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公开(公告)号：CN106793108A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611028418.9
申请日：2016-11-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H04W72/04 , H04W72/08 , H04B7/0456
Abstract: 本发明提供一种MIMO系统下行链路中联合用户选择和功率分配优化方法，包括：将功率均匀分配给所有组中的波束；对于每条波束都计算相对于每个用户的信干噪比(SINR)；选择能使该波束信干噪比最大的用户作为该波束的通信用户，根据用户选择结果，利用拉格朗日乘子法对分配到和波束上的功率进行优化，至此，一次用户选择和功率优化迭代结束，然后根据得到的功率分配结果继续迭代地选择用户和优化功率，直到系统合率达到收敛。采用本发明的技术方案，可以达到更好的系统吞吐量。
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公开(公告)号：CN106125038A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610426115.6
申请日：2016-06-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01S3/02
CPC classification number: G01S3/02
Abstract: 基于边缘计算和贝叶斯后验概率模型的室内无线定位方法，首先利用预先安装在智能终端上的App进行WiFi信号强度采集，并将采集结果组包发送至本地服务器；然后以数据库中预存的信道衰减因子等参数为依据分别计算用户所处位置的先验概率矩阵、优化区域坐标、位置概率矩阵和后验概率矩阵；最后，使用计算得到的后验概率矩阵更新数据库中的位置概率矩阵，并将最终定位结果回送至用户所持的智能终端。首次引入了边缘计算和贝叶斯后验概率模型并将其有机的结合到了一起，通过对数据库参数进行适当修改从而更加精确地推算出用户处于目标位置的后验概率。本方法在不增加额外基础设施的情况下，改善了传统三遍定位算法及其改进算法的定位精度。
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公开(公告)号：CN106125037A
公开(公告)日：2016-11-16
申请号：CN201610424454.0
申请日：2016-06-15
Applicant: 北京工业大学
IPC: G01S1/08
CPC classification number: G01S1/08
Abstract: 基于WiFi信号强度和Micro‑Model的室内无线热点回溯定位方法，该方法通过对目标建筑内环境衰减因子矩阵的精确描述，在传统三边定位方法的基础上进行热点回溯，实时对移动热点实施定位。该方法可以在传统位置指纹算法进行离线训练时更新衰减因子库，无需额外定位步骤，同时却可以提高热点回溯的精度。本方法工作的主要流程为：在离线训练阶段，采集常规指纹库并建立Micro‑LDPL‑Model；在线测量阶段，配合移动智能终端和服务器对移动热点进行精确定位，通过精确回推、三边测量和聚类优化等方法，最大程度上对定位结果实现了优化，使其更加精确合理。应用了本方法的系统不仅具备了对移动热点进行实时精确回溯的能力，还能够将定位误差限制在一个较小的范围内。
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公开(公告)号：CN104980125A
公开(公告)日：2015-10-14
申请号：CN201510393676.6
申请日：2015-07-07
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03H11/04
Abstract: 本发明提供了一种采用负阻结构的宽频带、高Q值、可调谐的有源电感。该电感包括：负阻反馈晶体管，负跨导放大器，共栅跨导放大器，第一可调电阻网络，第二可调电阻网络，第一正跨导放大器，第二正跨导放大器，第一可调电流源，第二可调电流源。其中负阻反馈晶体管连接负跨导放大器形成负阻结构，提高有源电感的Q值。共栅跨导放大器提高有源电感的带宽。负跨导放大器与两个正跨导放大器一起构成双回转器结构提高有源电感的等效电感和Q值。两个可调电阻网络用来调节等效电感和Q值。两个可调电流源提供电流偏置。该有源电感的电感值的频率带宽能达到10GHz以上，电感值能在5nH到60nH之间调谐，Q值能达到1000，且Q值大于20的频带能达到5个GHz。
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公开(公告)号：CN107240616A
公开(公告)日：2017-10-10
申请号：CN201710436715.5
申请日：2017-06-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/11
CPC classification number: H01L31/1105 , H01L31/03529
Abstract: 本发明提供了一种具有本征层结构的InGaAs/InP光敏晶体管红外探测器。该探测器衬底材料为InP，从衬底往上依次为：InP缓冲层、In0.53Ga0.47As集电区、In0.53Ga0.47As本征层、In0.53Ga0.47As基区、InP发射区、InP帽层、In0.53Ga0.47As欧姆接触层。集电极在In0.53Ga0.47As集电区台面上；基极和基区光窗口在In0.53Ga0.47As基区台面上；发射极在In0.53Ga0.47As欧姆接触层上。本发明的基区和集电区之间存在In0.53Ga0.47As本征层，在集电极偏置为2V时完全耗尽，大大增加了集电结耗尽层的厚度，使大部分进入探测器的入射光被集电结耗尽层吸收。在集电结耗尽层产生的光生电子‑空穴对被其中的强电场分离，从而产生光生电流。因此，本发明具有比无本征层探测器更高的量子效率和光生电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105430740A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510729844.4
申请日：2015-10-31
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: H04W64/006 , G01S5/0252
Abstract: 基于WiFi信号强度仿真与位置指纹算法的室内无线定位算法，首先利用射线跟踪算法对室内环境建模，通过对每条射线进行传播路径跟踪，计算出其多径传播轨迹；然后使用RanPlan iBuildNET软件仿真出区域内各接收点所有射线的场强叠加值，从而绘制出信号强度的分布信息，建立指纹库；最后通过位置指纹算法进行匹配定位。本算法将射线跟踪算法与位置指纹算法有机结合起来，通过信号强度等高图仿真实现定位。实验结果表明，本算法在实现定位功能，定位精度也达到系统性能要求的情况下，一定程度上优化了位置指纹定位算法的运行步骤，不仅节省了在恶劣环境下的定位时间及人力成本，还可保证人员的生命安全。
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公开(公告)号：CN106793108B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201611028418.9
申请日：2016-11-18
Applicant: 北京工业大学
IPC: H04W72/04 , H04W72/08 , H04B7/0456
Abstract: 本发明提供一种MIMO系统下行链路中联合用户选择和功率分配优化方法，包括：将功率均匀分配给所有组中的波束；对于每条波束都计算相对于每个用户的信干噪比(SINR)；选择能使该波束信干噪比最大的用户作为该波束的通信用户，根据用户选择结果，利用拉格朗日乘子法对分配到和波束上的功率进行优化，至此，一次用户选择和功率优化迭代结束，然后根据得到的功率分配结果继续迭代地选择用户和优化功率，直到系统合率达到收敛。采用本发明的技术方案，可以达到更好的系统吞吐量。
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公开(公告)号：CN106208997B
公开(公告)日：2019-04-12
申请号：CN201610589625.5
申请日：2016-07-25
Applicant: 北京工业大学
IPC: H03G3/30
Abstract: 超宽带双重增益控制电路实现了超宽带增益可变双重控制技术，该电路包括一个超宽频带内大范围增益可变电路和一个超宽频带内动态信号增益可变电路。该电路可以用于超宽带接收系统中，共同作用实现超宽带可变增益放大器的大范围增益可变和超宽频带内良好的增益平坦度。其中超宽频带内大范围增益可变电路为后级恒定增益放大单元提供可变的直流偏置，实现大范围增益变化；超宽频带内动态信号增益可变电路作为恒定增益放大电路的反馈支路提供特定频带内的增益微调，实现平坦度的改善。
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公开(公告)号：CN105430740B
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201510729844.4
申请日：2015-10-31
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 基于WiFi信号强度仿真与位置指纹算法的室内无线定位算法，首先利用射线跟踪算法对室内环境建模，通过对每条射线进行传播路径跟踪，计算出其多径传播轨迹；然后使用RanPlan iBuildNET软件仿真出区域内各接收点所有射线的场强叠加值，从而绘制出信号强度的分布信息，建立指纹库；最后通过位置指纹算法进行匹配定位。本算法将射线跟踪算法与位置指纹算法有机结合起来，通过信号强度等高图仿真实现定位。实验结果表明，本算法在实现定位功能，定位精度也达到系统性能要求的情况下，一定程度上优化了位置指纹定位算法的运行步骤，不仅节省了在恶劣环境下的定位时间及人力成本，还可保证人员的生命安全。
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公开(公告)号：CN107240616B
公开(公告)日：2018-11-13
申请号：CN201710436715.5
申请日：2017-06-12
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01L31/0352 , H01L31/11
Abstract: 本发明提供了一种具有本征层结构的InGaAs/InP光敏晶体管红外探测器。该探测器衬底材料为InP，从衬底往上依次为：InP缓冲层、In0.53Ga0.47As集电区、In0.53Ga0.47As本征层、In0.53Ga0.47As基区、InP发射区、InP帽层、In0.53Ga0.47As欧姆接触层。集电极在In0.53Ga0.47As集电区台面上；基极和基区光窗口在In0.53Ga0.47As基区台面上；发射极在In0.53Ga0.47As欧姆接触层上。本发明的基区和集电区之间存在In0.53Ga0.47As本征层，在集电极偏置为2V时完全耗尽，大大增加了集电结耗尽层的厚度，使大部分进入探测器的入射光被集电结耗尽层吸收。在集电结耗尽层产生的光生电子‑空穴对被其中的强电场分离，从而产生光生电流。因此，本发明具有比无本征层探测器更高的量子效率和光生电流。
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