CN105314971A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510890849.5
申请日：2015-12-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/119 , C04B35/653
Abstract: 一种脉冲放电等离子体辅助熔凝处理制备氧化铝基三元共晶自生复合陶瓷的方法，涉及一种制备氧化铝基共晶自生复合陶瓷的方法。本发明是为了解决现有氧化铝基共晶自生复合陶瓷的制备方法难以制备大尺寸复杂形状共晶陶瓷、共晶陶瓷组织粗大各向异性以及生产效率低的技术问题。本发明：一、预热处理原料；二、机械合金化；三、冷压成型；四、脉冲放电等离子体辅助熔凝。本发明应用于制备大尺寸复杂形状氧化铝基三元共晶自生复合陶瓷。
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公开(公告)号：CN105272248A
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201510771262.2
申请日：2015-11-12
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种裂纹自愈合陶瓷材料的制备方法，本发明涉及一种裂纹自愈合陶瓷材料的制备方法。本发明是要解决现有TZP材料在高温下强度和韧性下降的问题，方法为：将第二相自愈合颗粒添加到基体粉体中，加无水乙醇用混料机球磨24h后烘干过筛，得到混合粉体，混合粉体采用真空热压法烧结，得到裂纹自愈合陶瓷材料。本发明原料成本低，制备工艺简单，周期短；添加的SiC、MoSi2颗粒不仅能改善复合材料的力学性能，也能愈合裂纹，氧化生成的非晶Si–O(SiO)相愈合裂纹；愈合裂纹采用的热处理工艺操作简单，方便，成本低，应用范围广，裂纹愈合后材料强度达到烧结试样强度。本发明应用于陶瓷材料领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102815927B
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201210307564.0
申请日：2012-08-27
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/10 , C04B35/622 , C23C4/10
Abstract: 一种六铝酸盐高发射率热防护涂层的制备方法，它涉及热防护涂层及其制备方法。本发明是要解决现有高发射率热防护涂层存在的抗热冲击性差，热膨胀失配及短波段内发射率低的问题。本发明制备的热防护涂层化学式LaMg1-xMxAl11O19，M为Mn、Fe、Co或Ni，0≤x≤1。制备方法：一、制备LaMg1-xMxAl11O19喂料；二、制备高温合金板材基体；三、在基体上制备NiCoCrAlYTa结合层；四、在覆层基体上制备LaMg1-xMxAl11O19六铝酸盐高发射率热防护涂层。本发明制备的热防护涂层在的法向光谱发射率在7～14μm波段内大于0.9。本发明适用于金属材料热防护涂层的生产。
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公开(公告)号：CN102659127A
公开(公告)日：2012-09-12
申请号：CN201210182798.7
申请日：2012-06-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: Y02E60/525
Abstract: 一种低温预烧制备氧基磷灰石型硅酸镧电解质粉体的方法，本发明涉及一种制备氧基磷灰石型硅酸镧电解质粉体的方法。本发明要解决现有方法制备的氧基磷灰石型硅酸镧电解质粉体在固相反应时温度高，时间长，耗能多，烧结后的产品电导率低的问题。方法：将La2O3粉体和SiO2粉体进行干燥处理，按照化学计量比放入球磨罐中，同时加入无水乙醇和氧化锆磨球湿混，混合物粉体经烘干和过筛后，在空气炉中低温预烧，然后将预烧过的粉体再次研磨和多次过筛得到最终粉体产品。本发明的优点是：合成的粉体在固相反应时温度低，保温时间短，能耗少，烧结后的产品电导率高。本发明用于制备氧基磷灰石型硅酸镧电解质粉体。
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公开(公告)号：CN101723650A
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200910073134.5
申请日：2009-11-04
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/01 , C04B35/48 , C04B35/10 , C04B35/622
Abstract: 一种氧化物陶瓷/BaxSr1-xSO4陶瓷复合材料及其制备方法，它涉及一种氧化物陶瓷复合材料及其制备方法。本发明解决了现有氧化物陶瓷材料在室温至760℃广域温度下摩擦系数大，760℃高温下磨损率大，及现有制备工艺烧结温度高的问题。本发明的陶瓷复合材料由氧化物陶瓷相和BaxSr1-xSO4相组成。本发明方法是：球磨湿混，烘干，过筛；细粉体装入石墨模具，冷压处理；放电等离子烧结即得氧化物陶瓷/BaxSr1-xSO4复合材料。本发明的陶瓷复合材料室温至760℃广域温度下摩擦系数均小于0.3，760℃高温下磨损率在10-6mm3/N·m数量级，本发明的制备工艺烧结温度低。
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公开(公告)号：CN115198157A
公开(公告)日：2022-10-18
申请号：CN202210792474.9
申请日：2022-07-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种晶粒生长诱导无压烧结超细晶Ti(C,N)基金属陶瓷致密化的方法，它涉及一种金属陶瓷致密化的方法。本发明的目的是解决无压烧结制备超细晶Ti(C,N)基金属陶瓷致密化困难和借助气压烧结增加制造成本的问题。方法：一、按重量份数称取50份～60份Ti(C,N)、10份～30份WC、5份～10份TaC、1份～5份VC、10份～20份金属黏结相、0.5份～3份炭黑和1份～4份聚乙烯醇；二、球磨混合；三、干燥制粒；四、模压成型；五、烧结。本发明制备的致密化的超细晶Ti(C,N)基金属陶瓷的致密度为96.67％～99％。本发明可获得一种超细晶Ti(C,N)基金属陶瓷。
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公开(公告)号：CN105294085B
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201510890832.X
申请日：2015-12-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/119 , C04B35/653
Abstract: 一种脉冲放电等离子体辅助熔凝处理制备氧化铝基二元共晶自生复合陶瓷的方法，涉及一种制备氧化铝基共晶自生复合陶瓷的方法。本发明是为了解决现有氧化铝基共晶自生复合陶瓷的制备方法难以制备大尺寸形状复杂共晶陶瓷、共晶陶瓷组织粗大各向异性以及生产效率低的技术问题。本发明：一、预热处理原料；二、机械合金化；三、冷压成型；四、脉冲放电等离子体辅助熔凝。本发明应用于制备氧化铝基共晶自生复合陶瓷。
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