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公开(公告)号：CN108604774A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201780010513.2
申请日：2017-02-13
Applicant: 古河电气工业株式会社
Abstract: 半导体激光元件是具备光谐振器的游标型且波长可变型的半导体激光元件，该光谐振器由具有在波长轴上大致周期性地配置有反射峰值的反射梳光谱、且所述周期彼此不同的第一反射要件、第二反射要件构成，所述第一反射要件、第二反射要件中的至少一个具备取样光栅结构，该取样光栅结构具有各反射峰值的反射相位一致、且设定好的激光振荡波段外的反射峰值的强度小于所述激光振荡波段内的反射峰值的强度的反射梳光谱。
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公开(公告)号：CN113394655B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202110663288.0
申请日：2017-02-13
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/06 , H01S5/12 , H01S5/026 , H01S5/0625 , H01S5/343
Abstract: 半导体激光元件是具备光谐振器的游标型且波长可变型的半导体激光元件，该光谐振器由具有在波长轴上大致周期性地配置有反射峰值的反射梳光谱、且所述周期彼此不同的第一反射要件、第二反射要件构成，所述第一反射要件、第二反射要件中的至少一个具备取样光栅结构，该取样光栅结构具有各反射峰值的反射相位一致、且设定好的激光振荡波段外的反射峰值的强度小于所述激光振荡波段内的反射峰值的强度的反射梳光谱。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117461225A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202280040982.X
申请日：2022-06-13
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/02345 , H01S5/023
Abstract: 基座上芯片封装件例如具备：基座、设置在基座上且与第一方向交叉的覆盖层、具有位于与第一方向交叉的第二方向的中间部分并沿与第一方向以及第二方向交叉的第三方向输出激光的发光部的激光元件、以及对激光元件施加包含朝向第一方向的相反方向的分力成分的按压力的接合线，在覆盖层产生朝向第二方向上的中央压缩的残留应力，因残留应力而产生的绕发光部的沿第三方向的中心轴的第一力矩与因从接合线作用于激光元件的按压力而产生的绕发光部的中心轴的第二力矩相互抵消。
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公开(公告)号：CN116964883A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280020612.X
申请日：2022-01-31
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/16
Abstract: 半导体激光元件例如具有：层叠构造，在第一方向上层叠有第一导电型包覆层、活性层、第二导电型包覆层以及接触层，具有与第一方向交叉的第二方向的输出激光的端面、形成于第二方向的至少中央部的非窗区域、以及形成于非窗区域与端面之间且具有比非窗区域大的带隙的窗区域；第一电极，与第一导电型包覆层电连接；第二电极，形成于接触层上，在与第一电极之间构成经由层叠构造的电流路径；钝化层，形成于端面上，具有比窗区域大的带隙；以及电介质反射膜，覆盖钝化层的与端面相反的一侧。
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公开(公告)号：CN107431331A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：CN201680012598.3
申请日：2016-02-05
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/10
Abstract: 一种波长可变激光元件，具备：衍射光栅和包含环形谐振器滤波器的反射镜所构成的激光谐振器、增益部和相位调整部，衍射光栅生成第一梳状反射光谱，环形谐振器滤波器具备环状波导和两个臂部，并生成第二梳状反射光谱，第二梳状反射光谱具有与第一梳状反射光谱的波峰相比半峰全宽窄的波峰，且波长间隔与第一梳状反射光谱不同，使第一梳状反射光谱的一个波峰和第二梳状反射光谱的一个波峰在波长轴上重叠，谐振器模式的模式间间隔比第一梳状反射光谱的波峰的半峰全宽窄。
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公开(公告)号：CN106030939A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201580008004.7
申请日：2015-03-11
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/343
Abstract: 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。
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公开(公告)号：CN102844945A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201180019413.9
申请日：2011-09-29
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/183
CPC classification number: H01S5/18308 , G02B5/0816 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/181 , H01S5/02284 , H01S5/02288 , H01S5/0425 , H01S5/06226 , H01S5/18311 , H01S5/18358 , H01S5/18369 , H01S2304/04 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
Abstract: 一种电子元件，其具有由第1半导体层与第2半导体层的周期结构构成的半导体多层结构，其中，在所述半导体多层结构的至少一部分中，所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的导电型。所述第1半导体层与所述第2半导体层具有互不相同的折射率，所述半导体多层结构作为多层膜反射镜发挥作用。从而，提供一种降低了寄生电容的电子元件、面发光激光器、面发光激光器阵列、光源以及光模块。
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