公开(公告)号：CN1256795A

公开(公告)日：2000-06-14

申请号：CN99800135.X

申请日：1999-02-15

Applicant: 古河电气工业株式会社

Inventor： 石川卓哉 ,  荒川智志 ,  向原智一 ,  柏川秋彦

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/14 ,  H01L33/30 ,  H01L33/305 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38

Abstract: 半导体发光二极管(10)被形成在n型GaAs基片上并包含:AlGaInP基双异质结结构,其中激活层(16)被夹在镀层(14,18)之间;上P型接触层20;环形上电极(22)有孔(28),光是通过上p型接触层(20)和上电极(22)的孔(28)发射。上p型接触层(20)是由含有0.5或更高Al含量的AlGaAs或AlGaAsP构成的半导体层,并且在5×1018cm－3或更高载流子浓度掺杂杂质。该半导体发光二极管以要求的发射图形和较高强度发射光并能以相对简单工艺制造。