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公开(公告)号：CN108198937A
公开(公告)日：2018-06-22
申请号：CN201711461783.3
申请日：2017-12-28
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L51/00
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件构筑方法，包括如下步骤：1)构建MCBJ组件，其包括两个石墨烯电极以及液池，所述的两个石墨烯电极位于液池内；2)吸取富勒烯分子溶液加入液池中，使石墨烯电极浸没于该分子溶液中；3)在电极两端施加一定偏压，启动顶杆驱动芯片弯曲，生成石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件。本发明方法可成功构建石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件。
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公开(公告)号：CN107817384A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201711017869.7
申请日：2017-10-26
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明提供了一种隔振构型的单分子电学测量装置的设计方法，其包括以下步骤：1)在计算机中设计几何模型；2)对几何模型填充材料；3)对于几何模型进行网格划分；4)设置物理场、边界条件、参数；5)选择求解器进行计算；6)进行实际实验验证计算机模拟结果的正确性。本发明提供了一种隔振构型的单分子电学测量装置的设计方法，降低了设计的复杂度，同时也极大缩短了设计周期，并且适用于所有小尺寸、高性能要求的悬挂隔振系统设计，特别适用于单分子电学测量装置的隔振系统设计。
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公开(公告)号：CN118173436A
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202410276314.8
申请日：2024-03-12
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/027 , G03F7/20 , C23C14/35 , C23C14/18 , C23C16/40
Abstract: 本发明提供了一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片及制备方法，通过使用光刻胶和干法刻蚀工艺，实现了高精度的硅通孔制备。通过在沟道表面进行化学气相沉积，形成二氧化硅绝缘层，为后续的电子电镀提供保护。磁控溅射沉积钛和铜，形成阻挡层和种子层，有助于维持导电性，实现后续的电镀工艺。通过使用阳极键合技术，将制备好的硅通孔样品与玻璃盖板结合，形成键合样品。利用多步切割的方法，将键合样品切割成两块大小相同的芯片。然后，再次进行磁控溅射，实现阻挡层和种子层的再沉积，确保内外导电层的互连性。最终获得的产品是高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片。
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公开(公告)号：CN116165401A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310145918.4
申请日：2023-02-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种适用于STM－BJ的低漏电流针尖及其制备方法，包括：制备未包封的金针尖；将所述未包封的金针尖浸没于含巯基硅烷的乙醇溶液中，充分浸泡后得到表面吸附有巯基硅烷的金针尖；将所述表面吸附有巯基硅烷的金针尖通过去离子水冲洗，再将所述表面吸附有巯基硅烷的金针尖浸没于盐酸水溶液中，充分反应后得到包覆有羟基分子膜的金针尖；将所述包覆有羟基分子膜的金针尖的一部分隔离，暴露待包封区域，放入原子层沉积系统；向所述原子层沉积系统中通入含氧源和含铪源，在所述包覆有羟基分子膜的金针尖的待包封区域沉积二氧化铪，得到低漏电流针尖。
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公开(公告)号：CN108087967A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201711273667.9
申请日：2017-12-06
Applicant: 厦门大学
CPC classification number: F24F1/0007 , F24F1/0057 , F24F13/08 , F24F13/24 , F24F2013/247
Abstract: 本发明属于室内空气处理技术领域，公开了一种用于无噪音实验室的空调系统及其处理空气的方法，其结构包括进风口、围绕实验设备下部水平设置的第一板状结构，第一板状结构上设置多个空气通孔，进风口设置在第一板状结构的下部，第一板状结构将实验室内自下而上分成下部空间结构和上部空间结构；进风口处连接有风处理装置，风处理装置包括装置本体，装置本体上设置多个孔状结构，本发明能够使进入到室内的冷风以层流的状态流动，避免因进入到室内的风速大而形成较大的冲击振动，从而影响实验室内的工作环境。
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公开(公告)号：CN116555848A
公开(公告)日：2023-08-08
申请号：CN202310655774.7
申请日：2023-06-05
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及半导体电子电镀技术领域，特别涉及一种用于硅通孔铜填充的酸性镀铜液添加剂、酸性镀铜液及硅通孔的铜金属填充方法。所述添加剂由运载剂、光亮剂和整平剂组成；所述运载剂、光亮剂和整平剂以(100～5000):(1～100):(5～200)的质量比组成。本发明提供的酸性镀铜液以水为溶剂，以甲基磺酸铜或五水硫酸铜为主盐，采用恒定阶梯电流密度进行电镀铜填充。本发明在适用条件范围内，能够实现孔径在2～10μm范围内，孔深在16～300μm范围内，深径比大于8:1的硅通孔致密完全填充，填充层无孔洞及缝隙，满足3D封装领域的应用需求。
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公开(公告)号：CN116193869A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310146637.0
申请日：2023-02-21
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及基于片上纳米颗粒结构的自组装单分子层集成芯片，包括硅基底、二氧化硅绝缘层、有机玻璃层、底电极、分子层、纳米粒子、顶电极；所述硅基底表面生长有二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层上铺设有所述有机玻璃层；所述底电极设置于所述有机玻璃层内且与所述二氧化硅绝缘层接触；所述分子层设置于所述底电极和所述有机玻璃层之间；所述纳米粒子的下部分穿过所述有机玻璃层后与所述分子层接触，所述纳米粒子的上部分暴露于所述有机玻璃层外；所述顶电极设置于所述有机玻璃层的上表面且与所述纳米粒子的上部分接触。
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公开(公告)号：CN116081612A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202310146634.7
申请日：2023-02-21
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B32/194 , B82Y40/00 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种通过反馈控制电击穿制备石墨烯亚纳米级间隙的方法，包括以下步骤：对所述单层石墨烯纳米带的两端施加电压，进行多次击穿所述单层石墨烯纳米带的对尖位置，并在对尖位置逐步构建纳米级间隙，每次击穿均包含多次步长升压，根据电压变化和所述单层石墨烯纳米带的电流变化反馈，调节下一次升压的升压步长，以及调节电流源表的检测档位，当所述单层石墨烯纳米带的电阻达到预设电阻时，终止对所述单层石墨烯纳米带的两端施加电压，构建得到石墨烯亚纳米级间隙。
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公开(公告)号：CN116022729A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211674476.4
申请日：2022-12-26
Applicant: 厦门大学 , 厦门胜泽泰医药科技有限公司
Abstract: 本发明涉及一种玻璃基微流控芯片及其制备方法，包括以下步骤：制得裸露光刻图形的玻璃基底，所述光刻图形包含溶液流入通道、反应通道、溶液流出通道，所述反应通道设置有围堰结构；对所述裸露光刻图形的玻璃基底除反应通道以外的图形，根据不同的刻蚀通道深度分别进行保护，得到分步保护的玻璃基底；使湿法刻蚀液在所述分步保护的玻璃基底的表面恒速流动，根据刻蚀通道目标深度，在相应的时间分别去除所述分步保护的玻璃基底的保护，使各个通道分别在恒速流动的湿法刻蚀液中暴露相应的时间，制得具有不同深宽比微通道的芯片底板；制备芯片盖板，将所述芯片底板和所述芯片盖板键合，制得玻璃基微流控芯片。
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