-
公开(公告)号：CN115910950A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211410185.4
申请日：2022-11-10
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/367 , H01L23/473 , H01L23/485 , H01L23/31
Abstract: 本发明提供一种功率半导体器件封装结构和功率半导体器件模块，功率半导体器件封装结构包括：下导电散热板，所述下导电散热板的一侧的部分表面具有沉槽；功率芯片，位于所述沉槽中，所述功率芯片与所述下导电散热板电连接。所述功率半导体器件封装结构的散热效果好、功率密度大且寄生电感低。
-
公开(公告)号：CN117116864A
公开(公告)日：2023-11-24
申请号：CN202310325506.9
申请日：2023-03-29
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/12 , H01L23/49 , H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/492
Abstract: 一种弹性压接封装结构，包括第一电极板、芯片、弹性组件和第二电极板，弹性组件包括一体成型且依次连接的第一导电段、弹性伸缩段和第二导电段，第一电极板通过芯片与第一导电段电性连接，第二导电段与第二电极板电性连接。本发明提供的弹性压接封装结构取消碟簧杆和弹簧外框架，将多个弹性部件如碟簧片和弹簧帽进行一体化设计，简化了弹性组件的结构且缩小了弹性组件的体积。同时，整个弹性组件结构采用高热导率材料，较现有弹性组件可明显提高该热流路径上的散热能力。
-
公开(公告)号：CN115188722A
公开(公告)日：2022-10-14
申请号：CN202210839504.7
申请日：2022-07-15
Applicant: 国网智能电网研究院有限公司 , 国家电网有限公司 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L23/367 , H01L23/373 , H01L23/32
Abstract: 本申请提供一种用于半导体芯片封装的结构，包括：基板；在所述基板的上表面上设置有凹槽，所述凹槽内设置有芯片载台，在所述芯片载台上设置有半导体芯片；在所述基板的上表面上还设置有绝缘层，所述绝缘层背离所述基板的一侧表面设置有导电层，所述导电层与所述半导体芯片电连接；壳体，所述壳体罩设于所述基板上且在所述壳体内形成容纳半导体芯片、芯片载台、绝缘层和导电层的空腔，在所述空腔内填充有塑封料；导电端子，所述导电端子的一端与所述导电层连接，所述导电端子的另一端暴露在壳体外。本申请通过减少半导体芯片产生的热量在向外传输的过程中所经过的界面数量，降低了接触热阻，改善了散热效果。
-
公开(公告)号：CN117316357A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202311408223.7
申请日：2023-10-27
IPC: G16C60/00 , G06F30/20 , G06F119/08 , G06F119/14
Abstract: 一种复合互连材料设计方法，包括如下步骤：对互连层进行热力学仿真；判断互连材料特性；结合实际互连材料特性情况，不同区域应用相应热膨胀系数的材料，然后对新的互连层进行热力学仿真，得到更换区域材料之后的应力分布，与更换区域材料前应力进行对比，观察互连层内部应力是否减小至所需范围；互连层内部应力未减小至所需范围，则结合实际调整材料参数重新进行仿真计算；若互连层质量满足需求，复合互连材料设计完成。本发明提高了器件的使用寿命，为未来复合互连材料的设计提供了新思路，对于未来复合式的预成型焊片、焊膏、烧结材料等的设计制作提供了依据。
-
公开(公告)号：CN115790934A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202211439668.7
申请日：2022-11-17
Abstract: 本发明公开了一种压接型功率半导体器件压力分布测试装置及测试方法，该装置包括：基座，用于和待测器件连接，保持待测器件的正常工作；压力测量装置，测量施加在待测器件的整体压力值；超声波发射接收传感器，测量待测器件内部每个芯片的相对压力；处理器，用于接收整体压力值和相对压力，获取待测器件内部每个芯片压力值。通过设置基座，为待测器件提供通流能力，还可以作为待测器件进行压力测试时的物理载体；设置超声波发射接收传感器以及压力测量装置实现了芯片相对压力以及器件整体压力的测量；设置处理器计算得到待测器件内部每个芯片压力值。解决了现有技术中无法对工作状态下压接型功率半导体器件内部芯片压力进行准确测试的问题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115911011B
公开(公告)日：2023-09-22
申请号：CN202211405501.9
申请日：2022-11-10
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L25/07 , H01L23/495 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供的功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件，多级串联功率芯片结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联均压回路结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联功率芯片结构的第二端与所述多级串联均压回路结构的第二端固定连接。本发明通过在器件内部完成器件的串联，并集成均压回路，提高了模块的功率密度和集成度，并提升了可靠性。
-
公开(公告)号：CN115662975A
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211325118.2
申请日：2022-10-27
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L23/538 , H01L23/34 , H01L25/07 , H01L25/16
Abstract: 本发明提供了一种功率芯片封装结构，包括：相对设置的上板组件和下板组件；依次串联连接的第一互联单元、第三互联单元组和第二互联单元，均位于上板组件和下板组件之间，第三互联单元组包括至少一个第三互联单元；第一互联单元包括若干并联连接的第一芯片、第二互联单元包括若干并联连接的第二芯片、第三互联单元包括若干并联连接的第三芯片。本发明的功率芯片封装结构能够满足高电压大功率器件的要求。
-
公开(公告)号：CN118099115A
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202211442627.3
申请日：2022-11-17
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L23/48 , H01L23/31 , H01L23/373 , H01L21/66
Abstract: 一种高压功率半导体单芯片封装模块及方法，包括：底板、外壳、功率回路电极端子、控制回路电极端子、衬板、高压功率半导体芯片、键合线、硅凝胶、绝缘电压评定单元。高压功率半导体单芯片模块封装结构，围绕电极端子的出口孔设置多个伞裙增大爬电距离，显著降低了器件高度，高电压、低寄生参数、低损耗。通过更改衬板版图设计，可适配多种不同类型和尺寸的芯片封装需求，显著提高了封装灵活性。栅极采用开尔文连接方式，实现功率回路和控制回路分离，降低开关振荡，提升器件安全工作区。本发明的底板采用高热导率、低热膨胀系数材料降低器件结壳热阻，实现高功率密度封装，满足单芯片评估需求。
-
公开(公告)号：CN115910985B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202211405522.0
申请日：2022-11-10
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L23/498 , H01L23/495 , H01L23/367 , H01L23/24 , H01L23/64
Abstract: 本发明公开了一种功率半导体模块，包括：栅极PCB板和多个并联的子模组，每个子模组包括半导体芯片和栅极引出端，栅极PCB板包括驱动连接单元，栅极引出端的一端连接半导体芯片的栅极；栅极PCB板上设置有多个与栅极引出端的另一端电连接的栅极触点，多个栅极触点通过多个第一布线层与驱动连接单元连接，流经多个第一布线层的电流路径一致。通过实施本发明，使得驱动端至各栅极触点的电流路径一致，实现了栅极寄生参数均衡化，从而有效提升了模块内部并联模组间电流的均流能力，提升了模块整体的安全工作区。并且均流能力的提升，能够在增加并联子模组的同时，提升其安全可靠性。
-
公开(公告)号：CN115911011A
公开(公告)日：2023-04-04
申请号：CN202211405501.9
申请日：2022-11-10
Applicant: 北京智慧能源研究院
IPC: H01L25/07 , H01L23/495 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供的功率半导体器件串联均压结构及功率半导体器件，多级串联功率芯片结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联均压回路结构的第一端固定至所述第一极性金属板的第一侧面上；所述多级串联功率芯片结构的第二端与所述多级串联均压回路结构的第二端固定连接。本发明通过在器件内部完成器件的串联，并集成均压回路，提高了模块的功率密度和集成度，并提升了可靠性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
15
records
(took 0.048 seconds)
