-
公开(公告)号：CN102623393A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210068633.7
申请日：2012-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种利用锡须生长填充微孔的方法，依次在基片上加工有盲孔或通孔的表面沉积粘附层和金属层，在盲孔内电镀沉积金属直至盲孔开口处，沉积的金属内部自然形成空洞；在盲孔或通孔表面以及相邻盲孔或通孔之间旋涂光刻胶；腐蚀掉旋涂光刻胶处以外部分的金属层和粘附层，从而形成一条连通盲孔或通孔的金属互连线；将金属互连线的两端接电极，通电，促使盲孔内的金属晶须加速生长至晶须填满空洞或金属层晶须加速生长至填满通孔。本发明能够有效填充微盲孔电镀过程中留下的空洞，也可以避免由于电镀液存在表面张力而无法进入微通孔进行电镀的缺陷，从而实现小直径通孔的填充。
-
公开(公告)号：CN102593049A
公开(公告)日：2012-07-18
申请号：CN201210068065.0
申请日：2012-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本发明公开了一种硅晶圆微盲孔金属填充方法，将加工有多个小孔的孔板置于硅晶圆的表面，孔板上的小孔与硅晶圆的微盲孔位置一一对应；将多个金属小球洒在孔板上，并用毛刷扫动使得孔板的每一个小孔内有一个金属小球，清除孔板上多余的金属小球；将硅晶圆置于真空环境加热，小孔内的金属小球熔化；对熔化的金属小球加压实现微盲孔填充。本发明还提供了填充装置，主要包括孔板和真空回流装置。本发明通过孔板小孔大小和厚度，金属小球的大小来控制每个小孔内外金属体积和位置，并通过抽真空来避免盲孔填充金属时由于孔内气室和金属表面张力的作用而导致空洞缺陷。
-
公开(公告)号：CN102386169A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110321630.5
申请日：2011-10-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/544 , G01R31/28
Abstract: 本发明公开了一种硅通孔金属互联线的电迁移测试结构，包括硅片，硅片上分布有多个硅通孔单元，所述硅通孔单元包括三个硅通孔，第一、二、三硅通孔通过硅片反面金属层相连，第二硅通孔与后继相邻硅通孔单元的第一硅通孔通过硅片正面金属层相连，四探针的一个测头置于第三硅通孔正面端口处，另一测头置于硅片上与第一硅通孔通过正面金属层相连的位置处。本发明可在一个硅片上测试多种规格的硅通孔金属互联线的电迁移性能，并且在测试过程中可以将串联中的某些试样切除进行截面分析而不影响其他剩余试样的继续测试，具有测试成本低，操作便捷，测试效率高的特点。
-
公开(公告)号：CN103268868A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201310153063.6
申请日：2013-04-27
Applicant: 华中科技大学
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 一种表面贴装用气密性金属外壳，属于芯片金属封装器件，解决现有插装式金属外壳引出线较长，易导致绝缘子产生裂纹从而气密性失效，且绝缘子气密性较差的问题。本发明包括管座、绝缘子、引出线、管帽，管座用于安放芯片，引出线上端用于通过导线连接芯片的引脚，管帽用于和管座气密性封接，绝缘子为下端具有环形裙边的空心柱体，绝缘子上端位于所述管座的通孔内，绝缘子下端环形裙边将绝缘子上端和所述通孔之间的孔隙气密性封闭；引出线穿过绝缘子并与其紧密贴合，引出线露出绝缘子下端的部分整体植有焊球。本发明引出线较短，和PCB板采用表面贴装方式焊接，将绝缘子和管座通孔之间的孔隙气密性封闭很好，适用于环境严酷恶劣的场合。
-
公开(公告)号：CN102385031A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110357374.5
申请日：2011-11-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种非接触式金属互连线电迁移测量方法，具体为：使用平行光照射标定用金属互联线，同时采用四探针检测标定用金属互联线的电阻；建立四探针检测到的标定用金属互联线的电阻与标定用金属互联线的表面反射光强的对应关系；使用平行光照射待测金属互联线；实时检测待测金属互联线表面反射光的强度；依据建立的电阻与反射光强的对应关系获取待测金属互联线在某反射光强下对应的电阻值。本发明还提供了测量装置，主要包括四探针、平行光光源、光学显微镜和计算机。本发明不接触试样的情况下对试样上的较大范围金属互连线电迁移同时进行实时检测，与普通的四探针检测方法相比，检测范围更大，时间更快、成本更低。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN202651087U
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN201220097245.7
申请日：2012-03-15
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L21/768
Abstract: 本实用新型公开了一种硅晶圆微盲孔金属填充装置，包括孔板和真空回流装置；所述孔板置于硅晶圆的表面的孔板，孔板上加工有多个用于填充金属小球的小孔，小孔与硅晶圆的微盲孔位置一一对应；所述真空回流装置用于在真空环境下熔化金属小球。本实用新型通过孔板小孔大小和厚度，金属小球的大小来控制每个小孔内外金属体积和位置，并通过抽真空来避免盲孔填充金属时由于孔内气室和金属表面张力的作用而导致空洞缺陷。
-
公开(公告)号：CN202330632U
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201120446175.7
申请日：2011-11-11
Applicant: 华中科技大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本实用新型公开了一种非接触式金属互连线电迁移测量装置，包括四探针，用于检测局部金属互联线的电阻；平行光光源，用于照射晶圆上的所有金属互联线；光学显微镜，用于实时采集所有金属互联线的光反射图像；计算机，用于依据光反射图像获取金属互联线的光强度，以及建立局部金属互联线的电阻与反射光强度的对应关系。本实用新型在不接触试样的情况下对试样上的较大范围金属互连线电迁移同时进行实时检测，与普通的四探针检测方法相比，检测范围更大，时间更快、成本更低。
-
公开(公告)号：CN203629725U
公开(公告)日：2014-06-04
申请号：CN201320849447.7
申请日：2013-12-21
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 基于石墨烯的MEMS压力传感器，属于微机电系统（MEMS）的压力检测器件，解决现有MEMS压力传感器尺寸较大，灵敏度有限的问题。本实用新型包括基底、绝缘层，所述基底表面氧化形成绝缘层，绝缘层内刻蚀出空腔，绝缘层上表面覆盖石墨烯薄膜，将所述空腔封闭，石墨烯薄膜为1~5层；所述石墨烯薄膜边缘沉积两个金属电极，两个金属电极上分别焊接有导线。本实用新型采用石墨烯薄膜构成MEMS压阻式压力传感器，制备方法简单，可靠性好，压力传感器体积更小，从微米尺度变为纳米尺度，灵敏度更高，在1~5层内增加石墨烯层数，可以相应增大测量的压力大小，应用范围更广。
-
公开(公告)号：CN202275826U
公开(公告)日：2012-06-13
申请号：CN201120402902.X
申请日：2011-10-21
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L23/544 , G01R31/26
Abstract: 本实用新型公开了一种硅通孔金属互联线的电迁移测试结构，包括硅片，硅片上分布有多个硅通孔单元，所述硅通孔单元包括三个硅通孔，第一、二、三硅通孔通过硅片反面金属层相连，第二硅通孔与后继相邻硅通孔单元的第一硅通孔通过硅片正面金属层相连，四探针的一个测头置于第三硅通孔正面端口处，另一测头置于硅片上与第一硅通孔通过正面金属层相连的位置处。本实用新型可在一个硅片上测试多种规格的硅通孔金属互联线的电迁移性能，并且在测试过程中可以将串联中的某些试样切除进行截面分析而不影响其他剩余试样的继续测试，具有测试成本低，操作便捷，测试效率高的特点。
-
公开(公告)号：CN203351661U
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201320235749.5
申请日：2013-05-03
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本实用新型公开了一种LED倒装芯片的圆片级封装结构，包括LED倒装芯片、硅基板、透镜、印刷电路板和热沉；硅基板正面加工有放置芯片的凹腔，凹腔底部的长度与芯片的长度相同；硅基板的反面加工有两组通孔，两通孔与凹腔相连通；在凹腔和两通孔的表面沉积有绝缘层；凹腔表面的绝缘层上沉积有散热金属层和反光金属层；两通孔内填充有金属体，通孔内的金属体与凹腔表面的散热金属层相接；凹腔内底部的两金属层存在一开口，用于将该金属层隔离为两部分；硅基板的反面沉积有绝缘层，该绝缘层表面布线用于电极连接的金属层；凹腔内涂覆有荧光粉，凹腔的外围加工有用于固定透镜的环形定位腔。本实用新型能够提高LED出光效率、加强散热能力且完成自对准。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
21
records
(took 0.024 seconds)
