公开(公告)号：CN217933825U

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202222092562.6

申请日：2022-08-10

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 林志伟 ,  陈凯轩 ,  周耀东 ,  蔡建九 ,  柯志杰 ,  艾国齐 ,  江方 ,  李艳

IPC: H01L33/14 ,  H01L33/36 ,  H01L33/32 ,  H01L33/00

Abstract: 本实用新型提供了一种半导体外延结构、LED芯片，通过在有源层的表面依次设有空穴存储层、电子阻挡层以及空穴注入层，所述空穴存储层用于提高P型区域的空穴浓度，所述电子阻挡层用于阻挡电子在所述空穴存储层表面的纵向传输，所述空穴注入层用于提供空穴；且所述电子阻挡层的禁带宽度大于所述空穴注入层的禁带宽度，且所述空穴注入层的禁带宽度不小于所述空穴存储层的禁带宽度。从而，通过所述电子阻挡层提高导带势垒高度，从而减少电子溢流；并配合空穴存储层，在避免电子与空穴在非有源层区域进行复合发光的同时，通过空穴存储层的P型掺杂提供更多的空穴，进一步增加空穴在靠近有源层区域的储存及迁移，从而提高LED发光效率。

公开(公告)号：CN219321369U

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202320284714.4

申请日：2023-02-22

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 王乐 ,  柯志杰 ,  江方 ,  艾国齐 ,  冯妍雪

IPC: H01L33/46 ,  H01L33/02 ,  H01L33/06 ,  H01L25/075

Abstract: 本实用新型提供了一种微型发光元件，通过在非掺杂半导体层表面设置外延叠层，所述外延叠层至少包括沿依次堆叠的第一型半导体层、第二有源区以及第二型半导体层；以及，在所述第二型半导体层上所引出的第二电极和在所述第一型半导体层上所引出的第一电极；且，在所述外延叠层的裸露面设有反射镜。其中，所述非掺杂半导体层设有第一有源区夹层，且在所述非掺杂半导体层上设有光子晶体结构，使所述第二有源区所释放的至少部分光子经反射镜反射被所述第一有源区夹层吸收后，通过所述光子晶体结构沿所述第一有源区夹层的法向射出。

公开(公告)号：CN222582906U

公开(公告)日：2025-03-07

申请号：CN202420597815.1

申请日：2024-03-26

Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司

Inventor： 谈江乔 ,  柯志杰 ,  艾国齐 ,  蔡建九 ,  马英杰

IPC: H10H29/85 ,  H10H29/30

Abstract: 本实用新型提供了一种可直接转移的LED芯片结构及显示装置，所述LED芯片结构包括：基板以及通过感应层粘附于所述基板的LED芯粒，其中，各所述LED芯粒间隔排布，且所述LED芯粒的至少一电极设置于所述LED芯粒背离所述基板的一侧表面，使所述电极朝外。如此，可通过将所述的LED芯粒的朝外电极选择性对位接合至所述显示面板，以形成具有像素的显示面板。基于上述结构，即可将所述LED芯粒选择性转移至显示面板，从而实现了LED芯粒从晶圆巨量转移到显示面板，易于生产化。