公开(公告)号：CN113793899B

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202110961205.6

申请日：2021-08-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 杨蕊 ,  张泽琛 ,  缪向水 ,  王昊伟

IPC: H10N70/00

Abstract: 本发明公开了一种基于调控导电丝生长的选择器性能优化方法及应用，包括：在选择器的阻变层和顶电极之间引入中间电极层；其中，顶电极中的活性电极材料为Ag或Cu；阻变层材料为薄层氧化物或经过氧处理的薄层二维材料；中间电极层材料为钛、钽、铝等活性电极材料；中间电极层与阻变层接触时，中间电极层中的活性电极材料会夺取阻变层中的氧发生氧化作用从而转变为非晶氧化层，以限制来源于顶电极中的活性阳离子迁移，从而限制导电丝的生长；且中间电极层为厚度不均的薄膜，与顶电极的接触面不平整，使得顶电极与阻变层之间形成点接触，导电丝生长倾向于在点接触处发生，进一步限制了导电丝生长的随机性；本发明工艺简单，大大改善了选择器的性能。

公开(公告)号：CN115329945A

公开(公告)日：2022-11-11

申请号：CN202210828987.0

申请日：2022-07-14

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 杨蕊 ,  王昊伟 ,  缪向水

IPC: G06N3/063

Abstract: 本发明公开了一种频率自适应LIF神经元、神经元的频率自适应控制方法以及模拟生物自适应的方法，其神经元包括电阻RS、电阻Ro、阈值转变忆阻器和充电电容CM，电阻RS的第一端用于接收控制脉冲、第二端通过充电电容CM接地，阈值转变忆阻器的第一端与电阻RS的第二端连接、第二端通过电阻Ro接地且第二端输出发放脉冲；其中，阈值转变忆阻器的顶电极具有活性电极材料，阻变层具有空位，阈值转换忆阻器由低阻态到高阻态的关断阻态变化速度随着状态切换周期的增加而变慢、导致电容的充电速度也逐渐变缓，以使输出的发放脉冲的频率逐渐变小直至趋于稳定，从而模拟生物对环境刺激的自适应过程。

公开(公告)号：CN113793899A

公开(公告)日：2021-12-14

申请号：CN202110961205.6

申请日：2021-08-20

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 杨蕊 ,  张泽琛 ,  缪向水 ,  王昊伟

IPC: H01L45/00

Abstract: 本发明公开了一种基于调控导电丝生长的选择器性能优化方法及应用，包括：在选择器的阻变层和顶电极之间引入中间电极层；其中，顶电极中的活性电极材料为Ag或Cu；阻变层材料为薄层氧化物或经过氧处理的薄层二维材料；中间电极层材料为钛、钽、铝等活性电极材料；中间电极层与阻变层接触时，中间电极层中的活性电极材料会夺取阻变层中的氧发生氧化作用从而转变为非晶氧化层，以限制来源于顶电极中的活性阳离子迁移，从而限制导电丝的生长；且中间电极层为厚度不均的薄膜，与顶电极的接触面不平整，使得顶电极与阻变层之间形成点接触，导电丝生长倾向于在点接触处发生，进一步限制了导电丝生长的随机性；本发明工艺简单，大大改善了选择器的性能。