公开(公告)号：CN104464800A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310724676.0

申请日：2013-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俐文 ,  陈炎輝

IPC: G11C11/419

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C5/025 ,  G11C8/08 ,  G11C8/16 ,  G11C11/412 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明公开的一种半导体存储器包括设置在三维集成电路的第一层上的读取端口阵列和设置在三维集成电路的第二层上的位单元阵列。第二层垂直放置于第一层的上方或下方。位单元阵列的至少一个位单元通过从第一层延伸至第二层的通孔连接至读取端口阵列的至少一个读取端口单元。本发明还公开了一种三维两端口位单元。

公开(公告)号：CN104464800B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201310724676.0

申请日：2013-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王俐文 ,  陈炎輝

IPC: G11C11/419

CPC classification number: G11C11/419 ,  G11C5/025 ,  G11C8/08 ,  G11C8/16 ,  G11C11/412 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/1104

Abstract: 本发明公开的一种半导体存储器包括设置在三维集成电路的第一层上的读取端口阵列和设置在三维集成电路的第二层上的位单元阵列。第二层垂直放置于第一层的上方或下方。位单元阵列的至少一个位单元通过从第一层延伸至第二层的通孔连接至读取端口阵列的至少一个读取端口单元。本发明还公开了一种三维两端口位单元。