公开(公告)号：CN106030939A

公开(公告)日：2016-10-12

申请号：CN201580008004.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 岩见正之 ,  石井宏辰 ,  岩井则广 ,  松田竹善 ,  粕川秋彦 ,  石川卓哉 ,  川北泰雅 ,  锻治荣作

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。

公开(公告)号：CN106030939B

公开(公告)日：2019-10-11

申请号：CN201580008004.7

申请日：2015-03-11

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 岩见正之 ,  石井宏辰 ,  岩井则广 ,  松田竹善 ,  粕川秋彦 ,  石川卓哉 ,  川北泰雅 ,  锻治荣作

IPC: H01S5/343

Abstract: 一种具备由以As为主成分的III‑V族半导体晶体形成的阱层和势垒层的半导体激光器元件，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的V族位，以浓度0.02～5％导入所述As以外的V族元素，在所述阱层以及所述势垒层中的至少一个层的III‑V族半导体晶体的III族位中包含Al。由此，提供一种抑制半导体晶体的块体内的缺陷的产生且特性变动少的半导体激光器元件。

公开(公告)号：CN1256795A

公开(公告)日：2000-06-14

申请号：CN99800135.X

申请日：1999-02-15

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 石川卓哉 ,  荒川智志 ,  向原智一 ,  柏川秋彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01L33/305 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38

Abstract: 半导体发光二极管(10)被形成在n型GaAs基片上并包含:AlGaInP基双异质结结构,其中激活层(16)被夹在镀层(14,18)之间;上P型接触层20;环形上电极(22)有孔(28),光是通过上p型接触层(20)和上电极(22)的孔(28)发射。上p型接触层(20)是由含有0.5或更高Al含量的AlGaAs或AlGaAsP构成的半导体层,并且在5×1018cm－3或更高载流子浓度掺杂杂质。该半导体发光二极管以要求的发射图形和较高强度发射光并能以相对简单工艺制造。