公开(公告)号：CN116081612B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202310146634.7

申请日：2023-02-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 苑子恒 ,  张灿坤 ,  刘俊扬 ,  洪文晶 ,  苏美玲

IPC: C01B32/194 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种通过反馈控制电击穿制备石墨烯亚纳米级间隙的方法，包括以下步骤：对所述单层石墨烯纳米带的两端施加电压，进行多次击穿所述单层石墨烯纳米带的对尖位置，并在对尖位置逐步构建纳米级间隙，每次击穿均包含多次步长升压，根据电压变化和所述单层石墨烯纳米带的电流变化反馈，调节下一次升压的升压步长，以及调节电流源表的检测档位，当所述单层石墨烯纳米带的电阻达到预设电阻时，终止对所述单层石墨烯纳米带的两端施加电压，构建得到石墨烯亚纳米级间隙。

公开(公告)号：CN116081612A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310146634.7

申请日：2023-02-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 苑子恒 ,  张灿坤 ,  刘俊扬 ,  洪文晶 ,  苏美玲

IPC: C01B32/194 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种通过反馈控制电击穿制备石墨烯亚纳米级间隙的方法，包括以下步骤：对所述单层石墨烯纳米带的两端施加电压，进行多次击穿所述单层石墨烯纳米带的对尖位置，并在对尖位置逐步构建纳米级间隙，每次击穿均包含多次步长升压，根据电压变化和所述单层石墨烯纳米带的电流变化反馈，调节下一次升压的升压步长，以及调节电流源表的检测档位，当所述单层石墨烯纳米带的电阻达到预设电阻时，终止对所述单层石墨烯纳米带的两端施加电压，构建得到石墨烯亚纳米级间隙。