公开(公告)号：CN110957298B

公开(公告)日：2021-10-29

申请号：CN201910909554.6

申请日：2019-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林易生 ,  刘启人 ,  陈科维 ,  陈亮光 ,  孔德明 ,  洪伟伦 ,  沈稘翔 ,  何嘉玮 ,  徐俊伟 ,  郑仰钧

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/768

Abstract: 根据本申请的实施例，提供了半导体结构及其形成方法。本公开描述了保护金属互连结构免受用于在金属互连结构上方形成其它金属结构的随后化学机械抛光工艺损坏的技术。使金属互连结构凹陷以在金属互连结构和周围介电层之间形成凹槽。在凹槽内形成金属覆盖结构。使介电层的上部变形以包括拉伸应力，该拉伸应力使介电层相对于金属覆盖结构扩展，以减小或消除金属覆盖结构与介电层之间的界面中的间隙。

公开(公告)号：CN113284843A

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN202011629512.6

申请日：2020-12-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张邦圣 ,  王朝勋 ,  赵高毅 ,  杨复凯 ,  王美匀 ,  吴历杰 ,  徐俊伟

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/535 ,  H01L23/48

Abstract: 一种形成半导体器件的方法包括：在半导体衬底上方形成第一导电部件；在第一导电部件上方形成ILD层；图案化ILD层以形成沟槽；以及在图案化的ILD层上方形成导电层以填充沟槽。该方法还包括抛光导电层以形成被配置为使第一导电部件与第二导电部件互连的通孔接触件，其中，抛光导电层暴露ILD层的顶面，抛光ILD层的暴露的顶面，使得通孔接触件的顶部部分从ILD层的暴露的顶面突出，并且在通孔接触件上方形成第二导电部件，使得通孔接触件的顶部部分延伸到第二导电部件中，根据本申请的其他实施例，还提供了半导体结构。

公开(公告)号：CN110957217A

公开(公告)日：2020-04-03

申请号：CN201910921765.1

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李佳璇 ,  徐俊伟 ,  何嘉玮 ,  沈稘翔 ,  吴历杰 ,  林建锜 ,  刘启人 ,  林易生 ,  郑仰钧 ,  陈亮光 ,  魏国修 ,  陈科维

IPC: H01L21/321 ,  C09K3/14

Abstract: 本公开描述研磨浆的形成方法及用于制造半导体装置的化学机械研磨工艺的方法。这些方法可对包含有着向下连接至半导体基底的钌接触插塞的积体接触结构的半导体装置来进行。研磨浆可透过将第一研磨剂、第二研磨剂、反应物及溶剂混合来形成。第一研磨剂可包含第一微粒，第一微粒包含二氧化钛粒子，且第二研磨剂可包含不同于第一微粒的第二微粒。研磨浆可用于从工件的表面移除钌材料及介电材料的化学机械研磨工艺，以实现用于平坦轮廓的表面的较好的裸片内装载及平坦化。