公开(公告)号：CN116864557A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202310687015.9

申请日：2023-06-09

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郑子龙 ,  蔡宏波 ,  严辉 ,  楚飞鸿 ,  张永哲 ,  陈小青

IPC: H01L31/036 ,  C30B29/06 ,  C30B33/10 ,  C23C16/02 ,  C23C16/24 ,  H01L31/18

Abstract: 一种晶硅组合面抑制产生晶硅外延和纳米孪晶的方法，属于太阳能电池领域。通过设计一种晶硅组合平面，在制备硅异质结(SHJ)太阳电池的过程中可以有效地抑制晶硅/非晶硅(c‑Si/a‑Si)界面处晶硅外延和纳米孪晶的形成与生长。通过利用Lammps软件对不同晶硅组合面组成的c‑Si/a‑Si界面模型进行分子动力学模拟以对本发明所设计的不同晶硅组合面对界面形貌的影响，并与以纯(111)面组成的界面分子动力学模拟结果对比，研究结果表明(111)/(011)这种组合面可以有效抑制c‑Si外延和纳米孪晶的形成与生长，改善了c‑Si/a‑Si界面质量。该方法有希望指导SHJ太阳电池的未来研究方向。

公开(公告)号：CN118738169A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410802975.X

申请日：2024-06-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 宋雪梅 ,  赖小燕 ,  郑子龙 ,  蔡宏波 ,  杨熙其 ,  严辉

IPC: H01L31/032 ,  H01L31/075 ,  H01L31/20

Abstract: 一种提升硅化合物异质结太阳电池效率的方法，属于太阳能电池领域。将V:MoOX作为硅化合物异质结太阳电池入光面的空穴传输层，得到的器件从上到下依次设置为：金属Ag电极、ITO透明电极层、V:MoOX空穴传输层、i‑a‑Si:H层、n‑c‑Si层、i‑a‑Si:H层、n‑a‑Si:H层、ITO透明电极层、金属Ag电极。由于V:MoOX的宽带隙、高功函，可以减小太阳电池的寄生吸收和光损耗，并增大空穴传输层对空穴的选择性抽取能力，最终使得太阳电池的短路电流密度(JSC)、填充系数(FF)、开路电压(VOC)、转化效率(PCE)均有所提高。

公开(公告)号：CN117712205A

公开(公告)日：2024-03-15

申请号：CN202410073974.6

申请日：2024-01-18

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 郑子龙 ,  陶相霖 ,  陈小青 ,  蔡宏波 ,  孙召清 ,  严辉

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216 ,  H01L31/20

Abstract: 一种提升光生载流子的异质结太阳能电池，属于太阳能电池领域。通过设计并在交叉指式背接触异质结电池(HBC)插入一层单重态裂分(SF)层，增强光生激子和激子解离过程。利用SF层吸收太阳光谱中的高能光子，通过单重态裂分过程，降低热载流子的产生，并且理论可实现200％的T1激子量子产率；HBC中的晶硅层用于吸收余下的低能光子；SF+HBC电池提升光生激子的产生，具有可比拟叠层太阳电池的理论效率，并且避免了叠层电池中复杂多层的器件结构和生产成本。该方法SF层设计具有普遍的适用性，不仅可以和HBC电池结合形成“叠层”电池，也可用于升级其它硅基太阳电池技术。