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公开(公告)号：CN104355284A
公开(公告)日：2015-02-18
申请号：CN201410535300.X
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件双面对通介质隔离结构及制备方法，包括硅基体（1）、可动结构（5）以及盖帽（8），可动结构（5）以及盖帽（8）之间用金属粘接剂（7）连接，可动结构（5）与硅基体（1）进行硅硅键合，其特征在于：硅基体（1）中设有对通的绝缘深槽，绝缘深槽中设有填充材料二氧化硅或氮化硅或多晶硅（3），绝缘深槽之间的硅基体（1）形成隔离电极（4），隔离电极（4）上面与可动结构（5）对应配合。
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公开(公告)号：CN103529240A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310506796.3
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/00
Abstract: 本发明涉及一种抗高过载的加速度计，包括连接于玻璃衬底上的硅基体（1），硅基体中设有悬臂梁（2）及相连的质量块（3），其特征在于：在质量块的两侧硅基体中对称设有弹性梁（6），弹性梁（6）与硅基体间设有缓冲间隙（4）。本发明与现有的加速度计抗高过载结构相比具有如下优点：（1）本发明有效的将弹性碰撞面与缓冲间隙相结合，使得加速度计在高过载情况下，可动结构不易断裂，实现了器件的高可靠性。（2）本发明结构简单，采用单晶硅片材料，提高了加速度计产品的一致性和可靠性；加工工艺比较简单，全部利用公知的MEMS工艺技术加工，适合大批量生产。
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公开(公告)号：CN102862947A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210346195.6
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽（12）中引线通孔（13）中的电互联引线压焊区（4）上溅射铝电极（14）。本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。
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公开(公告)号：CN118641036A
公开(公告)日：2024-09-13
申请号：CN202410825950.1
申请日：2024-06-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种集成偏振光谱滤波器及其测试方法，包括：滤波器阵列芯片与封装外壳；其中，滤波器阵列芯片包含：可调谐法布里‑珀罗滤光阵列结构与微偏振片阵列结构；法布里‑珀罗滤光阵列结构由M×N个独立的滤波器组成；每个光滤波器由两个平行的镜面构成法布里‑珀罗腔，其中一个镜面为固定镜，另一个镜面为可动镜；在相邻的4个滤波器的可动镜上分别设有4个0°、45°、90°以及135°不同方向的微偏振像素单元，将4个不同方向的微偏振像素单元按预设规律排列；4个不同方向的微偏振像素单元构成一个超像素单元结构。采用本发明的技术方案，以解决以往滤波器不能同时具备目标光谱信息探测能力及偏振信息探测能力的问题。
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公开(公告)号：CN112265954B
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202011162993.4
申请日：2020-10-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种光MEMS器件封装结构及其制备方法，包括玻璃盖板层、器件结构层与TSV盖板层；所述玻璃盖板层包括玻璃片，玻璃片底部设有环形的硅密封框，硅密封框的框底设有浆料键合密封环；所述器件结构层包括可动结构，可动结构顶面设有镜面金属层；TSV盖板层包括硅片，硅片中心设有与可动结构形成配合的凹腔；玻璃盖板层通过浆料键合密封环与器件结构层的顶部相键合；所述TSV盖板层顶部与器件结构层底部通过上、下键合锚点以及上、下金属键合密封环相键合；该封装采用晶圆级封装，解决了芯片级MEMS扫描镜封装体积大、成本高、效率低的缺点。
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公开(公告)号：CN114242882A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202111479933.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种红外探测器芯片的制备方法，它包括以下步骤：第一SOI硅片（1）和第二SOI硅片（3）键合，第二SOI硅片（3）的减薄，第一电阻条（4)、第二电阻条（5）和保护层（14）的制备，金属引线（13）和第二金属引线（12）的制备以及腔（11）的制备。本发明得到的红外探测器芯片，热电偶采用高塞贝克系数的双单晶硅复合结构，在保证芯片响应灵敏度的同时大幅度降低了芯片面积和红外吸收支撑层面积，提高了红外吸收支撑层的刚度，从而使芯片的整体可靠性提高。
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公开(公告)号：CN104355286B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410535339.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种全硅MEMS器件，由衬底SOI硅片(17)、结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片(16)经硅硅直接键合后组成，其特征在于：结构层硅片(10)及盖帽SOI硅片的顶层硅(6)采用低阻硅；盖帽SOI硅片的顶层硅(6)制成电互联线，通过键合面(5)与结构层硅进行硅硅直接键合，将该处结构层的电信号通过电互联线引出到盖帽SOI硅片中的硅电极(9)，与设置在硅电极(9)上的压焊点(3)电学连接，硅电极(9)与结构层硅硅直接键合。本发明优点在于：采用盖帽层体硅引线，避免结构层刻蚀反溅损伤；采用两次硅硅直接键合，无残余应力，硅硅直接键合气密性好，真空封装时无需额外添加吸气剂，能够有效降低成本。
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公开(公告)号：CN102862947B
公开(公告)日：2016-01-27
申请号：CN201210346195.6
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件及其晶圆级真空封装方法，其特征在于：采用硅硅直接键合技术实现晶圆级真空封装，硅衬底（10）上键合的硅结构层（15）采用低阻硅片，直接在硅结构层上刻蚀形成电互联引线（5），在硅盖帽（12）中引线通孔（13）中的电互联引线压焊区（4）上溅射铝电极（14）。本发明具有如下优点：采用全硅结构，键合后无残余应力，能够大大提高器件工作性能；利用低阻硅作为电极引线，避免了硅硅直接键合过程中高温对金属电极的破坏；硅硅直接键合气密性极好，大大降低了封装成本；这种方法一致性和可靠性高，工艺易于实现。
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公开(公告)号：CN105036060A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510365845.5
申请日：2015-06-29
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种MEMS器件，包括MEMS器件上电极(2)、隔热结构层(1)及MEMS器件下电极(3)，MEMS器件下电极(3)中设有硅柱(3b)，硅柱的下端与MEMS器件上电极(2)中的锚点(2b)对应键合连接、上端与MEMS器件下电极(3)中的金属引线(4)连接，实现垂直引线。本发明的一种MEMS器件，可以通过现有的技术手段按照本发明的步骤即可生产出来，在不需要改变器件结构的情况下，通过添加一独立的隔离结构来达到有效降低热应力、提高器件性能的效果，该热隔离结构简单、易于加工，制作完成后直接与器件层键合即可，大大提高了封装产品的可靠性和器件性能；实现器件垂直引线，缩小芯片体积，减小寄生电容，更高的传输速率及低功耗。
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公开(公告)号：CN102967729A
公开(公告)日：2013-03-13
申请号：CN201210344083.7
申请日：2012-09-18
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P15/12
Abstract: 本发明一种压阻式MEMS加速度计，其特征在于它由第一质量块（4）、第二质量块（6）以及玻璃衬底（10）通过键合连接组成，第一质量块（4）中设有悬臂梁（9），悬臂梁上制有压敏电阻（2）及铝引线（3），第二质量块（6）设有加强链（8）。本发明具有如下优点：将梁-岛式结构与加强链式结构结合在一起，实现了较高的灵敏度与较高的固有频率；加强链式结构有效的提高了加速度计的抗冲击能力，避免了恶劣环境下加速度计的失效问题，并能够承受更高的横向加速度，降低了交叉轴灵敏度，进一步提高了加速度计性能。
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