公开(公告)号：CN102937695A

公开(公告)日：2013-02-20

申请号：CN201210400993.2

申请日：2012-10-19

Applicant: 北京大学

Inventor： 朱韫晖 ,  孙新 ,  马盛林 ,  缪旻 ,  陈兢 ,  金玉丰

IPC: G01R31/26

Abstract: 本发明公开了一种硅通孔超薄晶圆测试结构及测试方法。该测试结构包括一带有重新布线层的转接板，该转接板的表面设有用于与待测试的带有硅通孔的超薄晶圆形成电学连接的键合结构。将待测试的带有硅通孔的超薄晶圆与带有重新布线层的转接板通过临时键合形成电学连接后，采用普通平面探针台或自动测试设备即可进行晶圆测试，转接板对超薄晶圆提供了良好地机械支撑，不会产生翘曲或碎裂，有利于快速、准确地进行晶圆测试。

公开(公告)号：CN102214662B

公开(公告)日：2012-12-19

申请号：CN201110105424.0

申请日：2011-04-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 马盛林 ,  孙新 ,  朱蕴晖 ,  金玉丰 ,  缪旻 ,  陈兢

IPC: H01L27/144 ,  G01J5/22 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了非制冷红外焦平面阵列探测器单片集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括硅晶圆，硅晶圆具有相对的第一表面和第二表面；硅晶圆第一表面上设有红外焦平面敏感元件阵列，第二表面上设有红外焦平面敏感元件阵列的信号处理电路，硅晶圆上设有硅通孔微互连，红外焦平面敏感元件阵列通过硅通孔微互连与信号处理电路电连接。与现有技术相比，本发明实现了红外敏感元件阵列与其信号处理电路的有效热隔离，降低红外敏感元件阵列传导到其信号处理电路的热量，提高了信号处理电路的性能与可靠性。

公开(公告)号：CN102815665A

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201110151055.9

申请日：2011-06-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 曹瑞 ,  淦华 ,  金玉丰 ,  缪旻

IPC: B81C3/00

Abstract: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷基板内嵌微流管道的接口方法，在基板表面制作金属化环形焊盘环绕微流管道口，然后将内壁具有密封螺纹的金属套环焊接在环形焊盘上，同时选择合适外径的连接管，在其管头外壁加工出与金属套环内壁密封螺纹相匹配的密封外螺纹，将该连接管与金属套环通过密封螺纹旋拧连接，即可实现基板内嵌微流管道与外部的方便可靠连接。

公开(公告)号：CN102437110A

公开(公告)日：2012-05-02

申请号：CN201110391525.9

申请日：2011-11-30

Applicant: 北京大学

Inventor： 陈兢 ,  朱韫晖 ,  马盛林 ,  孙新 ,  方孺牛 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种石墨烯垂直互连结构的制作方法，首先在基片上制作垂直孔；然后在所述基片的表面上制作绝缘层，该绝缘层覆盖所述垂直孔的内表面；然后在所述绝缘层上制作石墨烯层。基于该石墨烯垂直互连结构，可采用晶圆到晶圆、芯片到晶圆或芯片到芯片的方式进行堆叠并形成三维集成结构。石墨烯由于其特有的弹道疏运机制，具有非常高的电导率，有利于提高垂直互连结构的电信号传输性能，特别有利于高频高速电信号的传输，可减小垂直互连结构间及对其它电路的干扰。

公开(公告)号：CN102024782A

公开(公告)日：2011-04-20

申请号：CN201010513047.X

申请日：2010-10-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 马盛林 ,  朱韫晖 ,  孙新 ,  金玉丰 ,  缪旻

IPC: H01L23/52 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/50 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76879 ,  H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L23/5226 ,  H01L24/05 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L24/94 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/83896 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06544 ,  H01L2225/06558 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552

Abstract: 本发明公开了一种三维垂直互联结构及其制作方法。结构包括顺次堆叠或面对面堆叠在一起的至少两层芯片，各层所述芯片之间采用粘结材料粘结，各层所述芯片由下至上依次为衬底层和表面介质层，所述芯片的上表面具有横截面为环形的第一凹坑，所述第一凹坑内填充有金属形成第一导电环，所述第一导电环通过重新布局布线层与所述芯片内部的微电子器件连接，与所述第一导电环内径相同且圆心一致的第一通孔贯穿所述堆叠的芯片，所述第一通孔内具有第一微型导电柱。本发明的三维垂直互联结构提高了微电子器件制作中三维互联叠层间电互联和粘合强度，提高了成品率。

公开(公告)号：CN109326655B

公开(公告)日：2021-01-19

申请号：CN201810980459.0

申请日：2018-08-27

Applicant: 北京大学

Inventor： 刘欢 ,  方孺牛 ,  缪旻 ,  金玉丰

IPC: H01L29/94 ,  H01L27/10 ,  H01L21/82 ,  H01L21/329

Abstract: 本发明公开了一种半导体变容器及其制造方法，该半导体变容器包括具有相对的第一表面和第二表面的衬底、衬底上的深孔、与衬底导电类型相反的第一高掺杂区和相同的第二高掺杂区、衬底的第一表面上的介质层和控制电极；深孔可为盲孔或通孔，填充有绝缘层和导电材料；控制电极位于介质层之上，并且两者的外缘与绝缘层和第一高掺杂区邻接。本发明通过利用两个金属‑氧化物‑半导体结构来实现变容器，使得变容器的可调范围和调制电压可以分别设计优化，具有较好的灵活性且制作工艺简单。

公开(公告)号：CN103545302A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201210238431.2

申请日：2012-07-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 鲁文高 ,  陈蒙 ,  王冠男 ,  朱韫晖 ,  孙新 ,  孟祥云 ,  陈晓璐 ,  张雅聪 ,  缪旻 ,  陈中建

IPC: H01L25/16 ,  H01L23/31

Abstract: 本发明提供一种红外焦平面与实现非均匀性校准数据存储及数字算法的数字芯片的三维集成方案，属光电子技术及微电子技术领域。该方案包括：红外焦平面；实现非均匀性校准数据存储及数字算法的数字芯片；数字存储控制芯片与红外焦平面完成三维集成，并封装在同一封装内；数字存储控制芯片以三维集成方式与红外焦平面实现电连接；数字存储控制芯片与红外焦平面的互连通信可采用现有任意三维互连技术实现；数字存储控制芯片与红外焦平面的相对位置可任意，但处在不同平面上。与现有技术相比，本发明提供一种全新的数字存储控制芯片与红外焦平面的通信集成方案，解决现有校准信息存储方案低速低效、高成本高损耗的问题，提高了红外焦平面的整体性能。

公开(公告)号：CN102280456A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201110121051.6

申请日：2011-05-11

Applicant: 北京大学

Inventor： 马盛林 ,  朱蕴晖 ,  孙新 ,  金玉丰 ,  陈兢 ,  缪旻

IPC: H01L27/144 ,  G01J5/20 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02P70/521

Abstract: 本发明公开了一种红外焦平面阵列探测器集成结构及制作方法，属于半导体制造领域。本结构包括：包括第一硅晶圆、第二硅晶圆，第一硅晶圆第二表面上设有红外敏感元件阵列和焊盘、第一表面上设有若干第一电接触元件，第一硅晶圆上设有若干第一硅通孔微互连、若干第二硅通孔微互连，红外敏感元件阵列通过第一硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接，焊盘通过第二硅通孔微互连与对应第一电接触元件电连接；第二硅晶圆第一表面上设有红外敏感元件阵列的信号处理电路和与信号处理电路电连接的若干第二电接触元件；第一电接触元件与第二电接触元件分别对应电连接。本发明降低了热干扰，提高非制冷红外焦平面阵列探测器稳定性、可靠性。

公开(公告)号：CN101634662B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910090736.1

申请日：2009-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 缪旻 ,  张杨飞 ,  张静 ,  金玉丰

IPC: G01P15/125 ,  G01P15/12 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  B81C5/00

Abstract: 本发明公开了一种微加速度计及其制备方法，属于微惯性器件的加工技术领域。该微加速度计设置在封装基板上，封装基板由上、下表面板和若干个中间基板堆叠而成，加速度计的信号检测电路附着在上表面板上，加速度计的敏感元件内嵌于中间基板，即带有空腔的中间基板构成敏感元件的框架，敏感元件的挠性悬挂和敏感质量块设置在空腔内，挠性悬挂的一端连接敏感质量块，另一端固定在框架上，且在敏感质量块和与敏感质量块对应的框架表面上分别溅射金属电极，形成平板式敏感电容，或在挠性悬挂与框架内侧面连接处的位置淀积金属压阻厚膜图形，构成金属压阻应变计。本发明制备的微加速度计敏感度高，且可以耐高温，与系统级封装基板融合为一体，其加工难度和成本低。

公开(公告)号：CN101540295B

公开(公告)日：2011-01-26

申请号：CN200910082236.3

申请日：2009-04-21

Applicant: 北京大学

Inventor： 纪明 ,  朱韫晖 ,  马盛林 ,  缪旻 ,  金玉丰 ,  王玮

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/312 ,  H01L21/311

Abstract: 本发明公开了一种TSV通孔的侧壁绝缘层的制备方法。属于微电子封装技术。该方法包括：在普通硅片、SOI片或表面加工有集成电路的标准硅片上刻蚀的TSV通孔内淀积一绝缘层；在绝缘层上淀积一有机薄膜；利用各向异性刻蚀，去除TSV通孔底部的有机薄膜；然后刻蚀掉TSV通孔底部的绝缘层；再次利用各向异性刻蚀，将剩余的有机薄膜全部去除，从而获得完整的TSV通孔的侧壁绝缘层。本发明利用了有机薄膜作为刻蚀保护层，极大的提高了TSV通孔侧壁绝缘层的质量和性能，很好的保证了通孔内金属与硅片之间的绝缘性能，从而提高了TSV互连的可靠性。