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公开(公告)号：CN117381202A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202310838418.9
申请日：2023-07-10
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/53 , B23K26/06 , B23K26/046 , B23K26/064
Abstract: 激光加工装置(1)具备：激光光源部(3)，其输出激光(L)；空间光调制器(51)，其包含从激光光源部(3)输出的激光(L)入射的调制面(51a)，且用于通过将调制图案显示于调制面(51a)而根据调制图案调制激光(L)而出射；聚光透镜(54)，其用于将从空间光调制器(51)出射的激光(L)聚光于对象物(11)的内部；挡板(55)，其在空间光调制器(51)和聚光透镜(54)之间遮断激光(L)的一部分；以及控制部(9)。控制部(9)执行切换包含衍射图案(MP3)的调制图案的切换处理。挡板(55)遮断激光(L)中的通过衍射图案(MP3)生成的衍射光(Lg)以使其不入射于聚光透镜(54)。
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公开(公告)号：CN112384324A
公开(公告)日：2021-02-19
申请号：CN201980045035.8
申请日：2019-07-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/53 , B23K26/046 , B23K26/064 , H01L21/301
Abstract: 一种激光加工装置，是通过沿着加工预定线向加工对象物照射激光，从而沿着上述加工预定线进行上述加工对象物的激光加工的激光加工装置，具备：激光光源，其输出上述激光；测定光源，其输出测定光；聚光单元，其将上述激光朝向上述加工对象物聚光而形成第1聚光点，并将上述测定光朝向上述加工对象物聚光而形成第2聚光点；测定部，其用于对应于上述加工对象物中的上述激光及上述测定光的入射面上的上述测定光的反射光来测定上述入射面的位移；调整部，其对应于上述入射面的位移的测定结果，调整关于与上述入射面交叉的方向的上述第1聚光点的位置；空间光调制器，其用于在上述激光光源与上述聚光单元之间，对应于调制图案来调制上述激光；以及控制部，其控制提示给上述空间光调制器的调制图案，上述控制部将包含用于对应于上述第1聚光点与上述第2聚光点之间的距离、以及从上述入射面起的上述激光加工的加工深度来变更关于与上述入射面交叉的方向的上述第1聚光点的位置的聚光位置变更图案的上述调制图案提示给上述空间光调制器。
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公开(公告)号：CN110945630A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048624.7
申请日：2018-07-13
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , H01L21/304 , B23K26/00 , B23K26/53
Abstract: 层叠型元件的制造方法具备：第1形成工序，对于第1晶圆的半导体基板，沿着切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成第1改质区域；第1研磨工序，研磨第1晶圆的半导体基板；接合工序，将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的半导体基板；第2形成工序，对于第2晶圆的半导体基板，沿着切断预定线照射激光，由此，沿着切断预定线形成第2改质区域；及第2研磨工序，研磨第2晶圆的半导体基板。
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公开(公告)号：CN115348912A
公开(公告)日：2022-11-15
申请号：CN202180025528.2
申请日：2021-03-04
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/073 , B23K26/53 , H01L21/301
Abstract: 激光加工装置具备：载置台，其支撑具有表面和该表面的相反侧的背面的晶圆，在表面形成有多个功能元件且切割道区域以通过相邻的功能元件之间的方式延伸；光源，其通过从表面侧对晶圆照射激光，从而在晶圆的内部形成一个或多个改质区域；空间光调制器，其作为调整激光的射束宽度的射束宽度调整部；以及控制部，其以将激光的射束宽度调整成与表面信息相应的目标射束宽度以下的方式控制空间光调制器，其中该表面信息包含切割道区域的宽度、以及构成与该切割道区域相邻的功能元件的结构体的位置及高度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112384324B
公开(公告)日：2022-06-03
申请号：CN201980045035.8
申请日：2019-07-01
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: B23K26/53 , B23K26/046 , B23K26/064 , H01L21/301
Abstract: 一种激光加工装置，是通过沿着加工预定线向加工对象物照射激光，从而沿着上述加工预定线进行上述加工对象物的激光加工的激光加工装置，具备：激光光源，其输出上述激光；测定光源，其输出测定光；聚光单元，其将上述激光朝向上述加工对象物聚光而形成第1聚光点，并将上述测定光朝向上述加工对象物聚光而形成第2聚光点；测定部，其用于对应于上述加工对象物中的上述激光及上述测定光的入射面上的上述测定光的反射光来测定上述入射面的位移；调整部，其对应于上述入射面的位移的测定结果，调整关于与上述入射面交叉的方向的上述第1聚光点的位置；空间光调制器，其用于在上述激光光源与上述聚光单元之间，对应于调制图案来调制上述激光；以及控制部，其控制提示给上述空间光调制器的调制图案，上述控制部将包含用于对应于上述第1聚光点与上述第2聚光点之间的距离、以及从上述入射面起的上述激光加工的加工深度来变更关于与上述入射面交叉的方向的上述第1聚光点的位置的聚光位置变更图案的上述调制图案提示给上述空间光调制器。
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公开(公告)号：CN108093626B
公开(公告)日：2020-07-03
申请号：CN201680056451.4
申请日：2016-08-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 激光加工方法，包含：以硅基板的背面作为激光入射面，使具有比1064nm大的波长的激光聚光于加工对象物，而使激光的第1聚光点沿着切断预定线移动，从而沿着前述切断预定线形成第1改质区域的第1工序；以及于第1工序后，以硅基板的背面作为激光入射面，一边使具有比1064nm大的波长的激光聚光于加工对象物，并相对于对准激光的第1聚光点的位置使激光的第2聚光点偏移，一边使激光的第2聚光点沿着切断预定线移动，从而沿着前述切断预定线形成第2改质区域的第2工序。
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公开(公告)号：CN110945628A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201880048563.4
申请日：2018-07-18
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/53
Abstract: 层叠工序具有：将第2晶圆的电路层接合于第1晶圆的电路层的第1接合工序；研磨所述第2晶圆的半导体基板的研磨工序；及将所述第3晶圆的电路层接合于所述第2晶圆的所述半导体基板的第2接合工序。在激光照射工序中，通过对于所述第1晶圆的半导体基板照射激光来形成改质区域，并且沿着层叠体的层叠方向使龟裂从所述改质区域伸展。
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公开(公告)号：CN108093626A
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201680056451.4
申请日：2016-08-17
Applicant: 浜松光子学株式会社
Abstract: 激光加工方法，包含：以硅基板的背面作为激光入射面，使具有比1064nm大的波长的激光聚光于加工对象物，而使激光的第1聚光点沿着切断预定线移动，从而沿着前述切断预定线形成第1改质区域的第1工序；以及于第1工序后，以硅基板的背面作为激光入射面，一边使具有比1064nm大的波长的激光聚光于加工对象物，并相对于对准激光的第1聚光点的位置使激光的第2聚光点偏移，一边使激光的第2聚光点沿着切断预定线移动，从而沿着前述切断预定线形成第2改质区域的第2工序。
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公开(公告)号：CN108028189A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201680056475.X
申请日：2016-08-08
Applicant: 浜松光子学株式会社
IPC: H01L21/301 , B23K26/046 , B23K26/53
CPC classification number: B23K26/046 , B23K26/53 , B23K2103/56 , H01L21/02
Abstract: 对包含在表面形成有多个功能元件的半导体基板的加工对象物，使激光从半导体基板的背面聚光，并且一边将半导体基板的表面和激光的第一聚光点的距离维持在第一距离，一边沿着切断预定线使第一聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第一改质区域。从半导体基板的背面使激光聚光于加工对象物上，并且一边将半导体基板的表面和激光的第二聚光点的距离维持在第二距离，并且相对于对准第一聚光点的位置，使第二聚光点朝向与半导体基板的厚度方向及切断预定线的延伸方向这两个方向垂直的方向偏移，一边沿着切断预定线使第二聚光点移动，由此沿着切断预定线形成第二改质区域。除去在半导体基板中包含背面及至少第二改质区域的规定部分。
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