公开(公告)号：CN108122572A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710859127.2

申请日：2017-09-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 萨赫勒·普里特·辛格 ,  王俐文 ,  马尼什·阿拉

IPC: G11C8/10 ,  G11C8/08 ,  G11C7/12 ,  G11C7/18 ,  G11C8/14

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C5/025 ,  G11C5/063 ,  G11C7/18 ,  G11C7/22 ,  G11C8/08 ,  G11C8/10 ,  G11C8/14

Abstract: 本发明实施例是有关具有自行调整预充电全局数据线的电路。在某些实施例中，一种存储器装置包含存储器组、全局数据线、第一个三态单元、锁存器、第二个三态单元及预充电单元。所述第一个三态单元配置于所述存储器组与所述全局数据线之间。所述锁存器经配置以基于来自所述存储器组的数据信号而提供状态信号。所述第二个三态单元配置于所述全局数据线与所述锁存器之间。在由所述第一个三态单元致使所述全局数据线与所述存储器组电隔离且由所述第二个三态单元致使所述全局数据线与所述锁存器电隔离期间，所述预充电单元取决于所述状态信号而将所述全局数据线预充电到第一中间电平或第二中间电平。

公开(公告)号：CN103794242B

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201310334938.2

申请日：2013-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俐文 ,  林志宇 ,  陈炎辉 ,  廖宏仁

IPC: G11C8/08

CPC classification number: G11C8/08 ,  G11C7/00 ,  G11C8/00 ,  G11C11/4063 ,  G11C16/04 ,  G11C29/021 ,  G11C29/025 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/1202

Abstract: 本发明的一些方面公开了一种方法，涉及用于升压字线定时方案的字线跟踪。在该方法中，将字线电压提供至字线，字线与多个存储单元相连。提供升压使能信号。升压使能信号的状态表示字线上预定位置处的字线电压是否达到非零的预定字线电压。基于升压使能信号选择性地将字线电压升高至升压字线电压电平。

公开(公告)号：CN104464800A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310724676.0

申请日：2013-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俐文 ,  陈炎輝

IPC: G11C11/419

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C5/025 ,  G11C8/08 ,  G11C8/16 ,  G11C11/412 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明公开的一种半导体存储器包括设置在三维集成电路的第一层上的读取端口阵列和设置在三维集成电路的第二层上的位单元阵列。第二层垂直放置于第一层的上方或下方。位单元阵列的至少一个位单元通过从第一层延伸至第二层的通孔连接至读取端口阵列的至少一个读取端口单元。本发明还公开了一种三维两端口位单元。

公开(公告)号：CN103794242A

公开(公告)日：2014-05-14

申请号：CN201310334938.2

申请日：2013-08-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俐文 ,  林志宇 ,  陈炎辉 ,  廖宏仁

IPC: G11C8/08

CPC classification number: G11C8/08 ,  G11C7/00 ,  G11C8/00 ,  G11C11/4063 ,  G11C16/04 ,  G11C29/021 ,  G11C29/025 ,  G11C29/028 ,  G11C2029/1202

Abstract: 本发明的一些方面公开了一种方法，涉及用于升压字线定时方案的字线跟踪。在该方法中，将字线电压提供至字线，字线与多个存储单元相连。提供升压使能信号。升压使能信号的状态表示字线上预定位置处的字线电压是否达到非零的预定字线电压。基于升压使能信号选择性地将字线电压升高至升压字线电压电平。