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公开(公告)号：CN107808047A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：CN201711011226.1
申请日：2017-10-25
Abstract: 本发明提供了一种隔振构型的单分子电学测量装置的设计方法，其包括以下步骤：1)在计算机中设计几何模型；2)对几何模型填充材料；3)对于几何模型进行网格划分；4)设置物理场、边界条件、参数；5)选择求解器进行计算；6)进行实际实验验证计算机模拟结果的正确性。本发明提供了一种隔振构型的单分子电学测量装置的设计方法，降低了设计的复杂度，同时也极大缩短了设计周期，并且适用于所有小尺寸、高性能要求的悬挂隔振系统设计，特别适用于单分子电学测量装置的隔振系统设计。
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公开(公告)号：CN107808047B
公开(公告)日：2020-10-09
申请号：CN201711011226.1
申请日：2017-10-25
Abstract: 本发明提供了一种隔振构型的单分子电学测量装置的设计方法，其包括以下步骤：1)在计算机中设计几何模型；2)对几何模型填充材料；3)对于几何模型进行网格划分；4)设置物理场、边界条件、参数；5)选择求解器进行计算；6)进行实际实验验证计算机模拟结果的正确性。本发明提供了一种隔振构型的单分子电学测量装置的设计方法，降低了设计的复杂度，同时也极大缩短了设计周期，并且适用于所有小尺寸、高性能要求的悬挂隔振系统设计，特别适用于单分子电学测量装置的隔振系统设计。
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公开(公告)号：CN107179343B
公开(公告)日：2019-07-23
申请号：CN201710461800.7
申请日：2017-06-19
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/30
Abstract: 一种用于机械可控裂结技术的石墨烯电极芯片，涉及石墨烯电极芯片。包括不锈钢片、石墨烯金属丝和环氧树脂；所述不锈钢片用于制备石墨烯芯片的基底，所述石墨烯金属丝安装在不锈钢片的悬空上方并通过环氧树脂进行固定。1)不锈钢基底的制备；2)环氧树脂的制备；3)环氧树脂的涂抹；4)一侧石墨烯电极的构造；5)环氧树脂的固化；6)另一侧石墨烯电极的构造；7)环氧树脂的滴涂；8)环氧树脂的固化。采用价格相对便宜的石墨烯金属丝和简单的不锈钢片结构制作了一种适用于MCBJ的新型石墨烯芯片，成功克服了金属电极的一些缺点，具有成本低廉、操作简便且分子结稳定性高等优点。可在普通化学实验室进行，具有良好的普适性。
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公开(公告)号：CN107179343A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710461800.7
申请日：2017-06-19
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/30
CPC classification number: G01N27/308
Abstract: 一种用于机械可控裂结技术的石墨烯电极芯片，涉及石墨烯电极芯片。包括不锈钢片、石墨烯金属丝和环氧树脂；所述不锈钢片用于制备石墨烯芯片的基底，所述石墨烯金属丝安装在不锈钢片的悬空上方并通过环氧树脂进行固定。1)不锈钢基底的制备；2)环氧树脂的制备；3)环氧树脂的涂抹；4)一侧石墨烯电极的构造；5)环氧树脂的固化；6)另一侧石墨烯电极的构造；7)环氧树脂的滴涂；8)环氧树脂的固化。采用价格相对便宜的石墨烯金属丝和简单的不锈钢片结构制作了一种适用于MCBJ的新型石墨烯芯片，成功克服了金属电极的一些缺点，具有成本低廉、操作简便且分子结稳定性高等优点。可在普通化学实验室进行，具有良好的普适性。
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公开(公告)号：CN116081612B
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202310146634.7
申请日：2023-02-21
Applicant: 厦门大学
IPC: C01B32/194 , B82Y40/00 , G03F7/20
Abstract: 本发明涉及一种通过反馈控制电击穿制备石墨烯亚纳米级间隙的方法，包括以下步骤：对所述单层石墨烯纳米带的两端施加电压，进行多次击穿所述单层石墨烯纳米带的对尖位置，并在对尖位置逐步构建纳米级间隙，每次击穿均包含多次步长升压，根据电压变化和所述单层石墨烯纳米带的电流变化反馈，调节下一次升压的升压步长，以及调节电流源表的检测档位，当所述单层石墨烯纳米带的电阻达到预设电阻时，终止对所述单层石墨烯纳米带的两端施加电压，构建得到石墨烯亚纳米级间隙。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116143064A
公开(公告)日：2023-05-23
申请号：CN202310171717.1
申请日：2023-02-27
Applicant: 厦门大学
Abstract: 本发明涉及一种集成化的片上裂结系统及其测量方法，包括：固定电极，所述固定电极包含连接部，以及连接于所述连接部的第一梳齿部；移动电极，所述移动电极包含第二梳齿部和第一针尖，所述第二梳齿部穿插设置于所述第一梳齿部且所述第一梳齿部与所述第二梳齿部间隙设置，所述第一针尖跟随所述第二梳齿部一同移动；检测电极，包含第二针尖，所述第一针尖和所述第二针尖间隙设置，且所述第一针尖跟随所述第二梳齿部移动后可接触所述第二针尖。本申请结合了动态裂结构建技术和静态裂结构建技术，借助MEMS中的执行技术，来替换动态裂结技术中的压电陶瓷和运动电机，从而实现在集成芯片上进行分子电学性质的测量。
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公开(公告)号：CN107179347A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201710455809.7
申请日：2017-06-16
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/48
Abstract: 一种基于单分子电学检测的反应动力学测量方法，涉及化学反应动力学测量方法。将分子固体与溶剂混合，得分子溶液；芯片置于显微镜下，用刀片对准金属线，先横切、再用刀尖在金属线切口得到芯片，安装芯片、反应液池、O圈和密封盖；开启电机，通过电机的上顶将力传递至切口处，断裂形成纳米间隔；当金属原子点接触断开，形成电极后，进行原位测试、记录数据、数据分析；在通过对电导‑距离曲线中台阶出现和末端之间的距离进行统计，得柱状统计图，电导‑距离曲线为分子结的电学测量提供另一维度的信息，在分子结随电极对拉伸闭合的BJ过程中，能观察到电导的变化，还得知电极对打开间隔的大小，最终推知分子结电导随距离变化的演变信息。
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公开(公告)号：CN115394710B
公开(公告)日：2025-01-24
申请号：CN202211217937.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比硅通孔的电子电镀芯片及制备方法，方法包含以下步骤：S1，在硅基底的表面涂覆光刻胶，通过光刻曝光后显影暴露孔位；S2，在硅基底暴露孔位的部分覆盖钝化层；S3，刻蚀所述钝化层的底面，暴露所述孔位的底面对应的硅基底；S4，对暴露所述孔位的底面对应的硅基底进行刻蚀；S5，循环多次步骤S2－S4，得到目标深度的硅通孔，清洗和灰化处理硅通孔残留的光刻胶和钝化物；S6，通过ALD沉积法在所述硅通孔的内壁沉积绝缘层、阻挡层、种子层，得到高深宽比的硅通孔。通过三脉冲工艺，循环进行钝化－刻蚀－刻蚀，解决修改工艺时刻蚀与钝化的平衡问题，并保证工艺的稳定性。最终选用ALD进行侧壁沉积工艺才能保证孔内侧壁具有足够的覆盖能力。
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公开(公告)号：CN116124838A
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN202310107993.1
申请日：2023-03-27
Applicant: 厦门大学
IPC: G01N27/00 , G01N21/65 , C23C16/04 , C23C16/40 , C23C14/04 , C23C14/18 , C23C14/35 , C23C14/58 , C23C28/04
Abstract: 本发明涉及一种WTe2电极单分子测试芯片及其制备方法，包括以下步骤：对所述电极图案进行磁控溅射镀金属钨，使金属钨覆盖所述电极图案形成金属钨薄膜，洗去光刻胶，得到与所述电极图案相对应的金属钨电极；将所述金属钨电极进行高温热氧化生成电极图案化的氧化钨，加入碲粉，在载气和还原气体的作用下对所述电极图案化的氧化钨进行高温碲化生成电极图案化的1T'‑WTe2；中间位置进行切削形成对尖结构，得到1T'‑WTe2电极；使所述对尖结构悬空，得到电极图案化的1T'‑WTe2电极单分子芯片。
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公开(公告)号：CN115394710A
公开(公告)日：2022-11-25
申请号：CN202211217937.5
申请日：2022-09-30
Applicant: 厦门大学
IPC: H01L21/768 , H01L23/48 , H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种高深宽比硅通孔的电子电镀芯片及制备方法，方法包含以下步骤：S1，在硅基底的表面涂覆光刻胶，通过光刻曝光后显影暴露孔位；S2，在硅基底暴露孔位的部分覆盖钝化层；S3，刻蚀所述钝化层的底面，暴露所述孔位的底面对应的硅基底；S4，对暴露所述孔位的底面对应的硅基底进行刻蚀；S5，循环多次步骤S2－S4，得到目标深度的硅通孔，清洗和灰化处理硅通孔残留的光刻胶和钝化物；S6，通过ALD沉积法在所述硅通孔的内壁沉积绝缘层、阻挡层、种子层，得到高深宽比的硅通孔。通过三脉冲工艺，循环进行钝化－刻蚀－刻蚀，解决修改工艺时刻蚀与钝化的平衡问题，并保证工艺的稳定性。最终选用ALD进行侧壁沉积工艺才能保证孔内侧壁具有足够的覆盖能力。
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