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公开(公告)号：CN104198909B
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201410465727.7
申请日：2014-09-15
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开一种台面雪崩二极管管芯面积的测量方法，包含以下步骤：a）将台面雪崩二级管构成反向工作电气回路，并在回路中串联电流表，台面雪崩二极管的两端分别并联电压表与电容表；b）确定台面雪崩二极管的反向击穿电压VB；c）对台面雪崩二极管施加不同的反向工作电压；d）读取反向工作电压为Vn时的电容值Cn；e）重复步骤c，读取反向工作电压为Vn+1时的电容值Cn+1；f）根据公式计算台面雪崩二极管管芯面积，由于台面雪崩二极管在反向工作状态下，耗尽层势垒电容可用一定面积耗尽层内的电荷增量与反向偏压变化量的比值来表示，所以根据公式就可以进一步计算出台面雪崩二极管管芯的有源层面积，此方法测量准确，能够消除人为因素带来的误差。
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公开(公告)号：CN105186481A
公开(公告)日：2015-12-23
申请号：CN201510664537.2
申请日：2015-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H02H9/04
Abstract: 本发明公开一种用于微波固态控制电路电压控制端的静电泄放电路，包括ESD瞬态电压抑制器、第一二极管、第二二极管与电阻；第一二极管的负极作为所述静电泄放电路的输入端；所述ESD瞬态电压抑制器的负极与第二二极管的负极相连，ESD瞬态电压抑制器的正极与第一二极管的正极相连后接地；第二二极管的正极分别连接第一二极管的负极与电阻的一端，电阻的另一端作为所述静电泄放电路的输出端；所述静电泄放电路的输出端连接微波固态控制电路电压控制端；本静电泄放电路能迅速把静电钳置在-0.8V～7.8V之间，从而对微波固态控制电路电压控制端起到保护的作用，另外本泄放电路在非工作状态下，表现为小电容，并联在控制端与地端，避免TTL输入信号的完整性受到影响。
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公开(公告)号：CN118899642A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410984897.X
申请日：2024-07-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明涉及一种毫米波/亚毫米波空间功率合成方法，毫米波/亚毫米波信号进入一级波导功分器（1）的输入端,通过第一波导‑微带探针放大装置（7）将毫米波/亚毫米波信号分为两路信号传输至二级功分器（4）中，二级波导功分器中设有多路第二波导‑微带探针放大装置（7a），每一路毫米波信号通过第二波导‑微带探针放大装置放大传输至链式波导合路器（2）中，在链式波导合路器中放大合成的毫米波信号经链式波导合路器（2）输出端口输出。本发明有益效果是：本发明空间功率合成方法输出波导端口部分中心间距为n倍波长，解决了功率合成中多路信号相位差异造成的合成效率低的问题，空间功率矢量合成效率较高。
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公开(公告)号：CN117330871A
公开(公告)日：2024-01-02
申请号：CN202311328671.6
申请日：2023-10-14
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种毫米波表贴标准波导器件信号测试装置，其特征在于它包括测试组件和校准组件。本发明测试装置体积较小，较为简单，应用更为方便；避免了表贴标准波导毫米波器件测试过程中安装复杂，与测试装置组装困难等问题；避免了表贴标准波导毫米波器件因采用标准波导端口，校准困难，测试不准确问题；测试装置可对表贴标准波导毫米波器件进行无损化测试，测试过程安全可靠。
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公开(公告)号：CN112635575A
公开(公告)日：2021-04-09
申请号：CN202110041251.4
申请日：2021-01-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L29/864 , H01L29/06 , H01L21/329
Abstract: 本发明公开一种高频IMPATT二极管台面管芯结构，包括p+导电基底，p+导电基底顶面设有台面管芯，其特征在于，所述台面管芯中央设有竖直的通孔，使台面管芯形成环形圆台状；制备时，在n+硅晶圆片上生长n型外延层、p型外延层及p+外延层；对n型外延层掺杂施主杂质n，p外延层掺杂受主杂质p；在p+外延层表面制备p+电极增强层；对n+硅晶圆片进行减薄；在n+硅晶圆片的减薄面制备n+电极增强层；按照台面管芯设计图形，通过光刻、腐蚀工艺，由n+电极增强层向p+外延层腐蚀，得到高频IMPATT二极管台面管芯结构；该结构能较好地减小器件高频工作状态下因趋肤效应而引入的附加等效电阻，增大器件高频工作状态下的输出功率，提高器件的可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110531242A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910816110.8
申请日：2019-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种雪崩二极管热电疲劳试验夹持装置，其特征在于：它包括二极管夹持组件（1），在二极管夹持组件（1）一端设有对应配合的接插式手柄（2），在设置一个与二极管夹持组件（1）对应配合的二极管分离组件（3）。本发明结构简单、使用方便，在热电疲劳试验时为雪崩二极管提供了可靠的固定夹具，实现雪崩二极管的安全可靠连接，使得雪崩二极管在整个热电疲劳试验过程中保持稳定，试验完成后便于对二极管的拆取，从而提高整个试验的实验效率，并确保了试验过程的安全性、可靠性。
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公开(公告)号：CN118763376A
公开(公告)日：2024-10-11
申请号：CN202410984898.4
申请日：2024-07-22
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01P5/16
Abstract: 本发明涉及一种毫米波空间功率合成装置，金属材料制成的主板（1）和盖板（2），主板的一侧设有波导进口通道（3）和垂直的横向通道（4），横向通道两端设置第一纵向通道（5）；在主板上设有两道第二纵向通道（10），主板另一侧设有波导出口通道（11）；在第一纵向通道与相邻的第二纵向通道中分别连接第一基板（7）及波导微波放大器F；在两个第二纵向通道之间分别连接一个第二基板（9），第二基板上对称设置两个波导微波放大器F，盖板中也是设有与主板中相同通道，通过定位螺栓（12）定位连接将盖板与主板合为一体。本发明有益效果是：传输结构空间功率合成装置传输损耗较低，实现多路毫米波信号的放大合成输出，空间功率矢量合成效率较高。
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公开(公告)号：CN104267229A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410537738.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R15/00
Abstract: 本发明公开一种微电容测试连接装置，包括金属底座(1)，所述金属底座(1)顶面设有背面共地结构的共面波导(2)，共面波导(2)的导电金属带(4)上设有用于放置电容的卡槽(13)，导电金属带(4)的两端分别设有与电容测试仪连接的SMA接口；共面波导(2)及SMA接口的特征阻抗与电容测试仪的特征阻抗相匹配；共面波导及SMA接口的特征阻抗与电容测试仪器的特征阻抗相匹配，相当于把被测电容直接连接于电容测试仪的两个端口，消除了传统测试连接方法中，由于测量仪与被测电容之间接有不匹配连接线而引起的寄生电容与杂散电容，提高检测精度，适应各种微电容的连接测试。
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公开(公告)号：CN116053132A
公开(公告)日：2023-05-02
申请号：CN202211342034.X
申请日：2022-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/329 , H01L29/864
Abstract: 本发明提供一种毫米波宽带IMPATT管超薄硅材料制备方法,采用多次离子注入工艺手段，在本征硅层上利用数次磷、硼杂质的离子注入与RTA退火工艺，使得材料内部杂质元素净掺杂分布按照IMPATT管器件设计的P+、P、N与N+区4个区域，形成不同的分布较为均匀的浓度分布台阶。本明具有操作步骤简单、实施方式简便，生产成本低廉，制备周期短等优点。
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公开(公告)号：CN106405362A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610722805.6
申请日：2016-08-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管低频参数测试装置，包括底座，底座侧部设有四个BNC接头，底座上设有固定台，固定台内嵌设有下测试探针，下测试探针与固定台相互绝缘，下测试探针顶端设有用于容纳待测雪崩二极管的卡槽、底端设有两根测试线缆，两根测试线缆另一端分别与两个BNC接头相连；测试装置还包括支撑架与支撑臂，支撑臂一端与支撑架铰接、另一端设有上测试探针，上测试探针用于和待测雪崩二极管形成配合，上测试探针尾部也设有两根测试线缆，该两根测试线缆另一端分别与另外两个BNC接头相连；从而构成对雪崩二极管的开尔文接法，BNC接头可以很方便地与各类测试仪表相连接，从而对雪崩二极管进行低频电学参数的测试。
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