公开(公告)号：CN116081612B

公开(公告)日：2024-06-04

申请号：CN202310146634.7

申请日：2023-02-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 苑子恒 ,  张灿坤 ,  刘俊扬 ,  洪文晶 ,  苏美玲

IPC: C01B32/194 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种通过反馈控制电击穿制备石墨烯亚纳米级间隙的方法，包括以下步骤：对所述单层石墨烯纳米带的两端施加电压，进行多次击穿所述单层石墨烯纳米带的对尖位置，并在对尖位置逐步构建纳米级间隙，每次击穿均包含多次步长升压，根据电压变化和所述单层石墨烯纳米带的电流变化反馈，调节下一次升压的升压步长，以及调节电流源表的检测档位，当所述单层石墨烯纳米带的电阻达到预设电阻时，终止对所述单层石墨烯纳米带的两端施加电压，构建得到石墨烯亚纳米级间隙。

公开(公告)号：CN116081612A

公开(公告)日：2023-05-09

申请号：CN202310146634.7

申请日：2023-02-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 苑子恒 ,  张灿坤 ,  刘俊扬 ,  洪文晶 ,  苏美玲

IPC: C01B32/194 ,  B82Y40/00 ,  G03F7/20

Abstract: 本发明涉及一种通过反馈控制电击穿制备石墨烯亚纳米级间隙的方法，包括以下步骤：对所述单层石墨烯纳米带的两端施加电压，进行多次击穿所述单层石墨烯纳米带的对尖位置，并在对尖位置逐步构建纳米级间隙，每次击穿均包含多次步长升压，根据电压变化和所述单层石墨烯纳米带的电流变化反馈，调节下一次升压的升压步长，以及调节电流源表的检测档位，当所述单层石墨烯纳米带的电阻达到预设电阻时，终止对所述单层石墨烯纳米带的两端施加电压，构建得到石墨烯亚纳米级间隙。

公开(公告)号：CN116165401A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202310145918.4

申请日：2023-02-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄瑞芸 ,  苏美玲 ,  刘俊扬 ,  洪文晶 ,  路泰歌

IPC: G01Q60/16 ,  H01J37/28 ,  H01J37/26 ,  H01J37/04 ,  H01J9/02

Abstract: 本发明涉及一种适用于STM－BJ的低漏电流针尖及其制备方法，包括：制备未包封的金针尖；将所述未包封的金针尖浸没于含巯基硅烷的乙醇溶液中，充分浸泡后得到表面吸附有巯基硅烷的金针尖；将所述表面吸附有巯基硅烷的金针尖通过去离子水冲洗，再将所述表面吸附有巯基硅烷的金针尖浸没于盐酸水溶液中，充分反应后得到包覆有羟基分子膜的金针尖；将所述包覆有羟基分子膜的金针尖的一部分隔离，暴露待包封区域，放入原子层沉积系统；向所述原子层沉积系统中通入含氧源和含铪源，在所述包覆有羟基分子膜的金针尖的待包封区域沉积二氧化铪，得到低漏电流针尖。