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发明公开
一种适用于STM-BJ的低漏电流针尖及其制备方法审中-实审

公开(公告)号：CN116165401A

公开(公告)日：2023-05-26

申请号：CN202310145918.4

申请日：2023-02-21

Applicant: 厦门大学

Inventor： 黄瑞芸 , 苏美玲 , 刘俊扬 , 洪文晶 , 路泰歌

IPC: G01Q60/16 , H01J37/28 , H01J37/26 , H01J37/04 , H01J9/02

Abstract: 本发明涉及一种适用于STM－BJ的低漏电流针尖及其制备方法，包括：制备未包封的金针尖；将所述未包封的金针尖浸没于含巯基硅烷的乙醇溶液中，充分浸泡后得到表面吸附有巯基硅烷的金针尖；将所述表面吸附有巯基硅烷的金针尖通过去离子水冲洗，再将所述表面吸附有巯基硅烷的金针尖浸没于盐酸水溶液中，充分反应后得到包覆有羟基分子膜的金针尖；将所述包覆有羟基分子膜的金针尖的一部分隔离，暴露待包封区域，放入原子层沉积系统；向所述原子层沉积系统中通入含氧源和含铪源，在所述包覆有羟基分子膜的金针尖的待包封区域沉积二氧化铪，得到低漏电流针尖。

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