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公开(公告)号：CN116088672A
公开(公告)日：2023-05-09
申请号：CN202211385844.3
申请日：2022-11-07
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于图像识别的AR眼镜焦点指示装置，涉及远程多媒体交互演示的技术领域。该装置包括主控CPU、摄像头、蓝牙模块和控制面板；所述摄像头捕获标示定位器所指方向的图像；所述主控CPU接收摄像头捕获的图像，并进行图像处理，同时控制标示定位器的所有模块；所述蓝牙模块与其他设备进行远程通讯；所述控制面板上设有功能按键，使用者按下所述功能按键触发点击、滑动或返回；通过摄像头捕获图像，主控CPU对捕获的图像进行图像识别，并实时计算图像相对于摄像头的运动轨迹，根据运动轨迹实时计算指示光标的坐标，并将所述坐标通过蓝牙模块传输给AR眼镜，从而实现对指示光标的控制，从而起到指示、交互作用。
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公开(公告)号：CN113410328A
公开(公告)日：2021-09-17
申请号：CN202110520121.9
申请日：2021-05-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/074 , H01L31/0216 , H01L31/18
Abstract: 一种晶硅异质结太阳能电池，属于太阳能光伏技术领域。在硅片的正面也通过沉积上本征氢化非晶硅钝化膜来钝化悬挂键，但是为了减少掺杂氢化非晶硅和TCO的吸收损失，在上本征氢化非晶硅钝化膜正面的掺杂氢化非晶硅只覆盖了小部分面积来作为电子的选择性传输通道。减少n型掺杂氢化非晶硅的覆盖面积是基于太阳电池的衬底也为n型掺杂，电子为多数载流子，其在衬底中有良好的传输能力。虽然减少了前表面场的覆盖面积会使电子的扩散距离变大，但良好的传输能力可避免引起传输损失。同样地，正面的透明导电氧化物薄膜也仅沉积在n型掺杂氢化非晶硅上部，透明导电氧化物薄膜上部有金属电极来形成紧密欧姆接触。
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公开(公告)号：CN115332375B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN202210941018.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法，属于光电探测领域。光敏区材料位于栅极介电层上，是由两层二维材料垂直叠加构成的异质结；源漏电极分别与两种二维材料接触；二维材料异质结的能带结构为第Ⅱ类异质结能带；变化的栅极电压可以对所述第Ⅱ类能带结构进行调控，在一系列变化的栅极电压下，每变化一个电压值，该电压调控下的探测器单元产生一组光谱响应电流值；等同于随着栅极电压变化，提供了一系列具有不同光谱响应特性的探测器单元。对待测的未知的入射光进行检测得到对应的未知入射光的光谱信息，然后结合标定值，得到光强度；然后对未知入射光光谱信息进行还原，得到未知入射光的波长。可实现红外波段光谱识别，是创新性设计的微型光谱仪芯片。
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公开(公告)号：CN117712205A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410073974.6
申请日：2024-01-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/0216 , H01L31/20
Abstract: 一种提升光生载流子的异质结太阳能电池，属于太阳能电池领域。通过设计并在交叉指式背接触异质结电池(HBC)插入一层单重态裂分(SF)层，增强光生激子和激子解离过程。利用SF层吸收太阳光谱中的高能光子，通过单重态裂分过程，降低热载流子的产生，并且理论可实现200％的T1激子量子产率；HBC中的晶硅层用于吸收余下的低能光子；SF+HBC电池提升光生激子的产生，具有可比拟叠层太阳电池的理论效率，并且避免了叠层电池中复杂多层的器件结构和生产成本。该方法SF层设计具有普遍的适用性，不仅可以和HBC电池结合形成“叠层”电池，也可用于升级其它硅基太阳电池技术。
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公开(公告)号：CN117669224A
公开(公告)日：2024-03-08
申请号：CN202311680093.2
申请日：2023-12-08
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于漂移扩散模型仿真调控钙钛矿突触器件离子分布的方法，包括以下步骤：步骤1：建立钙钛矿突触器件的二维仿真模型；步骤2：对钙钛矿突触器件进行漂移扩散方程求解；步骤3：将器件施加预制偏压和光脉冲；步骤4：仿真计算得到器件中钙钛矿层离子分布变化；步骤5：得到输出电流，确定实现突触功能。本方法使用漂移扩散模型对钙钛矿突触器件进行仿真，器件结构新颖，涉及到的材料层电学参数广泛可查，建模效率高，光脉冲参数可调，钙钛矿突触器件内部离子分布随外界光脉冲激励发生变化，实现突触功能。本方法对突触器件的离子调控提供方案，为相关实验提供理论指导作用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115440844A
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202210894940.4
申请日：2022-07-27
IPC: H01L31/112 , H01L31/18
Abstract: 一种基于氧等离子体处理的二维半导体铁电栅型晶体管结构光电探测器件，属于光电探测技术领域。以硅/二氧化硅为衬底，二氧化硅上为二维铁电半导体材料选用α‑In2Se3，二维铁电材料α‑In2Se3上表面经过氧等离子体处理后形成界面绝缘介质层，绝缘介质层上边用机械剥离方法制备二维过渡金属硫族化合物；在二维铁电半导体材料和二维过渡金属硫族化合物上分别通过电极粘附层粘结金属电极。所述器件在二维铁电栅的作用下，得到暗电流低，响应度高的光电探测性能；该器件还有一定光记忆功能，适用于探测记忆一体的多功能器件；本发明的栅介质层制备方法简易，适用于大规模制备，成本低；可应用于光电探测技术领域和人工视觉仿生领域。
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公开(公告)号：CN115332375A
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN202210941018.6
申请日：2022-08-04
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/032 , H01L31/102 , H01L31/18
Abstract: 一种基于二维材料异质结的微型红外光谱仪芯片及方法，属于光电探测领域。光敏区材料位于栅极介电层上，是由两层二维材料垂直叠加构成的异质结；源漏电极分别与两种二维材料接触；二维材料异质结的能带结构为第Ⅱ类异质结能带；变化的栅极电压可以对所述第Ⅱ类能带结构进行调控，在一系列变化的栅极电压下，每变化一个电压值，该电压调控下的探测器单元产生一组光谱响应电流值；等同于随着栅极电压变化，提供了一系列具有不同光谱响应特性的探测器单元。对待测的未知的入射光进行检测得到对应的未知入射光的光谱信息，然后结合标定值，得到光强度；然后对未知入射光光谱信息进行还原，得到未知入射光的波长。可实现红外波段光谱识别，是创新性设计的微型光谱仪芯片。
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公开(公告)号：CN118076192A
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410190110.2
申请日：2024-02-20
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种基于可控离子再分布的钙钛矿微型同质结三极晶体管的加工方法，涉及晶体管领域。其步骤是：1)制备带有沟道的衬底并旋涂均匀的钙钛矿薄膜后通过FIB刻蚀掉沟道外的钙钛矿薄膜并放置顶电极；2)通过对钙钛矿薄膜的高电压偏置，形成薄膜局部内可移动离子的特定浓度分布；3)通过对器件的顶电极和中间电极及中间电极和底电极间的钙钛矿薄膜分别施加电压，驱动游离离子空间重排，形成NPN或PNP的三极晶体管结构；通过对薄膜进行特定处理抑制薄膜局部内可移动离子的迁移，从而实现在低电压下稳定工作的钙钛矿薄膜同质结微纳三极晶体管；通过调整偏置高电压的大小，实现放大倍数可调。
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公开(公告)号：CN113702451B
公开(公告)日：2023-10-17
申请号：CN202110957687.8
申请日：2021-08-19
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01N27/24
Abstract: 一种用于激励能级电容分析法的缺陷态空间位置测定方法，属于半导体材料测试领域。将DLCP电压为V条件下，能级深度浅于E的陷阱态的态密度记为N(E,V)；将DLCP电压为V条件下(对应特定空间位置)，单位位置、能量空间中的态密度记为g(E,V)。计算不同能量、空间位置的(xe(ETi,Vk),N(ETi,Vk))；最后，根据公式(1)，可计算单位位置、能量空间的陷阱态的态密度g(ETi,Vk)，即#imgabs0##imgabs1#因此可整理成(xe(ETi,Vk),g(ETi,Vk))的数据表格，其中xe(ETi，Vk)即为所求解的陷阱位置。
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公开(公告)号：CN112701182A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011598294.4
申请日：2020-12-29
IPC: H01L31/0725 , H01L31/0747
Abstract: 一种双面入光结构的太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。从上至下分别为：第一透明导电层(1)、第一载流子传输层(2)、第一钝化层(3)、晶体硅(4)、第二钝化层(5)、第二载流子传输层(6)、第二透明导电层(7)。完成第一和第二透明导电层后，再分别在第一和第二透明导电层外表面制作栅线状正面电极和背面电极即栅线电极(8)，用来收集并导出光生载流子。晶硅化合物太阳能电池可以实现双面入光双面发电，进而有更高的转换效率。
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