公开(公告)号：CN105655409A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610176781.9

申请日：2016-03-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 韩德栋 ,  郁文 ,  王漪 ,  董俊辰 ,  丛瑛瑛 ,  崔国栋 ,  张盛东 ,  刘晓彦 ,  康晋锋

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/324 ,  H01L21/203 ,  C23C14/35

CPC classification number: H01L29/786 ,  C23C14/35 ,  H01L21/324 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明公开了一种具有金属覆盖层的薄膜晶体管及其制备方法。本发明首先曝光显影定义好栅电极图形，生长栅电极，接着淀积栅介质层，然后淀积源电极和漏电极，再溅射一层有源层，连续生长金属覆盖层，这种连续生长有源层和金属覆盖层的方式有助于减少背界面的缺陷态密度；最后将器件置于空气中退火，金属覆盖层氧化生成金属氧化物进而充当天然的钝化层，与采用原子层沉积ALD生成氧化铝的方法相比工艺简单，成本低廉，实用性强；针对于金属半导体氧化物对气氛敏感度较高的特性，金属氧化物作为钝化层有利于提高器件在空气中的可靠性。