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公开(公告)号：CN119181690A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411696417.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，功率器件包括：第一桥臂结构，包括第一衬板、第二衬板以及第一芯片，第二衬板设置在第一衬板的上表面，第一芯片的漏极与第一衬板的上表面导电连接，第一芯片的源极与第二衬板的上表面导电连接；端子组件，包括第一功率端子和第二功率端子，第一功率端子与第一衬板的上表面电连接，第二功率端子与第二衬板的上表面电连接，第一功率端子和第二功率端子位于第一衬板的同一侧。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率器件散热差且开关速度低的问题。
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公开(公告)号：CN119181690B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411696417.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，功率器件包括：第一桥臂结构，包括第一衬板、第二衬板以及第一芯片，第二衬板设置在第一衬板的上表面，第一芯片的漏极与第一衬板的上表面导电连接，第一芯片的源极与第二衬板的上表面导电连接；端子组件，包括第一功率端子和第二功率端子，第一功率端子与第一衬板的上表面电连接，第二功率端子与第二衬板的上表面电连接，第一功率端子和第二功率端子位于第一衬板的同一侧。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率器件散热差且开关速度低的问题。
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公开(公告)号：CN117096094B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311362406.X
申请日：2023-10-20
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。
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公开(公告)号：CN117096094A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202311362406.X
申请日：2023-10-20
IPC: H01L21/687 , H01L21/67
Abstract: 本发明涉及一种适用于多规格AMB基板同时烧结的夹具装置，其包括安装底板，用于作为基板承载机构，所述安装底板内设有至少一个底板凹槽；AMB基板，用于对芯片提供支撑、散热以及保护，每个底板凹槽内均安设有一块所述AMB基板；金属罩，用于保护AMB基板边缘，所述金属罩覆盖于安装底板上层，且所述金属罩正对每个底板凹槽位置分别设有金属罩窗口；薄膜，用于封闭底板凹槽内的AMB基板及芯片，所述薄膜覆盖于金属罩上层；锁紧环，用于夹紧并固定薄膜，所述锁紧环位于薄膜上层，且所述锁紧环紧贴薄膜边缘，所述锁紧环通过紧固件将薄膜与金属罩压至安装底板；该装置实现多规格AMB基板同时烧结，提高了夹具通用性，提高烧结效率。
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公开(公告)号：CN115911011B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211405501.9
申请日：2022-11-10
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L25/07 , H01L23/495 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供的功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件，多级串联功率芯片结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联均压回路结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联功率芯片结构的第二端与所述多级串联均压回路结构的第二端固定连接。本发明通过在器件内部完成器件的串联，并集成均压回路，提高了模块的功率密度和集成度，并提升了可靠性。
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公开(公告)号：CN115910950A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211410185.4
申请日：2022-11-10
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/485 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块，功率半导体器件封装结构包括：下导电散热板，所述下导电散热板的一侧的部分表面具有沉槽；功率芯片，位于所述沉槽中，所述功率芯片与所述下导电散热板电连接。所述功率半导体器件封装结构的散热效果好、功率密度大且寄生电感低。
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公开(公告)号：CN117316357A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311408223.7
申请日：2023-10-27
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 一种复合互连材料设计方法，包括如下步骤：对互连层进行热力学仿真；判断互连材料特性；结合实际互连材料特性情况，不同区域应用相应热膨胀系数的材料，然后对新的互连层进行热力学仿真，得到更换区域材料之后的应力分布，与更换区域材料前应力进行对比，观察互连层内部应力是否减小至所需范围；互连层内部应力未减小至所需范围，则结合实际调整材料参数重新进行仿真计算；若互连层质量满足需求，复合互连材料设计完成。本发明提高了器件的使用寿命，为未来复合互连材料的设计提供了新思路，对于未来复合式的预成型焊片、焊膏、烧结材料等的设计制作提供了依据。
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公开(公告)号：CN117116864A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310325506.9
申请日：2023-03-29
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/12 , H01L23/49 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/492
Abstract: 一种弹性压接封装结构，包括第一电极板、芯片、弹性组件和第二电极板，弹性组件包括一体成型且依次连接的第一导电段、弹性伸缩段和第二导电段，第一电极板通过芯片与第一导电段电性连接，第二导电段与第二电极板电性连接。本发明提供的弹性压接封装结构取消碟簧杆和弹簧外框架，将多个弹性部件如碟簧片和弹簧帽进行一体化设计，简化了弹性组件的结构且缩小了弹性组件的体积。同时，整个弹性组件结构采用高热导率材料，较现有弹性组件可明显提高该热流路径上的散热能力。
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公开(公告)号：CN115621226A
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN202211405483.4
申请日：2022-11-10
IPC: H01L23/427 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的封装结构、半导体器件模块，半导体器件的封装结构用于安装芯片，包括：电极组件，电极组件与芯片的第一电极电性连接；电极组件包括：第一电极部件、弹簧、弹性连接件、第二电极部件和传热组件，弹簧的两端分别与第一电极部件和第二电极部件连接；第一电极部件与第二电极部件通过弹性连接件电性连接；传热组件包括第一传热端和第二传热端，第一传热端和第一电极部件固定连接，第二传热端和第二电极部件活动连接；或，第一传热端和第一电极部件活动连接，第二传热端和第二电极部件固定连接。上述的半导体器件的封装结构既能满足高度补偿，同时可以提升半导体器件的散热能力。
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公开(公告)号：CN115910985B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202211405522.0
申请日：2022-11-10
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/24 , H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：栅极PCB板和多个并联的子模组，每个子模组包括半导体芯片和栅极引出端，栅极PCB板包括驱动连接单元，栅极引出端的一端连接半导体芯片的栅极；栅极PCB板上设置有多个与栅极引出端的另一端电连接的栅极触点，多个栅极触点通过多个第一布线层与驱动连接单元连接，流经多个第一布线层的电流路径一致。通过实施本发明，使得驱动端至各栅极触点的电流路径一致，实现了栅极寄生参数均衡化，从而有效提升了模块内部并联模组间电流的均流能力，提升了模块整体的安全工作区。并且均流能力的提升，能够在增加并联子模组的同时，提升其安全可靠性。
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