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发明公开
一种提升硅化合物异质结太阳电池效率的方法审中-实审

公开(公告)号：CN118738169A

公开(公告)日：2024-10-01

申请号：CN202410802975.X

申请日：2024-06-20

Applicant: 北京工业大学

Inventor： 宋雪梅 , 赖小燕 , 郑子龙 , 蔡宏波 , 杨熙其 , 严辉

IPC: H01L31/032 , H01L31/075 , H01L31/20

Abstract: 一种提升硅化合物异质结太阳电池效率的方法，属于太阳能电池领域。将V:MoOX作为硅化合物异质结太阳电池入光面的空穴传输层，得到的器件从上到下依次设置为：金属Ag电极、ITO透明电极层、V:MoOX空穴传输层、i‑a‑Si:H层、n‑c‑Si层、i‑a‑Si:H层、n‑a‑Si:H层、ITO透明电极层、金属Ag电极。由于V:MoOX的宽带隙、高功函，可以减小太阳电池的寄生吸收和光损耗，并增大空穴传输层对空穴的选择性抽取能力，最终使得太阳电池的短路电流密度(JSC)、填充系数(FF)、开路电压(VOC)、转化效率(PCE)均有所提高。

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