公开(公告)号：CN1141743C

公开(公告)日：2004-03-10

申请号：CN02103674.8

申请日：2002-02-08

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 朱逢吾 ,  于广华 ,  赖武彦 ,  滕蛟

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/39 ,  H01L43/12

Abstract: 一种利用表面活化剂对自旋阀改性的方法，涉及巨磁电阻多层膜的制备方法。本方法是将清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120)/镍铁NiFe(60～100)/铜Cu(23～30)/Bi(2～30)/镍铁NiFe(35～60)/铁锰FeMn(70～150)/钽Ta(50～90)。本发明由于采用表面活化剂Bi插入自旋阀巨磁电阻多层膜膜中，其交换耦合场Hex比不插Bi的自旋阀的交换耦合场Hex明显提高，最大可达60%，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低等优点。

公开(公告)号：CN1381909A

公开(公告)日：2002-11-27

申请号：CN02103674.8

申请日：2002-02-08

Applicant: 北京科技大学

Inventor： 朱逢吾 ,  于广华 ,  赖武彦 ,  滕蛟

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/12

Abstract: 一种利用表面活化剂对自旋阀改性的方法,涉及巨磁电阻多层膜的制备方法。本方法是将清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120A)/镍铁NiFe(60～100A)/铜Cu(23～30A)/Bi(2～30A)/镍铁NiFe(35～60A)/铁锰FeMn(70～150A)/钽Ta(50～90A)。本发明由于采用表面活化剂Bi插入自旋阀巨磁电阻多层膜膜中,其交换耦合场Hex比不插Bi的自旋阀的交换耦合场Hex明显提高,最大可达60%,具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低等优点。