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公开(公告)号：CN116964883A
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202280020612.X
申请日：2022-01-31
Applicant: 古河电气工业株式会社
IPC: H01S5/16
Abstract: 半导体激光元件例如具有：层叠构造，在第一方向上层叠有第一导电型包覆层、活性层、第二导电型包覆层以及接触层，具有与第一方向交叉的第二方向的输出激光的端面、形成于第二方向的至少中央部的非窗区域、以及形成于非窗区域与端面之间且具有比非窗区域大的带隙的窗区域；第一电极，与第一导电型包覆层电连接；第二电极，形成于接触层上，在与第一电极之间构成经由层叠构造的电流路径；钝化层，形成于端面上，具有比窗区域大的带隙；以及电介质反射膜，覆盖钝化层的与端面相反的一侧。
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