Invention Publication
- Patent Title: 一种反应烧结碳化硅的连接方法、RB-SiC连接件
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Application No.: CN202410098049.9Application Date: 2024-01-23
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Publication No.: CN117817066APublication Date: 2024-04-05
- Inventor: 薛晓倩 , 林铁松 , 刘占国 , 付一博
- Applicant: 哈尔滨工业大学 , 哈尔滨邦定科技有限责任公司
- Applicant Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号;
- Assignee: 哈尔滨工业大学,哈尔滨邦定科技有限责任公司
- Current Assignee: 哈尔滨工业大学,哈尔滨邦定科技有限责任公司
- Current Assignee Address: 黑龙江省哈尔滨市南岗区西大直街92号;
- Agency: 北京隆源天恒知识产权代理有限公司
- Agent 闵业冰
- Main IPC: B23K1/00
- IPC: B23K1/00 ; B23K1/20 ; B23K35/24

Abstract:
本发明涉及焊接技术领域,具体而言,涉及一种反应烧结碳化硅的连接方法、RB‑SiC连接件;该方法包括:以硅和金属钇为原料进行熔炼,得到Si‑Y钎料铸锭;将所述Si‑Y钎料铸锭加工成Si‑Y钎料粉末,使用所述Si‑Y钎料粉末和有机粘结剂配制焊膏;将所述焊膏涂覆于反应烧结碳化硅的待连接面上形成焊膏层,得到连接预制件;将两个所述连接预制件的焊膏层贴合在一起,得到连接预制组件;在真空条件下,将所述连接预制组件升温至1300‑1350℃烧结得到反应烧结碳化硅连接件。采用本发明的方法,可以避免RB‑SiC母材力学性能的恶化,制得的RB‑SiC连接件具有较高的连接强度。
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