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公开(公告)号：CN101046394B
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200710064729.5
申请日：2007-03-23
Applicant: 北京科技大学
IPC: G01D5/249
Abstract: 一种高精度磁编码器用磁鼓的制备方法，属于磁编码器技术领域。以铝合金为基体，以钴盐、还原剂、络合剂、缓冲剂按比例配成溶液，化学镀法制备Co-P或Co-Ni-P薄膜作为磁鼓的记录介质。薄膜中P含量为5～10％，为晶态，有磁性；膜厚为1～10μm。对用该法制得的磁鼓，可写入1024～2500对N、S磁极。本发明的优点在于：磁性薄膜磁性能优异，制备工艺稳定，实施性强，易于工业化批量生产；制得的磁鼓分辨率高，与各向异性磁电阻薄膜探头结合，可得到高精度的磁旋转编码器。
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公开(公告)号：CN1305086C
公开(公告)日：2007-03-14
申请号：CN200410009961.5
申请日：2004-12-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种利用表面活化剂抑制界面反应的方法，涉及磁性多层膜的制备方法。本方法是在清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120)/氧化镍NiO(60～100)/铋Bi(或Pb、In等)(2～30)/镍铁NiFe(30～100)/钽Ta(50～90)。本发明由于采用表面活化剂Bi(或Pb、In等)插入自旋阀巨磁电阻多层膜或隧道结中的反铁磁NiO/铁磁NiFe薄膜界面，NiO与NiFe间的界面反应被抑制，其交换耦合场Hex比不插表面活化剂Bi(或Pb、In等)的交换耦合场Hex提高最大可达80%，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低、交换耦合场Hex提高明显等优点。
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公开(公告)号：CN1297953C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200410101847.5
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构，采用玻璃或单晶硅基片，通过等离子体溅射、磁控溅射或者分子束外延生长手段制备而成的一种金属多层膜结构，然后通过照相平版印刷或电子束印刷、离子刻蚀的手段分别在金属多层膜的顶层和底层膜面制作出两个电极，使该自旋阀在工作时，信号电流的流动方向垂直于金属多层膜膜面。本发明的优点在于将电流垂直薄膜平面与磁各向异性易轴垂直薄膜面两个特征完美结合在一起大幅度的提高自旋阀的磁电阻效应；有效的改善了自旋阀的磁均匀性，使这种自旋阀材料加工到纳米级时，仍可保持单磁畴结构。
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公开(公告)号：CN1641750A
公开(公告)日：2005-07-20
申请号：CN200410101847.5
申请日：2004-12-28
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种制备双垂直自旋阀的方法及其结构，采用玻璃或单晶硅基片，通过等离子体溅射、磁控溅射或者分子束外延生长手段制备而成的一种金属多层膜结构，然后通过照相平版印刷或电子束印刷、离子刻蚀的手段分别在金属多层膜的顶层和底层膜面制作出两个电极，使该自旋阀在工作时，信号电流的流动方向垂直于金属多层膜膜面。本发明的优点在于将电流垂直薄膜平面与磁各向异性易轴垂直薄膜面两个特征完美结合在一起大幅度的提高自旋阀的磁电阻效应；有效的改善了自旋阀的磁均匀性，使这种自旋阀材料加工到纳米级时，仍可保持单磁畴结构。
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公开(公告)号：CN1614416A
公开(公告)日：2005-05-11
申请号：CN200410009962.X
申请日：2004-12-03
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种测量薄膜沉积速率的方法。将20～50氧化物薄膜或不易氧化金属薄膜沉积到玻璃基片或单晶硅基片上，利用角分辨X射线光电子能谱测定它们的厚度，这个厚度除以所用沉积时间，就是该薄膜材料的沉积速率。具体步骤为：将沉积到玻璃基片或单晶硅基片上的20～50氧化物薄膜或不易氧化金属薄膜送进超高真空的X射线光电子能谱仪中；实验时，通过改变α角度，收集Si 2p XPS谱图，当刚刚出现Si 2p峰时，停止数据收集，记下α值，由公式d＝3λsin α来算出薄膜材料厚度；该厚度除以所用薄膜沉积时间，就是该薄膜材料的溅射速率。本发明的优点在于：简化了测量方法，并实现了测量数据准确。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1042140A
公开(公告)日：1990-05-16
申请号：CN88109150
申请日：1988-10-26
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明属非金属材料生产工艺。现行的抗水高强氧化铝水泥制造方法是通过在氧化铝水泥与部份碱化的溶水性聚醋酸乙烯中加入适量有机二羧酸或丁二酸并在温度为60～120℃、压力为200～250kg/cm2下成型而达到其抗水性能的。此法成本高且不便于工业生产。本发明将添加有机二羧醋或丁二酸的方法改为对高强氧化铝水泥即氧化铝水泥与聚醋酸乙烯混合干燥硬化物实行甲醛溶液表面处，从而使成本降低，便于工业生产，且抗水性能有所改善。
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公开(公告)号：CN100352076C
公开(公告)日：2007-11-28
申请号：CN200410009805.9
申请日：2004-11-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及磁电阻薄膜的制备方法，特别是涉及各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备。本方法是采用磁控溅射方法，通过选取不同成分的NixFe100-x合金靶，x为78～85，以及溅射前通入镀膜室99.99%纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa，控制薄膜杂质含量小于0.1%，制备出具有准确成分的Ni81Fe19薄膜。本方法在进一步降低薄膜制备难度的同时，仍能保证薄膜很薄时具有较高的各向异性磁电阻值和低矫顽力、低晶体各向异性、大的磁化强度和低磁致伸缩等综合性能，以满足磁传感器的性能和产品需求。
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公开(公告)号：CN1297801C
公开(公告)日：2007-01-31
申请号：CN200410009427.4
申请日：2004-08-13
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 本发明提供了一种高分辨率磁编码器磁鼓的制备方法。采用涂布工艺，挤压成形制备磁鼓材料。将磁粉、粘结剂、稀释剂、固化剂、分散剂按比例混合制成磁浆，然后涂布于磁鼓基体上。将涂布后的磁鼓基体旋转固化。在磁浆处于半固化状态时，用高平整度的轴承挤压成形，达到0.15～0.4mm厚度。完全固化后，由高分辨率的光学编码器脉冲分频旋转充磁，可以对磁鼓写入128、256对极，倍频后可得到更高的分辨率。本发明的优点在于：工艺简单，操作性好，成品率高，易于批量生产。磁鼓充磁后，采用金属薄膜磁电阻传感探头检测磁鼓表面分布磁场。
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公开(公告)号：CN1632965A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410009805.9
申请日：2004-11-16
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备方法，涉及磁电阻薄膜的制备方法，特别是涉及各向异性磁电阻坡莫合金薄膜的制备。本方法是采用磁控溅射方法，通过选取不同成分的NixFe1－x合金靶，x为78～85，以及溅射前通入镀膜室99.99％纯度氩气0.5～1小时，维持在气压0.1～0.5Pa，控制薄膜杂质含量小于0.1％，制备出具有准确成分的Ni81Fe19薄膜。本方法在进一步降低薄膜制备难度的同时，仍能保证薄膜很薄时具有较高的各向异性磁电阻值和低矫顽力、低晶体各向异性、大的磁化强度和低磁致伸缩等综合性能，以满足磁传感器的性能和产品需求。
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公开(公告)号：CN1141743C
公开(公告)日：2004-03-10
申请号：CN02103674.8
申请日：2002-02-08
Applicant: 北京科技大学
Abstract: 一种利用表面活化剂对自旋阀改性的方法，涉及巨磁电阻多层膜的制备方法。本方法是将清洗干净的玻璃基片上依次沉积钽Ta(50～120)/镍铁NiFe(60～100)/铜Cu(23～30)/Bi(2～30)/镍铁NiFe(35～60)/铁锰FeMn(70～150)/钽Ta(50～90)。本发明由于采用表面活化剂Bi插入自旋阀巨磁电阻多层膜膜中，其交换耦合场Hex比不插Bi的自旋阀的交换耦合场Hex明显提高，最大可达60%，具有制备方便、不需要磁场热处理、成本低等优点。
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