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公开(公告)号：CN116183022A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202310145950.2
申请日：2023-02-21
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本申请公开了一种SNSPD光谱响应矩阵的标定方法、装置、设备及介质，涉及光谱测量技术领域，包括：将单色光波长的平均波长输入至SNSPD以确定偏置电流的取值区间，并划分取值区间得到单位数据间隔；在选取的单色光波长下按照单位数据间隔的预设倍数对偏置电流进行采样，并测量第一光子计数率均值；利用第一光子计数率均值的微分处理结果确定出数据拟合区间，并对第一光子计数率均值进行数据拟合得到第二光子计数率均值；对剩余区间的偏置电流进行采样，并测量第三光子计数率均值；拼接第二、第三光子计数率均值，以基于拼接结果确定出光谱响应率数据；将光谱响应率数据作为矩阵的一列，重新选取单色光波长，直到完成光谱响应矩阵的标定。
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公开(公告)号：CN114038989A
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN202111196182.0
申请日：2021-10-14
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本申请提供一种用于超导量子电路的约瑟夫森结的制备方法。在衬底表面形成铝金属薄膜层。通过第一掩膜对所述铝金属薄膜层进行图案化处理形成铝金属电路层。在所述铝金属电路层远离所述衬底的表面形成氧化铝薄膜层。在所述衬底的表面制备超导材料薄膜层，所述超导材料薄膜层覆盖所述氧化铝薄膜层以及所述衬底的表面。形成第二掩膜层，通过所述第二掩膜层对所述超导材料薄膜层进行图案化处理以获得图案化的超导材料电路层，所述超导材料电路层与所述铝金属电路层在所述衬底的投影部分重叠。清洗去除所述第二掩膜层，获得所述约瑟夫森结。上述制备方法，可以制备大面积的约瑟夫森结。
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公开(公告)号：CN114038989B
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202111196182.0
申请日：2021-10-14
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本申请提供一种用于超导量子电路的约瑟夫森结的制备方法。在衬底表面形成铝金属薄膜层。通过第一掩膜对所述铝金属薄膜层进行图案化处理形成铝金属电路层。在所述铝金属电路层远离所述衬底的表面形成氧化铝薄膜层。在所述衬底的表面制备超导材料薄膜层，所述超导材料薄膜层覆盖所述氧化铝薄膜层以及所述衬底的表面。形成第二掩膜层，通过所述第二掩膜层对所述超导材料薄膜层进行图案化处理以获得图案化的超导材料电路层，所述超导材料电路层与所述铝金属电路层在所述衬底的投影部分重叠。清洗去除所述第二掩膜层，获得所述约瑟夫森结。上述制备方法，可以制备大面积的约瑟夫森结。
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公开(公告)号：CN118033659A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202410170085.1
申请日：2024-02-06
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
Abstract: 本发明实施例公开了一种目标追踪装置及方法，该装置包括脉冲激光器、单光子相机、扫描模块、扫描控制模块、信号采集模块和追踪模块，单光子相机采用第一视场角向外部进行大视场扫描，获取待测目标的目标光子信号，追踪模块根据目标光子信号提取待测目标的目标位置和二维运动轨迹，并获得第二视场角；扫描控制模块用于根据第二视场角控制扫描模块改变脉冲激光传输的方向，以使得扫描模块对待测目标进行小视场扫描；追踪模块用于根据同步信号和回波光子信号对待测目标进行追踪。本发明利用单光子相机探测到待测目标时引导脉冲激光对待测目标进行探测，这种主、被动结合探测方式可以实现对待测目标进行大视场下的快速、高追踪灵敏度、高精度地追踪。
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公开(公告)号：CN115856933A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202211650498.7
申请日：2022-12-21
Applicant: 网络通信与安全紫金山实验室
IPC: G01S17/894 , G01S7/483 , G01S7/48 , G01S7/4861
Abstract: 本发明实施例公开了一种高通量光子计数激光雷达成像装置及方法，该装置包括光束收发模块、扫描模块、控制模块、探测模块和数据处理模块，控制模块控制扫描模块改变脉冲激光输出的方向以实现待测目标的扫描；探测模块包括单光子探测器和时间相关单光子计数采集单元；同步信号采集通道与脉冲激光器连接以采集脉冲激光同步信号。本发明引入了具备光子数分辨能力的单光子探测器，可以实现对多个回波光子的同时探测，实现不同光子数的同时响应。本发明有效解决了传统光子计数激光雷达受到低通量弱光工作条件的限制，有效提高了高通量条件下的回波光子信息的采集效率，极大地减少了脉冲累积时间，可以实现更高动态范围和更快速的目标探测。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN120073267A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510227236.7
申请日：2025-02-27
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明提供了一种片上太赫兹耦合器芯片，由F‑P谐振腔、弯曲波导、锥型耦合波导、衬底结构组成，F‑P谐振腔由左右对称的布拉格光栅和位于中间的单模波导构成，用于对特定频率的信号产生谐振，实现滤波的效果；弯曲波导，用于传输太赫兹信号，其两端为锥型耦合波导，锥形耦合波导作为信号的输入和输出端口；衬底，用于固定F‑P谐振腔和弯曲波导。本发明耦合器芯片实现太赫兹高效耦合的同时，还能控制太赫兹波的传播，实现不同波段的滤波，该耦合器芯片结构实现了片上波导集成，提高了滤波选择性、降低了插入损耗、增强了带外抑制，并且实现大规模制造。
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公开(公告)号：CN120065630A
公开(公告)日：2025-05-30
申请号：CN202510256897.2
申请日：2025-03-05
Abstract: 本发明提供了一种空气桥微结构芯片的光刻掩模方法，通过控制所述第一光刻胶的旋涂和软烘条件，无需灰度曝光技术也可实现光刻后的梯形剖面；由于所述第一光刻胶和所述第二光刻胶工艺兼容，因此一次曝光和显影可以同时实现图形的精确转移、支撑层或剥离层的形成，工艺操作简单，工艺条件宽松；利用本申请提供的掩模进行金属沉积，可以在保证空气桥桥墩与所述衬底的粘附性的同时，避免拱形支撑层被金属膜全方位覆盖导致无法剥离。
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公开(公告)号：CN119753605A
公开(公告)日：2025-04-04
申请号：CN202411858793.0
申请日：2024-12-17
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开了一种高阻超导氮化物薄膜的可控制备方法及应用，该方法首先绘制氮化物薄膜的磁控溅射模式随溅射电流以及氩氮比变化的分布相图，并根据溅射电压随溅射电流的变化趋势，将磁控溅射模式划分为金属模式、竞争模式和中毒模式；然后选取相图中的一条磁控溅射伏安曲线，取不同磁控溅射模式下的典型工作条件生长氮化物薄膜；观察氮化物薄膜晶相以及电学特性分布，确定制备高阻超导氮化物薄膜的基本工作模式；最后根据基本工作模式的边界条件，生长高阻超导氮化物薄膜。本发明提出一种普适性的制备高阻超导氮化物薄膜的方法，制备的高阻值超导氮化铌薄膜具有显著高于目前氮化铌薄膜材料的电阻率，为制备高饱和量子效率的SNSPD探测提供有利保障。
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公开(公告)号：CN119381725A
公开(公告)日：2025-01-28
申请号：CN202411533417.4
申请日：2024-10-31
Applicant: 南京大学
IPC: H01P1/22
Abstract: 本发明提出了一种太赫兹可调衰减器，包括衰减功能芯片和芯片封装盒，衰减功能芯片包括回音壁模式微环波导、两个电接触电极、加热电极、直波导、第一锥形耦合波导、第二锥形耦合波导和衬底，其中：直波导位于回音壁模式微环波导的一侧，回音壁模式微环波导和直波导构成了回音壁模式微环谐振腔；接触电极、加热电极和接触电极依次相连接，形成三段电极结构，集成在回音壁模式微环波导上；第一、二锥形耦合波导位于直波导两端；衬底用于集成制备回音壁模式微环波导、电接触电极、加热电极、直波导和第一、二锥形耦合波导。本发明提升了动态调节太赫兹信号的能力，实现了不同强度的太赫兹信号的衰减。
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公开(公告)号：CN118299901A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202410256839.5
申请日：2024-03-06
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种反铁磁自旋电子太赫兹波发射器及幅值增强方法，具体涉及太赫兹发射技术领域。本发明提供反铁磁自旋电子太赫兹发射器包括单晶衬底、反铁磁材料层和重金属材料层。通过使用加热的方法，能够使反铁磁材料层与重金属材料层之间的界面平整，达到增强反铁磁自旋电子太赫兹波发射器输出的太赫兹波幅值的目的。反铁磁自旋电子太赫兹波发射器具有稳定、抗外磁场干扰等优势，通过加热实现界面的优化，丰富了现有对自旋电子太赫兹波发射器的调控手段，可以实现基于反铁磁的自旋电子学器件的大规模集成。
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