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公开(公告)号：CN104934466A
公开(公告)日：2015-09-23
申请号：CN201510292293.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/739 , H01L21/331
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L29/0834 , H01L29/66325
Abstract: 本发明涉及一种阳极抬高的LIGBT器件及制造方法，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件较少的关断时间的基础上，在导通时可以消除器件的负阻效应，提高器件的性能和稳定性；另外一方面也可以减小器件的横向尺寸面积。
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公开(公告)号：CN118053563A
公开(公告)日：2024-05-17
申请号：CN202410107287.1
申请日：2024-01-25
Applicant: 江苏鱼跃凯立特生物科技有限公司 , 南京邮电大学 , 江苏跃凯生物技术有限公司 , 浙江凯立特医疗器械有限公司
IPC: G16H40/60 , G16H50/70 , G16H10/20 , G06N3/0442 , G06N3/0455 , G06N3/049 , G06N3/08 , A61B5/145
Abstract: 本申请实施例公开了一种CGM时序事件异常识别方法及系统。包括，对获取到的糖尿病患者的血糖数据进行预处理，得到血糖数据对应的时间序列数据，以构建CGM时序事件异常识别模型；通过时间感知的注意力机制，确定出在相邻异常事件发生的不同时间间隔下，CGM时序事件异常识别模型对目标信号识别的权重影响状况；基于引入时间感知的注意力机制的CGM时序事件异常识别模型，对预置血糖样本数据进行深度学习，以拟合出基于用户实际血糖数据的重构值，确定出原始输入值与重构值之间的均方误差，并基于改进的高斯分布确定出自适应阈值；将用户的血糖数据对应的损失值与自适应阈值进行比对，以确定出异常数据。通过上述方法提高血糖数据检测准确率。
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公开(公告)号：CN108831996A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：CN201810577601.7
申请日：2018-06-07
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明公开了一种三层异质结有机场效应晶体管存储器及制备方法，存储器包括衬底，衬底上由上至下依次包括源漏电极、有机半导体异质结、栅绝缘层和栅电极，有机半导体异质结与栅绝缘层之间设有聚合物驻极体层，栅绝缘层覆盖在整个栅电极表面，用于隔离栅电极和聚合物驻极体层之间的接触，有机半导体异质结由上至下依次包括第一空穴传输层、电子传输层和第二空穴传输层三层结构。本发明提供的三层异质结有机场效应晶体管存储器及制备方法，采用旋涂法在栅绝缘层上制备聚合物驻极体层，有利于半导体异质结、金属源漏电极的形貌生长，工艺简单，存储容量、电流开关比和存储速度得到很大提升，降低了器件制备成本，便于推广、应用。
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公开(公告)号：CN105742281B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610189737.1
申请日：2016-03-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L27/02
Abstract: 本发明公开了一种PN结辅助触发SCR‑LDMOS结构的高压ESD保护器件，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底上设有埋氧层，埋氧层上设有漂移区，漂移区的上方从左到右依次设有N‑buffer区、P区、P‑body区；所述N‑buffer区中从左到右依次设有第一漏极重掺杂N+区和第一漏极重掺杂P+区；所述P‑body区中从左到右依次设有第二源极重掺杂N+区、第二源极重掺杂P+区及第三源极重掺杂P+区，P区和第二源极重掺杂P+区通过导线相连。当ESD保护器件的漏极受到正向ESD脉冲后，利用反偏PN结来辅助提高触发开启前的空穴载流子浓度，降低了触发电压Vt1。并且器件引入的反偏PN结可有效抑制寄生SCR的正反馈作用，从而有效提高器件的维持电压Vh，避免器件发生闩锁效应。
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公开(公告)号：CN104637995A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510077083.9
申请日：2015-02-12
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L29/06 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种介质隔离与结隔离相结合的LIGBT器件及制造方法，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区采用介质隔离与结隔离相结合的结构：阳极N+和P+之间用介质隔离，N+下面采用结隔离。这种新型的介质隔离与结隔离相结合的结构一方面在保证器件较少的关断时间的基础上，在导通时可以消除器件的负阻效应，提高器件的性能和稳定性,另外一方面也可以减小器件的尺寸面积。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116313081A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310189886.8
申请日：2023-03-01
Applicant: 江苏鱼跃凯立特生物科技有限公司 , 南京邮电大学 , 浙江凯立特医疗器械有限公司 , 江苏跃凯生物技术有限公司
IPC: G16H50/30 , G16H50/50 , G16H70/40 , G06F18/214 , G06F18/2411 , G06N3/08
Abstract: 本申请公开了一种基于GRU模型的葡萄糖浓度预测方法、设备及介质，方法包括：获取样本数据集，进行数据预处理；进行标准化处理；基于时间序列的样本数据集进行升维处理；搭建时间序列预测模型，并利用GRU模型进行训练；通过GRU模型进行数据预测，根据得到的第一葡萄糖浓度数据进行指数平滑处理，得到第二葡萄糖浓度数据，并根据第二葡萄糖浓度数据最终预测结果。对预处理之后的数据进行标准化处理，使得预测效果更好。在时间顺序预测模型中，利用均值，标准差和分位数以及拟合出的线性趋势，使训练效果有了显著提升。
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公开(公告)号：CN108258116A
公开(公告)日：2018-07-06
申请号：CN201711456260.X
申请日：2017-12-28
Applicant: 南京邮电大学
Abstract: 本发明提供了一种半导体纳米阵列有机场效应晶体管多位存储器及其制备方法，该存储器从下至上依次包括衬底、栅绝缘层、电荷存储层、有机半导体层、源漏电极，所述电荷存储层为半导体纳米阵列薄膜，是由掺杂了半导体纳米粒子的低介电常数聚合物薄膜制成。其制备方法是在重掺杂硅的衬底上依次旋涂掺杂了半导体纳米粒子的低介电常数聚合物溶液、蒸镀有机半导体层和源漏电极，制成存储器。本发明通过在聚合物内掺杂半导体纳米粒子，退火形成纳米阵列优化改进器件的存储密度，形成单一器件的多位存储，使其开关速度和存储稳定性得到很大提升；并且该器件大部分采用溶液法制备，成本低易推广。
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公开(公告)号：CN105633140B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201610193224.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L23/367 , H01L29/10
Abstract: 本发明公开了一种双层部分SOI LIGBT器件，包括硅衬底，硅衬底上从左到右依次设有第一埋氧层和N埋层，N埋层的上表面高于第一埋氧层的上表面，第一埋氧层上设有P埋层，N埋层上设有第二埋氧层，P埋层的上表面和第二埋氧层的上表面在同一高度，P埋层和第二埋氧层上设有N型漂移区；本发明还公开了一种双层部分SOI LIGBT器件的制造方法，将常规SOI LIGBT的氧化层分成两层，并且在夹层之间使用反向PN结隔离。这种新型的分段隔离的结构一方面在保证器件良好的隔离衬底漏电流的情况下，提高了散热能力，降低了工作温度，同时也提高了击穿电压。
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公开(公告)号：CN104934466B
公开(公告)日：2017-12-05
申请号：CN201510292293.X
申请日：2015-06-01
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/08 , H01L29/739 , H01L21/331
Abstract: 本发明涉及一种阳极抬高的LIGBT器件及制造方法，属于电子技术领域。该LIGBT器件将常规短路LIGBT的阳极区的N+抬高，并且将阳极N+和阳极P+之间用介质隔离。这种新型的阳极N+抬高的结构一方面在保证器件较少的关断时间的基础上，在导通时可以消除器件的负阻效应，提高器件的性能和稳定性；另外一方面也可以减小器件的横向尺寸面积。
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公开(公告)号：CN105633140A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201610193224.8
申请日：2016-03-30
Applicant: 南京邮电大学
IPC: H01L29/739 , H01L21/331 , H01L23/367 , H01L29/10
CPC classification number: H01L29/7394 , H01L23/367 , H01L29/1095 , H01L29/66325
Abstract: 本发明公开了一种双层部分SOI LIGBT器件，包括硅衬底，硅衬底上从左到右依次设有第一埋氧层和N埋层，N埋层的上表面高于第一埋氧层的上表面，第一埋氧层上设有P埋层，N埋层上设有第二埋氧层，P埋层的上表面和第二埋氧层的上表面在同一高度，P埋层和第二埋氧层上设有N型漂移区；本发明还公开了一种双层部分SOI LIGBT器件的制造方法，将常规SOI LIGBT的氧化层分成两层，并且在夹层之间使用反向PN结隔离。这种新型的分段隔离的结构一方面在保证器件良好的隔离衬底漏电流的情况下，提高了散热能力，降低了工作温度，同时也提高了击穿电压。
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