公开(公告)号：CN116193869A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202310146637.0

申请日：2023-02-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘俊扬 ,  刘文清 ,  赵艺 ,  赵骄阳 ,  洪文晶

IPC: H10K10/00 ,  H10K10/88 ,  H10K10/82 ,  H10K71/60

Abstract: 本发明涉及基于片上纳米颗粒结构的自组装单分子层集成芯片，包括硅基底、二氧化硅绝缘层、有机玻璃层、底电极、分子层、纳米粒子、顶电极；所述硅基底表面生长有二氧化硅绝缘层，所述二氧化硅绝缘层上铺设有所述有机玻璃层；所述底电极设置于所述有机玻璃层内且与所述二氧化硅绝缘层接触；所述分子层设置于所述底电极和所述有机玻璃层之间；所述纳米粒子的下部分穿过所述有机玻璃层后与所述分子层接触，所述纳米粒子的上部分暴露于所述有机玻璃层外；所述顶电极设置于所述有机玻璃层的上表面且与所述纳米粒子的上部分接触。

公开(公告)号：CN116143064A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202310171717.1

申请日：2023-02-27

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘俊扬 ,  韩天阳 ,  赵艺 ,  刘文清 ,  洪文晶

IPC: B81B7/02 ,  G01N27/06 ,  B81B3/00 ,  B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 本发明涉及一种集成化的片上裂结系统及其测量方法，包括：固定电极，所述固定电极包含连接部，以及连接于所述连接部的第一梳齿部；移动电极，所述移动电极包含第二梳齿部和第一针尖，所述第二梳齿部穿插设置于所述第一梳齿部且所述第一梳齿部与所述第二梳齿部间隙设置，所述第一针尖跟随所述第二梳齿部一同移动；检测电极，包含第二针尖，所述第一针尖和所述第二针尖间隙设置，且所述第一针尖跟随所述第二梳齿部移动后可接触所述第二针尖。本申请结合了动态裂结构建技术和静态裂结构建技术，借助MEMS中的执行技术，来替换动态裂结技术中的压电陶瓷和运动电机，从而实现在集成芯片上进行分子电学性质的测量。

公开(公告)号：CN115394710B

公开(公告)日：2025-01-24

申请号：CN202211217937.5

申请日：2022-09-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘俊扬 ,  赵骄阳 ,  刘文清 ,  赵艺 ,  洪文晶

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种高深宽比硅通孔的电子电镀芯片及制备方法，方法包含以下步骤：S1，在硅基底的表面涂覆光刻胶，通过光刻曝光后显影暴露孔位；S2，在硅基底暴露孔位的部分覆盖钝化层；S3，刻蚀所述钝化层的底面，暴露所述孔位的底面对应的硅基底；S4，对暴露所述孔位的底面对应的硅基底进行刻蚀；S5，循环多次步骤S2－S4，得到目标深度的硅通孔，清洗和灰化处理硅通孔残留的光刻胶和钝化物；S6，通过ALD沉积法在所述硅通孔的内壁沉积绝缘层、阻挡层、种子层，得到高深宽比的硅通孔。通过三脉冲工艺，循环进行钝化－刻蚀－刻蚀，解决修改工艺时刻蚀与钝化的平衡问题，并保证工艺的稳定性。最终选用ALD进行侧壁沉积工艺才能保证孔内侧壁具有足够的覆盖能力。

公开(公告)号：CN115394710A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202211217937.5

申请日：2022-09-30

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘俊扬 ,  赵骄阳 ,  刘文清 ,  赵艺 ,  洪文晶

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48 ,  H01L21/02

Abstract: 本发明涉及一种高深宽比硅通孔的电子电镀芯片及制备方法，方法包含以下步骤：S1，在硅基底的表面涂覆光刻胶，通过光刻曝光后显影暴露孔位；S2，在硅基底暴露孔位的部分覆盖钝化层；S3，刻蚀所述钝化层的底面，暴露所述孔位的底面对应的硅基底；S4，对暴露所述孔位的底面对应的硅基底进行刻蚀；S5，循环多次步骤S2－S4，得到目标深度的硅通孔，清洗和灰化处理硅通孔残留的光刻胶和钝化物；S6，通过ALD沉积法在所述硅通孔的内壁沉积绝缘层、阻挡层、种子层，得到高深宽比的硅通孔。通过三脉冲工艺，循环进行钝化－刻蚀－刻蚀，解决修改工艺时刻蚀与钝化的平衡问题，并保证工艺的稳定性。最终选用ALD进行侧壁沉积工艺才能保证孔内侧壁具有足够的覆盖能力。

公开(公告)号：CN118173436A

公开(公告)日：2024-06-11

申请号：CN202410276314.8

申请日：2024-03-12

Applicant: 厦门大学

Inventor： 刘俊扬 ,  赵鑫 ,  杨家强 ,  赵骄阳 ,  洪文晶 ,  赵艺 ,  甘津瑜

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20 ,  C23C14/35 ,  C23C14/18 ,  C23C16/40

Abstract: 本发明提供了一种高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片及制备方法，通过使用光刻胶和干法刻蚀工艺，实现了高精度的硅通孔制备。通过在沟道表面进行化学气相沉积，形成二氧化硅绝缘层，为后续的电子电镀提供保护。磁控溅射沉积钛和铜，形成阻挡层和种子层，有助于维持导电性，实现后续的电镀工艺。通过使用阳极键合技术，将制备好的硅通孔样品与玻璃盖板结合，形成键合样品。利用多步切割的方法，将键合样品切割成两块大小相同的芯片。然后，再次进行磁控溅射，实现阻挡层和种子层的再沉积，确保内外导电层的互连性。最终获得的产品是高深宽比硅通孔电子电镀原位表征芯片。