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公开(公告)号：CN1281925C
公开(公告)日：2006-10-25
申请号：CN200510011202.7
申请日：2005-01-19
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种提高磁编码器磁鼓分辨率的方法。采用涂布工艺，挤压成形制备磁鼓后，用精细抛光砂纸抛光磁性层，使磁性涂层减薄至0.1～0.05mm。再用窄漏磁间隙的磁头对磁鼓写入磁极，采用的窄漏磁间隙为0.1～0.05mm漏磁间隙的磁头对磁鼓进行充磁，写入磁极为512对极。本发明的优点在于，工艺精简，易于操作，可写入512对极，脉冲计数完整，输出波形信号良好，元器件性能优异。
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公开(公告)号：CN1674147A
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN200510011392.2
申请日：2005-03-07
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种抑制具有垂直磁各向异性薄膜中Mn扩散的方法，在FeMn或其他反铁磁Mn合金与Pt/Co多层膜之间插入Co的纳米氧化层或CoFe的纳米氧化层来阻止Mn的扩散。本发明的优点在于：因为采用纳米氧化层NOL插入(Pt/Co)n与FeMn或其它反铁磁Mn合金之间。Mn原子将与NOL中的Co的氧化物或Fe的氧化物反应形成MnO，从而使Mn原子陷在NOL中，阻止它的向(Pt/Co)n中的进一步扩散。这样就保证了多层膜具有良好的垂直磁各向异性及垂直交换耦合场。本发明具有制备方便、成本低、交换耦合场提高明显等优点。
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公开(公告)号：CN101182632A
公开(公告)日：2008-05-21
申请号：CN200710179580.5
申请日：2007-12-14
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种利用二次退火降低自旋阀薄膜矫顽力的方法，属于信息电子、功能材料领域。在磁控溅射仪中制备自旋阀薄膜，在真空退火炉中进行退火。其特征在于：采用两次退火，退火顺序依次为在1000～3000Oe磁场下，在100～300℃温度下，保温0.5～3h后，降至室温；再在50～300Oe磁场下，在100～300℃温度下，保温0.5～3h；第一次退火时的磁场方向沿着自旋阀薄膜制备态时的易轴方向，第二次退火时的磁场方向与第一次退火时的磁场方向垂直；退火时本底真空度为1×10－4～1×10－5Pa；退火时通入一定流量的N2作为保护气体。本发明的优点在于：利用两次退火，既提高了自旋阀薄膜在室温下的磁阻效应，又明显降低了薄膜的矫顽力。本发明对改进磁传感器的性能有重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN101148751A
公开(公告)日：2008-03-26
申请号：CN200710176699.7
申请日：2007-11-01
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种用反铁磁材料提高金属磁性多层膜矫顽力的方法，利用磁控溅射仪，在清洗干净的玻璃基片沉积铂Pt/[钴铬CoCr/铂Pt]5/铁锰FeMn/铂Pt多层膜。本发明的优点在于：薄膜的厚度较小，同时又具有良好的垂直磁各向异性和较高的矫顽力，比较适合应用于CoCr合金薄膜的超高密度垂直磁记录。此外，沉积后的薄膜无需进行后退火处理，所以它还具有成本低，制备简单等优点，适用于未来的生产。
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公开(公告)号：CN100352076C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200410009805.9
申请日：2004-11-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及磁电阻薄膜的制备方法，特别是涉及各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备。本方法是采用磁控溅射方法，通过选取不同成分的NixFe100-x合金靶，x为78～85，以及溅射前通入镀膜室99.99%纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa，控制薄膜杂质含量小于0.1%，制备出具有准确成分的Ni81Fe19薄膜。本方法在进一步降低薄膜制备难度的同时，仍能保证薄膜很薄时具有较高的各向异性磁电阻值和低矫顽力、低晶体各向异性、大的磁化强度和低磁致伸缩等综合性能，以满足磁传感器的性能和产品需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1276239C
公开(公告)日：2006-09-20
申请号：CN200410009165.1
申请日：2004-06-02
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种使用金属薄膜磁电阻探头的磁栅尺位移传感器。其特征在于：磁栅尺位移传感器由敏感元件金属薄膜磁电阻探头(13)和被充磁的磁栅尺带(12)构成，金属薄膜磁电阻探头(13)中的金属薄膜磁电阻(10)与磁栅尺带(12)之间的距离为10微米～10毫米；金属薄膜磁电阻探头(13)由印刷电路板(PCB)衬板(1)、基片层(2)、缓冲层(3)、在基片层(2)上溅射生成磁性金属合金薄膜层(4)、金属导电薄膜层(5)、保护层(6)、金丝压焊引线(7)、镀金电极(8)、挠性电路板引线(9)组成。其优点在于灵敏度高、温度稳定性好，信号处理电路简单。通过合理设计磁阻条的排列与分布达到降低和消除信号输出中的高次谐波仅保留基波，提高位移测量的细分精度。
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公开(公告)号：CN1632965A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410009805.9
申请日：2004-11-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及磁电阻薄膜的制备方法，特别是涉及各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备。本方法是采用磁控溅射方法，通过选取不同成分的NixFe1－x合金靶，x为78～85，以及溅射前通入镀膜室99.99％纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa，控制薄膜杂质含量小于0.1％，制备出具有准确成分的Ni81Fe19薄膜。本方法在进一步降低薄膜制备难度的同时，仍能保证薄膜很薄时具有较高的各向异性磁电阻值和低矫顽力、低晶体各向异性、大的磁化强度和低磁致伸缩等综合性能，以满足磁传感器的性能和产品需求。
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公开(公告)号：CN1141743C
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN02103674.8
申请日：2002-02-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种利用表面活化剂对自旋阀改性的方法，涉及巨磁电阻多层膜的制备方法。本方法是将清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120)/镍铁NiFe(60～100)/铜Cu(23～30)/Bi(2～30)/镍铁NiFe(35～60)/铁锰FeMn(70～150)/钽Ta(50～90)。本发明由于采用表面活化剂Bi插入自旋阀巨磁电阻多层膜膜中，其交换耦合场Hex比不插Bi的自旋阀的交换耦合场Hex明显提高，最大可达60%，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN1381909A
公开(公告)日：2002-11-27
申请号：CN02103674.8
申请日：2002-02-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种利用表面活化剂对自旋阀改性的方法,涉及巨磁电阻多层膜的制备方法。本方法是将清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120A)/镍铁NiFe(60～100A)/铜Cu(23～30A)/Bi(2～30A)/镍铁NiFe(35～60A)/铁锰FeMn(70～150A)/钽Ta(50～90A)。本发明由于采用表面活化剂Bi插入自旋阀巨磁电阻多层膜膜中,其交换耦合场Hex比不插Bi的自旋阀的交换耦合场Hex明显提高,最大可达60%,具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低等优点。
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公开(公告)号：CN1380441A
公开(公告)日：2002-11-20
申请号：CN02103673.X
申请日：2002-02-08
Applicant: 北京科技大学
IPC: C23C14/34
Abstract: 一种冷阴极溅射制备薄膜的方法及装置,涉及薄膜的制备方法及装置,特别是涉及到利用溅射方法制备薄膜。本发明是在电子能谱仪样品制备室中装有样品基座来制备薄膜,控制样品制备室的本底真空为2×10－7～8×10－7Pa,溅射气压为1×10－4～3×10－4Pa,薄膜沉积速率1～3A/分钟,在单晶Si或玻璃基片上依次沉积所要沉积的薄膜,采用此方法所用装置的主要结构是离子枪(6)相对于样品轰击台(5)的对称方位上安置一样品基座(2),基片(3)被贴在基座(2)下面,并且垂直于基座(2)平面的中心轴线、样品轰击台(5)的中心轴线以及离子枪(6)的中心轴线在同一平面内。本发明不仅可以制备出均匀、性能明显提高的较薄薄膜,而且制备简单,成本低。
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