公开(公告)号：CN104218074A

公开(公告)日：2014-12-17

申请号：CN201410471771.9

申请日：2014-09-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  韩德栋 ,  董俊辰 ,  赵飞龙 ,  丛瑛瑛 ,  张翼 ,  张盛东 ,  刘力锋 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/24 ,  H01L29/04 ,  H01L21/363 ,  H01L21/443 ,  H01L29/786 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L21/02565 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78693

Abstract: 本发明公开了一种掺杂稀土元素的氧化锌铝非晶半导体薄膜材料及其制备方法和应用，属于半导体集成电路及其制造技术领域。该非晶半导体薄膜中的锌元素、铝元素和稀土元素的摩尔百分比含量为：锌元素85％-98％，铝元素1％-10％，稀土元素1％-14％，稀土元素为Gd、Lu、Y和Sc中的至少一种。本发明采用射频磁控溅射方法制备掺杂稀土元素的氧化锌铝薄膜材料，在溅射过程中调节氧气氛的分压比形成具有非晶特性的高迁移率的沟道材料。本发明制备方法和传统CMOS工艺相兼容，可制备出高迁移率的稀土掺杂氧化物半导体薄膜晶体管，具有较高的实用价值，有望在未来的TFT集成电路中得到应用。

公开(公告)号：CN112858418B

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202110205251.3

申请日：2021-02-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  李琪 ,  董俊辰 ,  韩德栋 ,  张兴

IPC: G01N27/26

Abstract: 本发明公开了一种用于肿瘤细胞检测的传感器的制备方法，该方法将3D打印技术与微电子技术结合，制备出的传感器结构包括衬底、绝缘层、传感层，两个测试电极和溶液装载区，绝缘层位于衬底之上，传感层位于绝缘层之上，测试电极和溶液装载区位于传感层之上，溶液装载区位于两个测试电极之间。本发明基于细胞外基质pH的准确测量，实现肿瘤细胞检测工作。本发明可用于临床肿瘤细胞的实时、准确测定。

公开(公告)号：CN105655409A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610176781.9

申请日：2016-03-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  郁文 ,  王漪 ,  董俊辰 ,  丛瑛瑛 ,  崔国栋 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L21/203 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01L29/786 ,  C23C14/35 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开了一种具有金属覆盖层的薄膜晶体管及其制备方法。本发明首先曝光显影定义好栅电极图形，生长栅电极，接着淀积栅介质层，然后淀积源电极和漏电极，再溅射一层有源层，连续生长金属覆盖层，这种连续生长有源层和金属覆盖层的方式有助于减少背界面的缺陷态密度；最后将器件置于空气中退火，金属覆盖层氧化生成金属氧化物进而充当天然的钝化层，与采用原子层沉积ALD生成氧化铝的方法相比工艺简单，成本低廉，实用性强；针对于金属半导体氧化物对气氛敏感度较高的特性，金属氧化物作为钝化层有利于提高器件在空气中的可靠性。

公开(公告)号：CN105070762A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510430849.7

申请日：2015-07-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  郁文 ,  王漪 ,  石盼 ,  张翼 ,  黄伶灵 ,  丛瑛瑛 ,  董俊辰 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/34

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66969

Abstract: 本发明提供一种三态金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。该三态金属氧化物半导体薄膜晶体管从下到上依次为衬底、底层源漏电极、底层沟道层、底层栅介质层、栅电极、顶层栅介质层、顶层沟道层、顶层源漏电极，其中，顶层栅介质的厚度大于底层栅介质的厚度，或者顶层栅介质的介电常数小于底层栅介质的介电常数，同时，顶层沟道材料的电导率优于底层沟道材料的电导率。由于该结构是一个顶栅结构和一个底栅结构的叠加，则在转移特性上是上下两个器件转移特性的叠加，突破了传统的金属氧化物半导体薄膜晶体管的性能。

公开(公告)号：CN105006487A

公开(公告)日：2015-10-28

申请号：CN201510411880.6

申请日：2015-07-14

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  周晓梁 ,  赵飞龙 ,  丛瑛瑛 ,  董俊辰 ,  张盛东 ,  韩德栋 ,  张兴

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869

Abstract: 本发明公开了一种顶栅自对准金属氧化物半导体薄膜晶体管及其制备方法，该方法在衬底上淀积、刻蚀出有源区后，对整个有源区进行氩等离子体处理，在有源区上表面形成高电导率层；在淀积、刻蚀出栅电极和栅介质刻蚀之后，形成自对准的源区和漏区。氩等离子体处理可有效降低了源区和漏区表面电阻和接触电阻，同时，在沟道区上表面引入薄的高电导率层，形成双层导电沟道结构；对于源区和漏区，可以在定义出栅介质图形后进一步采用等离子体处理、快速热退火、反应离子刻蚀栅介质层过刻工艺，或者通过淀积含氢的氮化硅钝化层后退火工艺对源区和漏区进行氢掺杂的方法，提高整个源区和漏区的电导率，进一步减小源区和漏区电阻。

公开(公告)号：CN104716195A

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201510111273.8

申请日：2015-03-13

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  石盼 ,  王漪 ,  丛瑛瑛 ,  董俊辰 ,  周晓梁 ,  郁文 ,  张翼 ,  黄伶灵 ,  刘力锋 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L29/43

Abstract: 一种掺钼氧化锌薄膜晶体管及其制备方法，本发明提供了一种薄膜晶体管及其制备方法，属于半导体行业、平板显示领域。本发明的核心在于采用掺钼的氧化锌半导体材料作为薄膜晶体管的导电沟道层，制备的掺钼的氧化锌薄膜的尺寸在20nm左右，在制备的过程中，利用溅射技术制备掺钼氧化锌薄膜，通过调节掺钼的氧化锌靶材的组分，控制溅射氧气分压来改善薄膜晶体管的开关比、亚阈摆幅、阈值电压以及迁移率等特性。本发明具有工艺简单，制作成本低，低温，适用于透明显示技术和柔性显示技术等优点。

公开(公告)号：CN104241393A

公开(公告)日：2014-12-24

申请号：CN201410428650.6

申请日：2014-08-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  陈卓发 ,  赵楠楠 ,  王漪 ,  丛瑛瑛 ,  吴静 ,  赵飞龙 ,  董俊辰 ,  黄伶灵 ,  张翼 ,  张盛东 ,  刘力锋 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78642 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78693 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供了一种玻璃衬底或者塑料衬底上制备薄膜晶体管的方法，属于半导体行业、平板显示领域。该薄膜晶体管采用氧化锌锡/氧化铟锡/氧化锌锡三层沟道，可有效提高薄膜晶体管的性能，降低了工业制造成本，使制备工艺更加绿色环保。而且本发明器件显示出优良的电学和光学特性，进一步说明该晶体管能运用于可穿戴电子产品等柔性显示技术。

公开(公告)号：CN113013250A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202110205068.3

申请日：2021-02-24

Applicant: 北京大学

Inventor： 董俊辰 ,  李琪 ,  韩德栋 ,  王漪 ,  张兴

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L21/34 ,  H01L21/443

Abstract: 本发明公开了一种场效应晶体管及其制备方法，属于微电子器件领域。该场效应晶体管包括衬底、栅电极、金属‑绝缘层电介质、有源层和源/漏电极，栅电极位于衬底之上，金属‑绝缘层电介质位于栅电极之上，有源层位于金属‑绝缘层电介质之上,源/漏电极位于有源层之上，所述金属‑绝缘层电介质结构采用氧化铝/钛/氧化铝的三明治结构，所述氧化铝薄膜厚度分别为10‑100纳米，钛薄膜为金属钛薄膜或氧化钛薄膜，所述钛薄膜厚度为10‑100纳米。本发明提出了一种用于微电子器件的新型high‑k电介质材料，该金属‑绝缘层混合电介质采用磁控溅射和原子层淀积工艺制备，步骤简单、成本低，具有实际应用潜力。

公开(公告)号：CN112447855A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN201910826414.2

申请日：2019-09-03

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  李慧津 ,  董俊辰 ,  王漪 ,  周孝斌 ,  衣壮 ,  周大中

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/335 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明提供一种薄膜晶体管制备方法，属于集成电路制造和显示领域。本发明的核心是整个薄膜晶体管全部采用原子层淀积技术制备，工艺温度低、成膜质量高、薄膜厚度控制精确。薄膜晶体管的绝缘层和有源层，采用相同的工艺手段、相同的淀积温度，可以连续生长，有利于减少沟道和绝缘体的界面陷阱和界面微变形，提高界面质量，改善器件的亚阈值摆幅。且有源层和绝缘层共用相同的光刻掩膜版图形化，因此减少了一次光刻，节约了工艺制造成本。本发明有望在未来的TFT集成电路和新型显示中得到应用。

公开(公告)号：CN105280141B

公开(公告)日：2017-11-07

申请号：CN201510765183.0

申请日：2015-11-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 王漪 ,  伦志远 ,  丛瑛瑛 ,  赵飞龙 ,  董俊辰 ,  韩德栋

IPC: G09G3/3258

Abstract: 本发明公开了一种像素驱动电路及其驱动方法。该像素驱动电路包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、存储电容、有机发光二极管OLED、电源线、数据信号线和栅控制线，本发明晶体管采用双栅结构的TFT，通过双栅TFT的阈值电压可调的特性实现阈值电压漂移现象的补偿，提供稳定的输出电流，有效改善TFT显示面板因阈值电压不均或阈值电压漂移而造成的OLED发光器件亮度不均问题。同时，由于双栅结构TFT具有更高的电流和器件稳定性，该电路可进行低工作电压的操作、具有更小的面积。本发明简化了电路结构，提高显示电路的开口率和分辨率并降低制造成本，具有较高的实用价值，有望在微电子和平板显示产业中得到应用。