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公开(公告)号：CN113594363B
公开(公告)日：2022-05-31
申请号：CN202110871633.X
申请日：2021-07-30
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种环境友好型的纤维素基自支撑忆阻器及其制备方法，属于半导体信息相关技术领域。该忆阻器自下而上包括柔性衬底、底电极层、功能层和顶电极；所述柔性衬底为再生纤维素膜，所述功能层为纤维素膜。本发明制备的纤维素基自支撑忆阻器解决了传统硅基忆阻器无法大面积制备、工艺繁琐且对环境有害的问题。本发明采用的材料为环境友好型天然高分子材料，来源广泛，制备工艺简单，成本低廉，对环境无毒无污染，为大面积制备柔性有机忆阻器提供了新的制备方法。
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公开(公告)号：CN114203900A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111287968.3
申请日：2021-11-02
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种多功能忆阻器及其调控方法，其调控方法包括：在底电极上形成原始薄膜，所述原始薄膜为包括含In和Se的化合物薄膜；通过氧等离子体工艺对所述原始薄膜进行处理，将原始薄膜表层氧化为氧化层，形成阻变层，所述阻变层包括氧化层和剩余的原始薄膜；在所述阻变层上制备顶电极，形成忆阻器；其中，在形成阻变层期间，通过调控氧等离子体工艺的处理参数，调控阻变层内导电细丝的形态，改变忆阻器的易失性或非易失性。本申请可以基于一种材料，通过改变器件制备期间的工艺参数，得到不同性能的忆阻器，基于同一种材料实现忆阻器的多功能调控，有利于简化大规模集成电路的工艺与结构。
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公开(公告)号：CN113793899A
公开(公告)日：2021-12-14
申请号：CN202110961205.6
申请日：2021-08-20
Applicant: 华中科技大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明公开了一种基于调控导电丝生长的选择器性能优化方法及应用，包括：在选择器的阻变层和顶电极之间引入中间电极层；其中，顶电极中的活性电极材料为Ag或Cu；阻变层材料为薄层氧化物或经过氧处理的薄层二维材料；中间电极层材料为钛、钽、铝等活性电极材料；中间电极层与阻变层接触时，中间电极层中的活性电极材料会夺取阻变层中的氧发生氧化作用从而转变为非晶氧化层，以限制来源于顶电极中的活性阳离子迁移，从而限制导电丝的生长；且中间电极层为厚度不均的薄膜，与顶电极的接触面不平整，使得顶电极与阻变层之间形成点接触，导电丝生长倾向于在点接触处发生，进一步限制了导电丝生长的随机性；本发明工艺简单，大大改善了选择器的性能。
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公开(公告)号：CN111461312A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010225486.4
申请日：2020-03-26
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明属于半导体信息相关技术领域，并公开了一种基于忆阻器随机丢弃神经元。该随机丢弃神经元用于对接受到的信号进行取舍，其中设置有丢弃控制单元和MOS开关，丢弃控制单元用于将接受到的信号转化控制指令，以此控制MOS开关的开关，其包括忆阻器、分压电阻、比较器和寄存器，忆阻器用于接受激发信号并转化为随机电流信号，分压电阻用于将随机电流信号转化为随机电压信号，比较器用于将随机电压信号与预设阈值进行比较，寄存器用于接受来自比较器的信号并将其作为控制指令传递给MOS开关，以此控制MOS的开关。通过本发明，提高神经网络的识别精度，降低对硬件人工突触的要求，解决神经网络训练过程中的过拟合与非线性权重更新的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114970840B
公开(公告)日：2024-08-27
申请号：CN202210534314.4
申请日：2022-05-17
Abstract: 本发明公开了一种不规则放电仿生神经元电路及其放电仿生方法，属于类脑仿生技术领域；包括：易失性忆阻器M1、电容C1、电阻R1和反馈模块；其中，易失性忆阻器M1的阈值电压和保持电压具有随机性，且易失性忆阻器M1的所有保持电压中存在小于Vmin的保持电压；本发明基于易失性忆阻器M1阈值电压的随机性，使得每输出一个动作电位所需的充电时间不同；与此同时，基于易失性忆阻器M1保持电压的随机性将动作电位信号的静息状态发生时机随机化，并通过反馈模块监控动作电位信号的状态，当动作电位信号处于静息状态后，经过随机的时间延迟后输出反馈信号到仿生神经元电路的输入端，以使动作电位信号脱离静息状态，最终电路实现持续发放不规则的动作电位信号。
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公开(公告)号：CN117372843A
公开(公告)日：2024-01-09
申请号：CN202311449998.9
申请日：2023-10-31
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06V10/82 , G06V10/764 , G06V10/774 , G06V10/776 , G06N3/049 , G06N3/098 , G06N3/042 , G06N3/084 , G06V30/19 , G06V30/226
Abstract: 本发明公开了一种基于首脉冲编码的图片分类模型训练方法、图片分类方法，属于图像识别技术领域，所述训练方法包括：将图片各像素转换为首脉冲编码后输入脉冲神经网络，首脉冲编码的发放时间与对应像素的灰度值负相关，各神经元基于当前输入最多只发放一次脉冲，根据脉冲实际发放时间和脉冲目标发放时间计算损失函数并通过反向传播调节脉冲神经网络的网络权重。其中，不同的神经元设置不同的脉冲目标发放时间，根据各输出神经元的脉冲实际发放时间动态调整其对应的脉冲目标发放时间。本发明通过采用脉冲神经网络进行训练并优化其输入数据与脉冲目标发放时间，在保证模型精度的同时，降低模型训练过程的能耗，提高模型训练的能效。
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公开(公告)号：CN112331766B
公开(公告)日：2023-04-25
申请号：CN202011154078.0
申请日：2020-10-26
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于半导体存储相关技术领域，其公开了一种基于碲化钼的忆阻器及其制备方法、非易失性存储器，所述忆阻器包括自上而下设置的顶电极、阻变层及底电极，所述阻变层位于所述顶电极及所述底电极之间，其为经过氩等离子处理的二维碲化钼片；通过氩等离子处理在碲化钼片的表面引入碲空位，从而降低碲化钼从2H相到1T’相转变的能量，使得碲化钼自2H相到1T’的相转变更容易发生；所述阻变层在外加电压作用会发生从2H相到1T’相的可逆相转变，从而所述忆阻器的电阻发生高低阻态的变化。本发明使得碲化钼2H和1T’之间的相转变更容易发生，降低相转变的操作电压，同时提高转变速度和循环寿命。
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公开(公告)号：CN106845634B
公开(公告)日：2018-12-14
申请号：CN201611235356.9
申请日：2016-12-28
Applicant: 华中科技大学
IPC: G06N3/063
Abstract: 本发明公开了一种基于忆阻器件的神经元电路，本发明中，突触阵列的忆阻器选用部分易失性双极性电阻转变器件，表达神经元膜电位的忆阻器选用易失性电阻转变器件，构建神经元电路，并具有突触基本单元。该神经元电路能够实现生物神经元中的整合放电功能，表达出局部分级电位，突触具有部分易失性，可以表达活动时序相关的可塑性，与生物学上神经元与突触在信息存储、传递与处理方面有极大相似性。本发明可以为硬件模拟大脑神经网络结构提供基本单元，克服现有技术存在的神经元放电时间延迟，难以实现高密度集成等技术问题，能用于构造类大脑的信息处理系统，可并行快速处理大量信息在实现大脑的神经学计算网络中有极大应用价值。
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公开(公告)号：CN119514623A
公开(公告)日：2025-02-25
申请号：CN202411461317.5
申请日：2024-10-18
Applicant: 华中科技大学
Abstract: 本发明属于微纳米电子相关技术领域，其公开了一种基于氧化物忆阻器的自适应同质储备池计算系统，其储池层包含多个具有非线性的短时程衰减记忆特性的易失性的动态忆阻器；其全连接读出层包含多个具有多值长时程记忆特性的非易失忆阻器；其反馈回路用于调节动态忆阻器状态衰减期间所施加的偏置电压，其中，两类忆阻器采用相同的包含氧化钛层的叠层结构。本发明解决了储池层和读出层材料体系不统一以及储池系统时间尺度单一、无法调节的问题，并且本发明提出的方法能自适应地调节储备池时间尺度，使得其能更好地适应于不同类别的输入信号，从而提升储备池计算性能，并完成动态信息识别功能。
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