公开(公告)号：CN119514623A

公开(公告)日：2025-02-25

申请号：CN202411461317.5

申请日：2024-10-18

Applicant: 华中科技大学

Inventor： 杨蕊 ,  李永飞 ,  李志远 ,  唐崴 ,  缪向水

IPC: G06N3/065 ,  H10N70/20 ,  H10N70/00 ,  G06N3/044 ,  G11C11/54 ,  G11C13/00

Abstract: 本发明属于微纳米电子相关技术领域，其公开了一种基于氧化物忆阻器的自适应同质储备池计算系统，其储池层包含多个具有非线性的短时程衰减记忆特性的易失性的动态忆阻器；其全连接读出层包含多个具有多值长时程记忆特性的非易失忆阻器；其反馈回路用于调节动态忆阻器状态衰减期间所施加的偏置电压，其中，两类忆阻器采用相同的包含氧化钛层的叠层结构。本发明解决了储池层和读出层材料体系不统一以及储池系统时间尺度单一、无法调节的问题，并且本发明提出的方法能自适应地调节储备池时间尺度，使得其能更好地适应于不同类别的输入信号，从而提升储备池计算性能，并完成动态信息识别功能。