-
公开(公告)号：CN115527582A
公开(公告)日：2022-12-27
申请号：CN202210226124.6
申请日：2022-03-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 一种电阻式记忆体装置及对其进行程序化的方法，对一电阻式记忆体装置的记忆体单元进行程序化的方法包括将一电压脉冲序列施加至一记忆体单元以设定该记忆体单元的一逻辑状态。可将电压脉冲的一初始设定序列施加至该记忆体单元，随后是一改良电压脉冲，该改良电压脉冲的一振幅大于该初始设定序列的该振幅且在于一初始形成过程中使用的一电压脉冲的该振幅的±5％内。随后可施加振幅小于该改良电压脉冲的该振幅的额外电压脉冲。通过在包括多个电压脉冲的记忆体设定序列的中间或末尾施加一改良电压脉冲，一电阻式记忆体装置相对于使用习知程序化方法进行程序化的电阻式记忆体装置可具有一较大记忆体视窗及增强的数据保存。
-
公开(公告)号：CN111863820B
公开(公告)日：2024-12-13
申请号：CN202010332129.8
申请日：2020-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B53/30
Abstract: 在一些实施例中，本揭示实施例是关于一种集成晶片及形成集成晶片的方法，此集成晶片包括布置在基板上方的一或多个堆叠的层间介电层内的一或多个下部互连层。底部电极设置在一或多个互连层上方，并且顶部电极设置在底部电极上方。铁电层设置在底部电极的第一表面与顶部电极的第二表面之间并且接触此第一表面及此第二表面。铁电层包括沿着垂直于第二方向的第一方向延伸越过顶部电极及底部电极的外表面的突起，此第二方向与第一表面正交。突起被限定在沿着第一及第二表面延伸的线之间。
-
公开(公告)号：CN112054118B
公开(公告)日：2024-07-09
申请号：CN202010319847.1
申请日：2020-04-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H10B63/00
Abstract: 本申请的各个实施例针对一种电阻式随机存取存储器(RRAM)单元，RRAM单元包括阻挡层以在RRAM单元的操作期间约束金属阳离子的移动。在一些实施例中，RRAM单元还包括底部电极、顶部电极、切换层和有源金属层。切换层、阻挡层和有源金属层堆叠在底部电极和顶部电极之间，并且阻挡层位于切换层和有源金属层之间。阻挡层是导电的，并且阻挡层的晶格常数小于有源金属层的晶格常数。本发明的实施例还涉及集成芯片及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN117098400A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310813434.2
申请日：2023-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开的各种实施例针对包括阻挡层的存储器单元，该阻挡层被配置为阻挡金属从存储器单元的电极向存储器单元的铁电层的扩散。更具体地，阻挡层和铁电层位于存储器单元的顶部电极和存储器单元的底部电极之间，两者都包括金属。此外，阻挡层位于铁电层和电极之间，该电极对应于顶部电极和底部电极中的一个。在一些实施例中，顶部电极和底部电极中的一个的金属在顶部电极和底部电极的金属中具有最低电负性，因此是最具反应性的，并且可能在顶部电极的金属和底部电极的金属之间扩散。本申请的实施例还涉及集成电路芯片及其形成方法。
-
Patent Agency Ranking
-
公开(公告)号：CN115700914A
公开(公告)日：2023-02-07
申请号：CN202210144011.1
申请日：2022-02-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528 , H10B53/00 , H10B53/30
Abstract: 一些实施例涉及铁电随机存取存储器(FeRAM)器件。该FeRAM器件包括：底部电极结构和位于底部电极结构上面的顶部电极。顶部电极具有在顶部电极的最外侧壁之间测量的第一宽度。铁电结构将底部电极结构与顶部电极分隔开。铁电结构具有在铁电结构的最外侧壁之间测量的第二宽度。第二宽度大于第一宽度，使得铁电结构包括反映第一宽度和第二宽度之间的差的凸缘。介电侧壁间隔件结构设置在凸缘上，并且覆盖顶部电极的最外侧壁。本发明的实施例还涉及存储器器件及其形成方法。本发明的实施例还涉及一种集成电路。
-
公开(公告)号：CN115643764A
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN202210473679.0
申请日：2022-04-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明的各个实施例涉及存储器单元，其中界面层位于铁电层的底部上，位于底部电极和铁电层之间。界面层是与底部电极和铁电层不同的材料，并且具有与底部电极的顶面相比具有高纹理均匀性的顶面。例如，界面层可以是电介质、金属氧化物或金属，该电介质、金属氧化物或金属是：(1)非晶的；(2)单晶的；(3)具有低晶粒尺寸变化的晶体；(4)具有高百分比的共享共同取向的晶粒的晶体；(5)具有高百分比的具有小晶粒尺寸的晶粒的晶体；或(6)前述的任何组合。应该理解，这样的材料导致界面层的顶面处的高纹理均匀性。本申请的实施例还涉及集成电路(IC)芯片及其形成方法。
-
公开(公告)号：CN115346572A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202210007416.0
申请日：2022-01-05
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/22
Abstract: 一种用于唤醒铁电存储器的方法被提供。一晶片是形成有多个第一信号线、多个第二信号线、多个第三信号线、及构成一铁电存储器阵列的多个铁电存储器单元。所述铁电存储器单元中的每一者是电连接至所述第一信号线中的一者、所述第二信号线中的一者及所述第三信号线中的一者。电压信号是同时施加至所述第一信号线、所述第二信号线及所述第三信号线以在所述铁电存储器单元中引发一唤醒效应发生。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
19
records
(took 0.032 seconds)
