公开(公告)号：CN116124838A

公开(公告)日：2023-05-16

申请号：CN202310107993.1

申请日：2023-03-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 洪文晶 ,  林荣健 ,  刘俊扬 ,  卢至行 ,  郑珏婷

IPC: G01N27/00 ,  G01N21/65 ,  C23C16/04 ,  C23C16/40 ,  C23C14/04 ,  C23C14/18 ,  C23C14/35 ,  C23C14/58 ,  C23C28/04

Abstract: 本发明涉及一种WTe2电极单分子测试芯片及其制备方法，包括以下步骤：对所述电极图案进行磁控溅射镀金属钨，使金属钨覆盖所述电极图案形成金属钨薄膜，洗去光刻胶，得到与所述电极图案相对应的金属钨电极；将所述金属钨电极进行高温热氧化生成电极图案化的氧化钨，加入碲粉，在载气和还原气体的作用下对所述电极图案化的氧化钨进行高温碲化生成电极图案化的1T'‑WTe2；中间位置进行切削形成对尖结构，得到1T'‑WTe2电极；使所述对尖结构悬空，得到电极图案化的1T'‑WTe2电极单分子芯片。