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公开(公告)号：CN116110785A
公开(公告)日：2023-05-12
申请号：CN202211647982.4
申请日：2022-12-21
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
摘要： 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
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公开(公告)号：CN116110785B
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202211647982.4
申请日：2022-12-21
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国家电网有限公司 , 国网上海市电力公司电力科学研究院 , 国网上海市电力公司
IPC分类号： H01L21/331 , H01L29/739
摘要： 本发明公开了一种绝缘栅双极型晶体管及其制备方法，该方法包括：在衬底第一表面形成图形化掩膜层，露出衬底的部分第一表面；采用高温氧化工艺，在衬底第一表面形成场氧化层，场氧化层覆盖所述掩膜层露出的衬底部分第一表面且延伸至氮化硅掩膜层下方与衬底第一表面之间；去除掩膜层，形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极。通过实施本发明，在衬底第一表面形成图形化的掩膜层，然后采用高温氧化工艺形成场氧化层，由此形成了尖角结构的场氧化层，实现了场氧化层的斜面与水平面的夹角降低，避免了电场集中的现象。同时，在去除掩膜层后形成栅氧化层、体区、源区、栅电极、发射极以及集电极；构成了完整的绝缘栅双极型晶体管结构。
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公开(公告)号：CN117012805A
公开(公告)日：2023-11-07
申请号：CN202310602819.4
申请日：2023-05-26
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
摘要： 一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计，提高高压功率芯片的终端效率，保证可靠性的同时，优化安全工作区。
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公开(公告)号：CN116598335A
公开(公告)日：2023-08-15
申请号：CN202310270078.4
申请日：2023-03-15
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/861
摘要： 一种高压功率二极管，二极管纵向结构包括半导体本体区、终端钝化保护层以及阳极金属电极层、阴极金属电极层；半导体本体区是外延层区，通过注入形成pn结结构，实现正向导通和反向阻断；半导体本体区包括阳极阱区、重掺杂阳极区、阴极缓冲区、重掺杂阴极区、漂移区、终端掺杂区；终端钝化保护层位于终端掺杂区的上方；阳极金属电极层位于重掺杂阳极区上方，阴极金属电极层位于重掺杂阴极区下方，形成欧姆接触电极，并形成厚金属互联；在横向电阻区形成若干浅掺杂区，通过开孔与阳极金属层在垂直方向上形成电连接。通过优化浅掺杂区与金属之间的接触，以及浅掺杂区掺杂设计，实现对正向浪涌电流的分流，提高FRD浪涌能力，兼顾反向恢复特性。
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公开(公告)号：CN219917174U
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202321297019.8
申请日：2023-05-26
IPC分类号： H01L29/06
摘要： 一种适用于高压功率芯片的终端结构，包括围绕高压功率芯片有源区以及过渡区的多个同心浮空场限环，在所述场限环上方覆盖有钝化层。本发明可以提高高压大功率芯片的终端可靠性，提高终端效率，同时，兼顾安全工作区，工艺简单，适合大规模产品应用。本发明通过优化场环设计，提高高压功率芯片的终端效率，保证可靠性的同时，优化安全工作区。
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公开(公告)号：CN116759400A
公开(公告)日：2023-09-15
申请号：CN202310395190.0
申请日：2023-04-13
申请人： 北京智慧能源研究院 , 国网湖北省电力有限公司电力科学研究院 , 国家电网有限公司
IPC分类号： H01L23/492 , H01L21/48
摘要： 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，属于半导体技术领域，该半导体器件包括基板、焊接层、银烧结层以及功率芯片。焊接层设置在基板上，焊接层包括由上至下设置的氰化浸金层、钯镀层以及镍层；银烧结层设置在焊接层上；功率芯片设置在银烧结层上。该半导体器件能够减小器件中各互连金属构件之间的剪切应力，避免芯片脱落及产生裂纹，能够满足现有功率模块高功率密度、稳定可靠的要求。
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公开(公告)号：CN117393583A
公开(公告)日：2024-01-12
申请号：CN202311448397.6
申请日：2023-11-02
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/266
摘要： 本发明公开了一种功率器件的终端区结构和制造方法，属于功率器件技术领域。其技术方案为：一种功率器件的终端区结构，包括终端区，终端区包括低浓度JTE区，以及间隔设置在低浓度JTE区内的若干个调制组，若干个调制组对低浓度JTE区的杂质浓度进行调制；调制组包括辅助场环和/或辅助沟槽。本发明的有益效果是：本发明提供的一种功率器件的终端区结构尺寸小且使用可靠性高、耐压稳定性好、制作工艺简单，提供的一种功率器件的终端区结构的制造方法工序简单，方便操作且可操作性好。
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公开(公告)号：CN117252150A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311387938.9
申请日：2023-10-25
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： G06F30/398 , G06F119/08 , G06F113/18
摘要： 本发明涉及一种SiC沟道迁移率TCAD仿真模型的校准方法、设备及存储介质，该方法包括S1.制备SiC芯片；S2.进行SiC芯片性能测试，获得转移特性实验曲线、输出特性实验曲线及阈值电压实验值；S3.完成SiC芯片结构建模和性能仿真，获得转移特性仿真曲线及阈值电压仿真值；S4.基于SiC芯片阈值电压实验值和仿真值，校准氧化层固定电荷参数；S5.基于SiC芯片转移特性实验曲线和仿真曲线，校准迁移率模型参数和界面态参数；S6.基于校准得到的物理模型参数，获得SiC芯片输出特性仿真曲线；S7.对比SiC芯片输出特性实验曲线和仿真曲线并验证参数；根据SiC芯片特性曲线中不同工作区特点，降低了不同物理模型之间的耦合度，实现了多模型参数校准与提取，提高了SiC芯片仿真准确度。
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公开(公告)号：CN117747673B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202410192311.6
申请日：2024-02-21
IPC分类号： H01L29/861 , H01L29/06 , H01L21/329
摘要： 本申请涉及一种功率二极管及其制备方法。该功率二极管包括依次层叠的第一导电类型结构、半导体结构和第二导电类型结构；半导体结构靠近第二导电类型结构的表面具有向第一导电类型结构所在方向延伸的岛状区域；第二导电类型结构包括平面部及凸出部；其中，凸出部与岛状区域一一对应设置，平面部与凸出部相连接，平面部的掺杂浓度小于或等于凸出部的掺杂浓度。本申请可以实现静态正向导通特性与动态反向恢复特性的折中优化，减少功率二极管的双极退化现象，有利于提升功率二极管的电学性能。
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公开(公告)号：CN117238955A
公开(公告)日：2023-12-15
申请号：CN202311375977.7
申请日：2023-10-23
申请人： 北京智慧能源研究院
IPC分类号： H01L29/417 , H01L23/31
摘要： 本发明涉及一种带有终端结构的功率半导体器件，其包括具有第一导电类型的衬底层和具有第一导电类型的漂移层；所述漂移层设有第一掺杂区域和第二掺杂区域，所述第一掺杂区域位于第二掺杂区域的下方，所述第二掺杂区域位于漂移层表面；所述第二掺杂区域上设有主结，所述第一掺杂区域设有至少一个具有第二导电类型的第一场限环，其通过对场限环位置进行优化，以调节表面电场的横向和纵向扩展，使得在不增加终端结构所占半导体面积的情况下，可大大提高半导体终端的耐压水平，减少表面电荷对器件耐压水平的影响，使半导体器件终端的电场集中效应得到缓解，提升了器件的阻断特性。并有效降低界面电荷对器件阻断特性的影响，有效改善表面电场集中效应。
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