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公开(公告)号:CN112269075A
公开(公告)日:2021-01-26
申请号:CN202011026774.3
申请日:2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开一种EMCCD电荷转移效率的测试方法,包括以下步骤:a、采用非倍增模式,测量EMCCD的非倍增输出信号电荷在转移前的数值V2,并记录此时所有的交直流电极数据、温度数据与光照数据;b、采用倍增模式,交直流电极数据、温度数据与光照数据按照步骤a执行,单独调节倍增电极,测量EMCCD的倍增输出信号电荷在转移前的数值V1;c、将V1与V2代入公式,计算得到EMCCD电荷转移效率;该方法基于EMCCD已有的版图结构,无需更改电路版图与工艺,能够对EMCCD的电荷转移效率准确的测试与计算。
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公开(公告)号:CN110687423A
公开(公告)日:2020-01-14
申请号:CN201910956340.4
申请日:2019-10-10
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种EMCCD倍增增益测试方法,包括以下步骤:a、选择EMCCD的待测像元,对待测像元施加电源与时钟信号,在无光条件下,测试得到像元输出Udark;在对应的光照条件下,逐级增加倍增电压,得到有光条件下的像元输出Vout;根据公式MRG=(Vout-Udark)/Udark计算倍增增益,公式中MRG为倍增增益;b、计算出白缺陷、暗缺陷与盲元像素,剔除缺陷像元;c、拟合倍增电极与倍增增益的关系曲线;通过不断地施加倍增电极电压,记录倍增电压值与此时倍增增益计算值,描绘倍增增益曲线图,可以清晰给出倍增电极电压与倍增增益的关系,填补了国内外的空白。
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公开(公告)号:CN116067422A
公开(公告)日:2023-05-05
申请号:CN202211516985.4
申请日:2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种温湿度复合传感器,包括基板上设置湿度敏感结构(2)和温度敏感结构(3),湿度敏感结构和温度敏感结构分别与放大器(4)电学连接,放大器4以及校验存储器(6)与A/D转换器(5)电学连接,A/D转换器与控制单元(7)电学连接;温、湿度敏感结构分别产生相对湿度、温度的信号,传送至放大器放大后分别送至A/D转换器进行模/数转换、校准和纠错,校准和纠错后的数字信号传送至控制单元,通过二线串行接口将测量的数据送至单片机。
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公开(公告)号:CN115508602A
公开(公告)日:2022-12-23
申请号:CN202211188230.6
申请日:2022-09-28
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种霍尔电流传感器零位优化装置,包括可调稳压源,它给HALL元件和运放供电,HALL元件输出信号连接运放输入正端,运放输入负端连接电阻R8一端,电阻R8另一端连接电阻RT2和RT1第一电阻支路的一端,电阻R8另一端还连接由电阻RT4和RT3的第二电阻支路的一端,第一、二电阻支路分别连接可调稳压源V+、V‑,利用电位器来替代RT3、RT4电阻进行调试,确保运放的输入正端和输入负端的电压值相等,保证运放输出为0。运放D1输出端连接推挽输出反馈电路,满足正、负向电流的通过,无须再新设计参考电压的产生。本发明有益效果:可以有效降低霍尔电流传感器的零位输出,提升其性能,同时,保证产品结构设计可行性且小型化。
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公开(公告)号:CN112269075B
公开(公告)日:2022-06-24
申请号:CN202011026774.3
申请日:2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/00
Abstract: 本发明公开一种EMCCD电荷转移效率的测试方法,包括以下步骤:a、采用非倍增模式,测量EMCCD的非倍增输出信号电荷在转移前的数值V2,并记录此时所有的交直流电极数据、温度数据与光照数据;b、采用倍增模式,交直流电极数据、温度数据与光照数据按照步骤a执行,单独调节倍增电极,测量EMCCD的倍增输出信号电荷在转移前的数值V1;c、将V1与V2代入公式,计算得到EMCCD电荷转移效率;该方法基于EMCCD已有的版图结构,无需更改电路版图与工艺,能够对EMCCD的电荷转移效率准确的测试与计算。
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公开(公告)号:CN114136511A
公开(公告)日:2022-03-04
申请号:CN202111479804.0
申请日:2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01L1/18
Abstract: 本发明涉及一种电缆线系SOI压阻压力传感器,衬底硅(10)微腔中设有感压膜片(4),衬底硅背面制有围堰(1),感压膜片区域制有敏感桥阻和互连线(2),感压膜片区域内制有互连线(6)与对应的敏感桥阻连接,围堰上的背封玻璃(50)中设有微凹腔(51)构成压力参考腔,衬底硅正面连接封接玻璃(60)及测量接口(61),金属接嘴(62)与封接玻璃连为一体,金属空心插管(54)与金属焊盘(3)形成电连接,金属空心插管中嵌压焊接电缆线(55)。本发明具有如下优点:传感器线性压阻灵敏度正/反向对称一致性,无管座使传感器与芯片固有频率接近,尤其是适用高频的动态压力测量。
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公开(公告)号:CN114136510A
公开(公告)日:2022-03-04
申请号:CN202111479212.9
申请日:2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 一种基于SOI敏感芯片的小型压力传感器,衬底硅(10)微腔中设有感压膜片(4),衬底硅背面制有围堰(1),感压膜片区域制有敏感桥阻R1—R4和互连线(2),其两端分别与敏感桥阻的连接,感压膜片区域内分别制有互连线(6)与对应的敏感桥阻另一端连接,围堰上连接的背封玻璃(50)中设有微凹腔(51)构成压力参考腔,电极插针伸入到对应的敏感芯片中的通孔(52)中,电极插针(53)与焊盘(3)电学连接。本发明具有如下优点:具有较高的线性压阻灵敏度正/反向对称一致性、高压力量程的宽泛覆盖和高过载能力;传感器为最小型化和轻量化,无管座封装使传感器固有频率接近芯片固有频率,兼容静/动两态、尤其是适用高频的动态压力测量。
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公开(公告)号:CN105259372B
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201510664521.1
申请日:2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01P21/00
Abstract: 本发明公开晶圆级电容式加速度计自动测试系统,包括微处理器以及与微处理器相连的上位机,四个电容数字转换器、第一数模转换器、第二数模转换器、第一继电器与第二继电器;微处理器控制数模转换器与继电器,向电容式加速度计的其中两个固定电极上在不同时刻分别施加直流电压,产生静电力,模拟外界加速度,所述四个电容数字转换器由微处理器控制,并向微处理器发送所采集不同时刻的电容式加速度计的电容值,再由微处理器计算得出电容变化量,实现参数测试的目的,并判断出电容式加速度计的品质。
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公开(公告)号:CN103532394A
公开(公告)日:2014-01-22
申请号:CN201310505338.8
申请日:2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H02M3/335
Abstract: 本发明公开一种连续可调的智能电源模块,包括单片机(2),单片机(2)外围设有与其相连的整流滤波稳压电路(1)、数字键盘(3)、液晶显示屏(4)与可编程数字电位器(R2);所述电源模块还包括由DC-DC转换器(5)为主体的升压反压转换电路(6),整流滤波稳压电路(1)的输出作为DC-DC转换器(5)的输入,DC-DC转换器(5)还与可编程数字电位器(R2)相连;升压反压转换电路(6)的正输出端与负输出端即为所述电源模块的输出,升压反压转换电路(6)的负输出端与可编程数字电位器(R2)之间还连接有固定电阻(R1);将整流滤波后的交流电压进行升压与负压处理,采用单片机(2)与可编程数字电位器(R2)对输出电压进行智能调节,实现连续可调的正电压与负电压输出。
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公开(公告)号:CN102368086A
公开(公告)日:2012-03-07
申请号:CN201110253293.0
申请日:2011-08-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R27/00
Abstract: 本发明涉及一种惠斯通电桥补偿电阻的测试方法,其特征在于包括以下步骤:a、在惠斯通电桥各桥臂电阻两端,分别并连接一个由电流表和开关组成的并联支路;b、每次只有一个电流表接通工作,分别测得每一个桥臂电阻对应的电流I1、I2、I3和I4,然后利用公式或计算得出R的阻值。本发明与现有技术相比,其显著优点是:通过电学测试电路以及数学公式变换,可以精确计算出需要在桥臂上补偿的电阻值,计算方法可编程价值高,易于在测试系统上开发,实现在线生产的大规模测试,从而高效的解决问题。
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