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公开(公告)号：CN104347359A
公开(公告)日：2015-02-11
申请号：CN201410477236.4
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L31/0352 , H01L33/02 , H01L33/12
CPC classification number: H01L33/12 , H01L21/30604 , H01L21/30612 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开一种高效的衬底剥离方法，包括以下步骤：步骤一，外延结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成；步骤二，采用化学腐蚀液蚀刻和剥离牺牲层。本发明可以提高外延结构与衬底的剥离速率，且解决剥离时外延结构容易破损的问题。
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公开(公告)号：CN101388419B
公开(公告)日：2010-08-18
申请号：CN200810072025.7
申请日：2008-10-27
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/052 , H01L31/0232 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种具有反射层的三结太阳电池及其制造方法。在P-Ge衬底上生长形成包含两套布拉格反射层(DBR)的三结太阳电池的半导体材料层；两套布拉格反射层(DBR)是一套用于反射短波光子的铝铟磷AlInP/铝镓铟磷AlGaInP顶电池反射层和一套用于反射中波光子的砷化铝AlAs/铝镓砷AlGaAs中电池反射层。此结构可以减少电池的厚度，减小非平衡载流子的自由程，提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN104347359B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201410477236.4
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L21/02 , H01L31/0352 , H01L33/02 , H01L33/12
Abstract: 本发明公开一种高效的衬底剥离方法，包括以下步骤：步骤一，外延结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成；步骤二，采用化学腐蚀液蚀刻和剥离牺牲层。本发明可以提高外延结构与衬底的剥离速率，且解决剥离时外延结构容易破损的问题。
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公开(公告)号：CN104377219B
公开(公告)日：2017-03-29
申请号：CN201410666590.1
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明一种高发光效率的高压发光二极管，由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本发明可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN104409465A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410666659.0
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明一种高发光效率的高压发光二极管制作方法，通过芯片制作工艺把n个独立发光结构的子级发光二极管串联连接，形成一体的芯片模块，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本发明可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104377219A
公开(公告)日：2015-02-25
申请号：CN201410666590.1
申请日：2014-11-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明一种高发光效率的高压发光二极管，由n个具有独立发光结构的子级发光二极管串联构成，其中，第一子级发光二极管上设置第一电极，第n子级发光二极管上设置第二电极。本发明可以增加有源区的出光面积，提高发光效率。
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公开(公告)号：CN104362215A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410477359.8
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521 , H01L31/1896 , H01L31/0687 , H01L31/0725 , H01L31/0735 , H01L31/074 , H01L31/1844 , H01L31/1852
Abstract: 本发明公开一种高效率柔性薄膜太阳能电池制造方法，提供外延衬底；在外延衬底上生长外延结构；在外延结构上生长欧姆接触层，在欧姆接触层上生长外延保护层；将外延保护层粘接至刚性支撑模板上；采用外延衬底减薄工艺将外延衬底减薄；在减薄后的外延衬底上蒸镀背电极，并键合在柔性薄膜衬底上；去除刚性支撑模板及外延保护层；在欧姆接触层上蒸镀正面栅线电极，并通过选择性腐蚀工艺去除吸光部分的欧姆接触层，在腐蚀区域蒸镀减反射膜，裂片处理即得。本发明制造的太阳能电池转换效率高、可靠性好，且柔性较好而减轻重量。
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公开(公告)号：CN102208472B
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201110132005.6
申请日：2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L31/052 , H01L31/18
CPC classification number: Y02E10/50 , Y02P70/521
Abstract: 本发明公开一种高聚光倍数太阳能电池的散热器，由铜薄层、银铜钛合金层、金刚石膜、银铜钛合金层和铜底座组成，在聚光太阳能电池底下形成铜薄层，铜薄层下面形成银铜钛合金层，此铜薄层和银铜钛合金层上形成绝缘通道，银铜钛合金层下面形成金刚石膜，金刚石膜下面再形成银铜钛合金层，银铜钛合金层下面形成铜底座，铜底座中形成冷却水通道。本发明还公开了该散热器的制造方法。本发明的散热器能应用在聚光倍数1600倍以上的聚光太阳能电池上，整体热导率高达400W/(m·K)以上，散热效果优于热导率为280W/(m·K)的Al2O3陶瓷散热器，具有更高效的散热作用，使得聚光太阳能电池能在较高的聚光倍数下稳定工作且减少光电转换效率的下降。
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公开(公告)号：CN102593274A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201110132001.8
申请日：2011-05-20
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种脉冲气流法生长GaP电流扩展层的方法，在生长GaP电流扩展层时，向金属有机化学气相沉积系统的反应室中，脉冲式交替通入含有镓原子的MO源、磷烷和掺杂源，或者保持磷烷的流量不变，脉冲式通入含镓的MO源和掺杂源。该方法可以增加镓原子和磷原子在外延层表面的迁移时间，使其充分覆盖外延层表面，从而得到高质量的GaP电流扩展层。
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公开(公告)号：CN104241205B
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201410477241.5
申请日：2014-09-18
Applicant: 厦门乾照光电股份有限公司
IPC: H01L23/00 , H01L33/22 , H01L31/0352 , H01L31/0725
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明公开一种衬底可剥离的外延结构，电池外延结构或外延发光结构与衬底之间设置牺牲层，牺牲层由交替生长的AlInP/AlAs多层结构组成。本发明还公开一种具有衬底可剥离的太阳能电池外延结构及一种具有衬底可剥离的发光二极管外延结构。本发明可以提高外延层与衬底的剥离速率，同时有效解决剥离时外延层容易破损的问题。
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