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公开(公告)号：CN118969739B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411438306.5
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/49 , H01L23/08
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板以及与基板连接的围板；半导体芯片，与基板连接；第一端子，与半导体芯片的第一侧连接；第二端子，与半导体芯片的第二侧连接；绝缘加强部，与围板连接，绝缘加强部包括第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋，第一绝缘加强肋设置在第一端子和第二端子之间，第二绝缘加强肋的两端分别与围板的相对的两个内表面连接，第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋相交且相连。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的壳体的绝缘性能和结构强度难以兼顾的问题。
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公开(公告)号：CN119689222A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202510146600.7
申请日：2025-02-10
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国网福建省电力公司电力科学研究院
Abstract: 本申请涉及一种用于大功率电力电子芯片高压测试装置及方法，该装置包括包括探针组件、探针调节单元、晶圆定位平台和定位平台运动单元；所述晶圆定位平台对芯片进行固定，所述定位平台运动单元承载晶圆定位平台内的芯片在平面范围内运动；所述探针组件对芯片进行连接测试，所述探针调节单元控制探针组件与晶圆定位平台内相对位置；通过探针组件与晶圆定位平台的不同规格设计，可针对不同电压等级的芯片进行高压测试，通过探针调节单元和定位平台运动单元可实现测试过程中灵活调整探针与油池间距，提升高压电力电子芯片的测试效率。解决了芯片测试过程中受探针设计尺寸和规格限制，造成油池深度不能灵活调整、芯片高压打火、难以自动化测试的问题。
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公开(公告)号：CN119050109B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411540447.8
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率单元及具有其的功率器件，其中，功率单元包括：基板，基板在第一方向上依次间隔设置有第一端子导电部、芯片导电部以及第二端子导电部，芯片导电部与第二端子导电部导电连接；芯片，设置在芯片导电部上，芯片的第一侧与芯片导电部连接，芯片的第二侧与第一端子导电部导电连接；第一二极管，设置在第二端子导电部上；控制部，设置在基板上，并与芯片连接，控制部设置在芯片与第一二极管之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率单元散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119342877A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202411891237.3
申请日：2024-12-20
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件以及晶体管。该半导体器件包括：衬底；外延层，位于衬底的表面上；第一注入区，位于外延层中，第一注入区的远离衬底的表面与外延层的远离衬底的部分表面重叠；斜角沟道区，位于第一注入区中，斜角沟道区的导电类型与第一注入区的导电类型不同，斜角沟道区的远离衬底的表面与第一注入区的远离衬底的表面之间的夹角不为0°；栅极结构，位于外延层的远离衬底的部分表面上，斜角沟道区在衬底的正投影位于栅极结构在衬底的正投影中。本申请至少解决现有技术中半导体器件的沟道迁移率较低的问题。
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公开(公告)号：CN119335325A
公开(公告)日：2025-01-21
申请号：CN202310878688.2
申请日：2023-07-18
Abstract: 本发明提供了一种应用于芯片高压测试的测试装置及测试方法，属于半导体生产技术领域，该测试装置包括可发热的载物台、测试油槽、探针座和探针。测试油槽设置在载物台上；探针座设置在测试油槽外，探针设置在探针座上；测试过程中，测试油槽盛放绝缘油，探针与放置在测试油槽中的器件相接触。该测试装置通过将器件放在绝缘油中进行高压测试，可杜绝测试过程中导电通道的出现，保证测试提高精度，防止高压测试过程中器件被损坏。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119050109A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411540447.8
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率单元及具有其的功率器件，其中，功率单元包括：基板，基板在第一方向上依次间隔设置有第一端子导电部、芯片导电部以及第二端子导电部，芯片导电部与第二端子导电部导电连接；芯片，设置在芯片导电部上，芯片的第一侧与芯片导电部连接，芯片的第二侧与第一端子导电部导电连接；第一二极管，设置在第二端子导电部上；控制部，设置在基板上，并与芯片连接，控制部设置在芯片与第一二极管之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率单元散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN118962377A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411445507.8
申请日：2024-10-16
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供了一种碳化硅器件的高温耐压极限值的确定方法和系统，该方法由于将高温烘箱的温度调节为预设最高工作结温，并以不断提高直流源模组输出的反向偏压为基准，对测试组不断施加反向偏压，从而实现了高温耐压极限值的测试目的，另外在每次对测试组施加反向偏压持续第一预设时间之后，根据测试组的当前电学性能参数的大小，确定测试组的高温耐压极限值是否为当前次的反向偏压，且测试组的当前电学性能参数包括测试组的碳化硅器件的当前栅极漏电流、当前阈值电压和当前漏极漏电流，从而使得测试组的高温耐压极限值的确定更加符合实际工况，进而解决了现有方案对SiC MOSFET高温耐压极限值的确定的效率较低的问题。
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公开(公告)号：CN118962376A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202411445503.X
申请日：2024-10-16
IPC: G01R31/26
Abstract: 本申请提供了一种待测碳化硅器件的栅极氧化层失效的测试方法和系统。该方法根据栅极漏电流映射关系和阈值电压映射关系，确定目标待测碳化硅器件的极限栅压、基准栅极漏电流和目标斜坡电压，从而得以精确地得到判断待测碳化硅器件的栅极氧化层是否失效的所需参数，最后采用基准栅极漏电流和目标斜坡电压，对非目标待测碳化硅器件进行测试，确定非目标待测碳化硅器件的栅极氧化层是否失效，通过判断阈值电压减小和栅极漏电流增大筛选出有栅极氧化层缺陷的器件，从而解决了现有方案缺乏一种高效快速筛选碳化硅器件栅极氧化层失效的方案的问题。
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公开(公告)号：CN118039467A
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202211366766.2
申请日：2022-11-01
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院
IPC: H01L21/265 , H01L29/06
Abstract: 一种提高注入离子掺杂深度的方法及碳化硅器件，包括：选取平行于晶圆主晶轴或垂直于原子密度较小晶面的离子注入方向；根据所述离子注入方向对预设温度的晶圆进行倾斜和/或旋转处理，并在处理后的晶圆上进行离子注入。本发明通过选取平行于晶圆主晶轴，或垂直于原子密度较小晶面的注入方向进行注入，就可以利用隧道效应，使得杂质离子通过晶格间隙的通道时不与电子和原子核发生碰撞，能量损失减少，最终停留在更深的地方，从而有效的解决了由于注入能量限制导致的注入深度受限的问题。
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公开(公告)号：CN116110785B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211647982.4
申请日：2022-12-21
Applicant: 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC: H01L21/331 , H01L29/739
Abstract: 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
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